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고전압 시크 모스페트, 다목적 N 채널 페트 트랜지스터
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x제품 상세 정보
| 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 | 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등 | 방열 | 뛰어난 열 방출 |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET | 장점 | 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다. |
| Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 | 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등 | 제품 이름 | 고전압 MOSFET |
| 저항 | 낮은 온 저항 | 전압 정격 | 고전압/초고압 |
| 강조하다 | 고전압 시크 모스페트,N 채널 고전압 Sic Mosfet,다목적 N 채널 Fet 트랜지스터 |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
제품 설명
제품 설명:
고전압 MOS 게이트 트랜지스터 (High Voltage MOS-Gate Transistor) 는 일반적으로 고전압 FET로 알려진 고전압 애플리케이션에 사용하도록 설계된 반도체 장치의 일종이다.이 장치는 강력한 성능과 광범위한 응용 프로그램으로 인해 인기를 얻고 있습니다그것은 높은 온도에서 우수한 특성을 제공하며 임베디드 FRD, 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로,스마트 미터와 같은 초고전압 애플리케이션, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치 및 전기 전력 시스템.
High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliability높은 전압 / 초고 전압 등급으로이 장치는 가장 어려운 조건에 쉽게 견딜 수 있으며 고급 애플리케이션에서 사용하기에 이상적입니다.
고전압 MOSFET는 사용자에게 높은 전압 애플리케이션에 대한 신뢰할 수 있고 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다. 이 장치는 뛰어난 성능과 장기적인 신뢰성을 제공할 수 있습니다.그것은 광범위한 응용 프로그램에 대한 이상적인 선택으로.
기술 매개 변수:
| 기술 | 고전압 MOSFET |
|---|---|
| 저항력 | 낮은 전원 저항 |
| 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 | 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등 |
| 열 분산 | 큰 열 분산 |
| 초고압 MOSFET 적용 | 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등 |
| 전압 등급 | 고전압/극대고전압 |
| 누출 | 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다. |
| 장점 | 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성. |
| 제품 이름 | 고전압 MOSFET |
| 종류 | N |
응용 프로그램:
내장된 FRD 고전압 MOSFET
REASUNOS는 스위치 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 제공하는 고전압 MOS 게이트 트랜지스터의 대표 브랜드입니다.고전압 등급이 있습니다., 낮은 누출, 높은 온도에서 우수한 특성. 그것은 새로운 측면 변수 도핑 기술과 특별한 전력 MOS 구조로 만들어 LED 드라이버, 어댑터,산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
제품 사양
- 브랜드 이름: REASUNOS
- 원산지: 광둥, 중국
- 가격: 제품 기준으로 확인된 가격
- 포장 세부 사항: 먼지, 물, 반 정적 인 유관형 포장, 고리 박스 안 에 포장
- 배송시간: 2~30일 (총량에 따라)
- 결제 조건: 100% T/T 사전 (EXW)
- 공급 능력: 5KK/개월
- 종류: N
- 전압 등급: 고전압/우상고전압
- HV 모스페트 응용: LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위치 전원 공급, 인버터 등
- 누출: 낮은 누출은 1 μ A 이하로 도달 할 수 있습니다.
- 장점: 새로운 변변성 후방 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
지원 및 서비스:
고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스
우리는 우리의 고전압 MOSFET 제품에 대한 기술 지원과 서비스를 제공합니다. 경험 많은 전문가의 팀은 우리의 제품에 관한 모든 질문에 도움을 줄 수 있습니다.우리의 기술 지원 직원은 제품 선택에 도움을 줄 수 있습니다., 설치, 운영, 문제 해결 및 수리. 우리는 또한 사용자 지정 디자인, 프로토타입 제작 및 제품 테스트와 같은 광범위한 서비스를 제공합니다.
우리 기술 지원 팀은 최고 수준의 고객 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 우리는 가능한 한 빨리 고객 문의에 응답하고 가능한 최고의 솔루션을 제공하기 위해 노력합니다.우리 팀은 전화로 연락할 수 있습니다., 이메일, 온라인 채팅
또한 상세한 제품 문서 및 설명서, 온라인 교육 및 워크숍을 제공합니다. 추가 도움이 필요한 경우 전문가 팀은 귀하의 질문에 답변 할 수 있습니다.우리의 고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스에 대해 더 많은 것을 배우기 위해 오늘 저희에게 연락.
포장 및 운송:
고전압 MOSFET 포장 및 운송
고전압 MOSFET는 민감한 장치이며 작동 상태로 도착하는지 확인하기 위해 적절하게 포장하고 배송해야합니다.
- MOSFET는 정적 물질이 없는 포장재로 포장되어야 합니다.
- 패키지에는 제품의 민감성에 대한 경고가 표시되어야 합니다.
- 패키지는 신뢰할 수 있는 운송 방법을 사용하여 배송되어야 합니다.
- 패키지는 추적하고 보험에 가입해야 합니다.
- 패키지는 시원하고 건조한 곳에 보관해야 합니다.
FAQ:
Q1: 고전압 MOSFET는 무엇입니까?
A1: 고전압 MOSFET는 수백 볼트까지의 높은 전압을 처리하도록 설계된 격리 게이트 필드 효과 트랜지스터 (IGFET) 입니다.그것은 전력 증폭과 같은 응용 프로그램에 사용됩니다, 모터 제어, 낮은 소음 증폭기 및 다른 고전압 스위치 응용 프로그램.
Q2: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A2: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q3: 고전압 MOSFET의 원산지는 어디입니까?
A3: 고전압 MOSFET의 원산지는 중국 광둥입니다.
Q4: 고전압 MOSFET의 패키지는 무엇입니까?
A4: 고전압 MOSFET의 포장지는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장지이며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
Q5: 고전압 MOSFET의 배송 시간은 얼마나 되나요?
A5: 고전압 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 따라 2~30일입니다.
