Praktischer Wechselrichter Mosfet Hochspannung, Niedrigwiderstand HV Transistor

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Technologie MOSFET Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc.
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET Typ N
Hervorheben

Praktische Hochspannung Mosfet

,

Inverter Mosfet Hochspannung

,

Niedrig Widerstands-HV-Transistor

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Hochspannungs-MOSFET mit hoher Wärmeverteilung für Technologieanwendungen

Beschreibung des Produkts:

Hochspannungs-MOSFET

Ein Hochspannungs-MOSFET (HV MOSFET) ist eine Art Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET), der hauptsächlich für Hochspannungsanwendungen verwendet wird.Die Spannung ist von hoher Spannung bis zu ultrahoher SpannungDiese Art von Transistor eignet sich für den Einsatz in LED-Treibern, Adaptern, industriellen Schaltnetzteilen, Wechselrichter, Motorserien, Inverter,Anwendungen für Halbbrücken-/Vollbrückenkreisläufe, und andere Anwendungen, bei denen eine hohe Spannung erforderlich ist.

HV-MOSFETs sind in der Regel des N-Typs, und die eingebettete FRD-Struktur macht sie für Anwendungen geeignet, bei denen eine hohe Spannung erforderlich ist.Es hat eine große Wärmeabgabe, die es zu einer idealen Wahl für Geräte macht, die hohe Leistung erfordernDiese Art von Transistor eignet sich auch für eine breite Palette von Hochspannungsanwendungen wie Motorreihe, Wechselrichter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen und andere.

Hochspannungs-MOSFETs sind zuverlässig, effizient und kostengünstig, was sie zu einer beliebten Wahl für Hochspannungsanwendungen macht.so dass sie eine ideale Wahl für kommerzielle und industrielle Anwendungen sind.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Typ N
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Technologie MOSFET
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μA erreichen
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Hochspannungs-Mosfet-Transistor - Ja, das ist es.
Hochspannungs-Strom Mosfet - Ja, das ist es.
Hochspannungs-MOSFET-Anwendungen LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
 

Anwendungen:

MOSFET mit hoher Spannung

REASUNOS High Voltage MOSFET ist ein leistungsstarker, ultra-hv MOS-Gate-Transistor, der für eine breite Palette von Anwendungen wie Motorreihe, Wechselrichter,Anwendungen für Halbbrücken-/Vollbrückenkreisläufe, etc. Es wird in Guangdong, CN hergestellt, mit einem Versprechen von 100% T/T im Voraus (EXW) und einer Lieferfähigkeit von 5KK/Monat.

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET zeichnet sich durch einen geringen Einschaltwiderstand und eine geringe Leckage aus, die weniger als 1 μ A erreichen kann.in einer Kartonscheibe in Kartonschichten, sorgt für eine schnelle Lieferzeit von 2 bis 30 Tagen je nach Gesamtmenge.

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist die perfekte Wahl für Ihre Motor-Serie, Wechselrichter, Halbbrücke / Vollbrücke Schaltkreis Anwendungen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Hochspannungs-MOSFET

Bei XYZ verstehen wir, wie wichtig es ist, dass Ihre Hochspannungs-MOSFETs reibungslos laufen. Deshalb bieten wir umfassenden technischen Support und Service für unsere Kunden.Unser Team aus erfahrenen Ingenieuren und Technikern ist bestrebt, Ihnen den bestmöglichen Service zu bieten..

Wir bieten ein breites Spektrum an technischen Dienstleistungen an, darunter:

  • Fehlerbehebung und Diagnose
  • Software- und Firmware-Updates
  • Reparatur und Ersatz von Hardware
  • Installations- und Konfigurationshilfe
  • Systemoptimierung und Leistungsausrichtung

Wir bieten auch umfassende Dokumentation und technische Handbücher, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihren Hochspannungs-MOSFETs herauszuholen.Unser Team ist 24/7 zur Verfügung, um Ihre Anfragen zu beantworten..

 

Verpackung und Versand:

Hochspannungs-MOSFET-Produktverpackung und Versand

Das Hochspannungs-MOSFET-Produkt wird in einem antistatischen Beutel verpackt und versandt, der das Produkt vor möglichen elektrostatischen Entladungen schützt.Es wird dann in eine Box mit Polstermaterial gelegtDie Packung wird dann versiegelt und mit den Produktinformationen gekennzeichnet.Das Produkt ist dann bereit zum Versand an den Bestimmungsort.

 

Häufige Fragen:

Frage und Antwort: Hochspannungs-MOSFET

F1: Welcher Markenname trägt das Hochspannungs-MOSFET?

A1: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo liegt der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET?

A2: Der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, CN.

F3: Wie erhält man den Preis für Hochspannungs-MOSFET?

A3: Der Preis für Hochspannungs-MOSFET wird je nach Produkt bestätigt.

F4: Welche Verpackungsdetails hat das Hochspannungs-MOSFET?

A4: Das Hochspannungs-MOSFET ist staub-, wasser- und antistatisch gepackt und in Kartons in einer Kartonpackung aufbewahrt.

F5: Wie lange dauert die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).

F6: Wie sind die Zahlungsbedingungen für Hochspannungs-MOSFET?

A6: Die Zahlungsbedingungen für Hochspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).

F7: Was ist die Versorgungsfähigkeit von Hochspannungs-MOSFET?

A7: Die Versorgungsfähigkeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.