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Wärmefeste Hochspannung Sic Mosfet, Mehrzweck-N-Kanal Fet Transistor
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. | Wärmeableitung | Große Wärmeableitung |
|---|---|---|---|
| Technologie | MOSFET | Vorteile | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen | Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand | Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
| Hervorheben | Wärmedichtes Hochspannungs-Sic Mosfet,N-Kanal Hochspannung Sic Mosfet,Mehrzweck-N-Kanal-Fet-Transistor |
||
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Ein Hochspannungs-MOS-Gate-Transistor, allgemein als Hochspannungs-FET bekannt, ist eine Art Halbleitervorrichtung, die für den Einsatz in Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.Dieses Gerät gewinnt aufgrund seiner starken Leistung und der breiten Palette von Anwendungen an PopularitätEs bietet hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen und eignet sich hervorragend für den Einsatz in eingebetteten FRDs, Motorserien, Wechselrichter, Halbbrücken-/Fullbrücken-Schaltkreisen,und Ultra-Hochspannungs-Anwendungen wie intelligente Zähler, Schranken, Industrie-Schaltnetzteile und elektrische Stromversorgungssysteme.
High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliabilityMit seiner hohen Spannung/ultra-hohen Spannung kann dieses Gerät den härtesten Bedingungen leicht standhalten und ist ideal für den Einsatz in High-End-Anwendungen geeignet.
Hochspannungs-MOSFETs bieten den Nutzern eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für ihre Hochspannungsanwendungen.so dass es eine ideale Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen ist.
Technische Parameter:
| Technologie | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Typ | N |
Anwendungen:
Eingebettete FRD Hochspannungs-MOSFET
REASUNOS ist eine führende Marke für Hochspannungs-MOS-Gate-Transistoren, die eine überlegene Leistung in Schaltanwendungen bieten.mit einer hohen Spannung, geringe Leckage und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.mit einer Leistung von mehr als 100 W, Wechselrichter usw.
Produktspezifikationen
- Markenbezeichnung: REASUNOS
- Herkunftsort: Guangdong, China
- Preis: Preis nach Produkt bestätigt
- Verpackungsdetails: Staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackung, in Kartons
- Lieferzeit: 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
- Zahlungsbedingungen: 100% T/T im Voraus (EXW)
- Versorgungsfähigkeit: 5KK/Monat
- Typ: N
- Spannungsbewertung: Hochspannung/Ultrahohe Spannung
- Anwendungsbereich von HV Mosfet: LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Inverter usw.
- Leckage: Eine geringe Leckage kann weniger als 1 μA erreichen
- Vorteile: Neue Lateralvariable Doping-Technologie, spezielle Leistungs-MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hoher Temperatur.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET
Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte. Unser Team von erfahrenen Fachleuten steht Ihnen bei Fragen zu unseren Produkten zur Verfügung.Unser technisches Supportpersonal kann bei der Auswahl der Produkte helfen.Darüber hinaus bieten wir eine breite Palette von Dienstleistungen wie kundenspezifisches Design, Prototyping und Produkttests an.
Unser technisches Support-Team ist bestrebt, den höchsten Kundenservice zu bieten. Wir bemühen uns, Kundenanfragen so schnell wie möglich zu beantworten und die bestmöglichen Lösungen zu liefern.Unser Team ist telefonisch erreichbar., E-Mail und Online-Chat.
Wir bieten Ihnen auch detaillierte Produktdokumentation und Handbücher sowie Online-Schulungen und Workshops.Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren technischen Support und Service für Hochspannungs-MOSFET zu erfahren.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET
Hochspannungs-MOSFETs sind empfindliche Geräte und müssen ordnungsgemäß verpackt und versandt werden, um sicherzustellen, dass sie in Betriebszustand ankommen.
- Die MOSFETs sollten in statisch freies Verpackungsmaterial verpackt werden.
- Die Verpackung sollte mit einer Warnung über die Empfindlichkeit des Arzneimittels versehen sein.
- Das Paket sollte mit einer zuverlässigen Versandmethode versandt werden.
- Das Paket sollte verfolgt und versichert werden.
- Die Packung sollte an einem kühlen, trockenen Ort aufbewahrt werden.
Häufige Fragen:
F1: Was ist ein Hochspannungs-MOSFET?
A1: Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art isolierter Torfeldwirkungstransistor (IGFET), der für höhere Spannungen von bis zu hunderten Volt ausgelegt ist.Es wird für Anwendungen wie Leistungsverstärkung verwendet, Motorsteuerung, geräuscharme Verstärker und andere Hochspannungsschalter.
F2: Wie heißt das Hochspannungs-MOSFET?
A2: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F3: Wo ist der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET?
A3: Der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.
F4: Wie ist die Verpackung von Hochspannungs-MOSFET?
A4: Die Verpackung von Hochspannungs-MOSFET besteht aus staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt werden.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
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