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MOSFET-Multiscene mit stabiler Ultra-Niedrigspannung für schnelles Laden
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Industrielle langlebige Niedrigspannungs-VGS-Mosfet, kleine RSP-Niedrigspannungs-Schalttransistoren
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Praktische Niederspannungs-MOSFET Multifunktions-N-Kanal-Niederspannungs-Rds
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
Motorfahrer Niederspannung Fet stabil für Hochfrequenzschalter
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Konverter Niederspannungs-MOSFET Mehrzweck für drahtlose Ladung
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Multiscene 20V Mosfet Niedrigspannung, 5G Basisstation Niedrigleistungstransistor
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Langlebige SGT Niederspannungs-MOSFET-Multifunktion mit kleinerer RSP
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
SGT Stabil Low Gate Threshold Spannung Mosfet für Gleichstrom-Gleichstromwandler
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Multipurpose Niederspannungs-MOSFET hohe Effizienz für Motorfahrer
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Schalter praktischer Mosfet Niedrigstrom, Multifunktionaler Niederspannungstransistor
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |