गर्मी प्रतिरोधी उच्च वोल्टेज Sic Mosfet, बहुउद्देश्यीय N चैनल Fet ट्रांजिस्टर

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। ताप लोपन महान ताप अपव्यय
तकनीकी MOSFET लाभ नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि। उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
प्रतिरोध कम प्रतिरोध वेल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज
प्रमुखता देना

गर्मी प्रतिरोधी उच्च वोल्टेज Sic Mosfet

,

एन चैनल हाई वोल्टेज Sic Mosfet

,

बहुउद्देश्यीय एन चैनल फेट ट्रांजिस्टर

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

उत्पाद का वर्णन:

हाई वोल्टेज एमओएस-गेट ट्रांजिस्टर, जिसे आमतौर पर हाई वोल्टेज एफईटी के रूप में जाना जाता है, एक प्रकार का अर्धचालक उपकरण है जिसे उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए डिज़ाइन किया गया है।यह उपकरण अपने मजबूत प्रदर्शन और अनुप्रयोगों की विस्तृत श्रृंखला के कारण लोकप्रियता प्राप्त कर रहा हैयह उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं प्रदान करता है और एम्बेडेड एफआरडी, मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट में उपयोग के लिए बेहद उपयुक्त है।और अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों जैसे स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली की आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली की आपूर्ति, और विद्युत ऊर्जा प्रणाली।

High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliabilityअपने उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज रेटिंग के साथ, यह उपकरण आसानी से सबसे कठिन परिस्थितियों का सामना कर सकता है और उच्च अंत अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए आदर्श है।

उच्च वोल्टेज MOSFET उपयोगकर्ताओं को अपने उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय, लागत प्रभावी समाधान प्रदान करते हैं। यह उपकरण उत्कृष्ट प्रदर्शन और दीर्घकालिक विश्वसनीयता प्रदान करने में सक्षम है,यह अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए एक आदर्श विकल्प बना.

 

तकनीकी मापदंडः

प्रौद्योगिकी उच्च वोल्टेज MOSFET
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
रिसाव कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
प्रकार एन
 

अनुप्रयोग:

एम्बेडेड एफआरडी हाई वोल्टेज एमओएसएफईटी

REASUNOS उच्च वोल्टेज MOS-गेट ट्रांजिस्टर का एक अग्रणी ब्रांड है जो स्विचिंग अनुप्रयोगों में बेहतर प्रदर्शन प्रदान करता है।एक उच्च वोल्टेज रेटिंग है, कम रिसाव, और उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताओं। यह एक नई पार्श्व चर डोपिंग प्रौद्योगिकी और विशेष शक्ति एमओएस संरचना से बना है, जो इसे एलईडी ड्राइवरों, एडाप्टरों,औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाईइन्वर्टर आदि

उत्पाद विनिर्देश
  • ब्रांड नामः REASUNOS
  • उत्पत्ति स्थान: गुआंग्डोंग, चीन
  • मूल्यः उत्पाद के आधार पर मूल्य की पुष्टि करें
  • पैकेजिंग विवरण: धूल, पानी और अस्थिरता के प्रतिरोधी नलिका पैकेजिंग
  • वितरण समयः 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
  • भुगतान की शर्तेंः अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
  • आपूर्ति क्षमताः 5KK/माह
  • प्रकारः N
  • वोल्टेज रेटिंगः उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
  • एचवी मोस्फेट अनुप्रयोगः एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि
  • रिसावः कम रिसाव 1 μ A से कम तक पहुंच सकता है
  • फायदे: नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम अपने उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करते हैं। अनुभवी पेशेवरों की हमारी टीम हमारे उत्पादों के बारे में आपके किसी भी प्रश्न के साथ आपकी सहायता करने के लिए उपलब्ध है।हमारे तकनीकी सहायता कर्मचारी उत्पाद चयन के साथ सहायता प्रदान कर सकते हैंहम कस्टम डिजाइन, प्रोटोटाइपिंग और उत्पाद परीक्षण जैसी सेवाओं की एक विस्तृत श्रृंखला भी प्रदान करते हैं।

हमारी तकनीकी सहायता टीम उच्चतम स्तर की ग्राहक सेवा प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध है। हम ग्राहकों की पूछताछ का यथाशीघ्र जवाब देने और सर्वोत्तम संभव समाधान प्रदान करने का प्रयास करते हैं।हमारी टीम फोन पर उपलब्ध है, ईमेल, और ऑनलाइन चैट।

हम विस्तृत उत्पाद प्रलेखन और मैनुअल, साथ ही ऑनलाइन प्रशिक्षण और कार्यशालाएं भी प्रदान करते हैं। यदि आपको आगे की सहायता की आवश्यकता है, तो हमारे विशेषज्ञों की टीम आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है।हमारे उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा के बारे में अधिक जानने के लिए आज ही हमसे संपर्क करें.

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी पैकेजिंग और शिपिंग

उच्च वोल्टेज MOSFET संवेदनशील उपकरण हैं और यह सुनिश्चित करने के लिए उन्हें उचित पैकेज और शिप किया जाना चाहिए कि वे काम करने की स्थिति में पहुंचें।

  • एमओएसएफईटी को स्थिर मुक्त पैकेजिंग सामग्री में लपेटा जाना चाहिए।
  • पैकेजिंग पर उत्पाद की संवेदनशीलता के बारे में चेतावनी दी जानी चाहिए।
  • पैकेज को एक विश्वसनीय शिपिंग विधि का उपयोग करके भेज दिया जाना चाहिए।
  • पैकेज को ट्रैक और बीमा किया जाना चाहिए।
  • पैकेज को ठंडी, सूखी जगह पर रखा जाना चाहिए।
 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न 1: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी क्या है?

A1: हाई वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का आइसोलेटेड-गेट फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (IGFET) है जिसे सैकड़ों वोल्ट तक के उच्च वोल्टेज को संभालने के लिए डिज़ाइन किया गया है।इसका उपयोग बिजली प्रवर्धन जैसे अनुप्रयोगों के लिए किया जाता है, मोटर नियंत्रण, कम शोर एम्पलीफायर, और अन्य उच्च वोल्टेज स्विचिंग अनुप्रयोग।

प्रश्न 2: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?

A2: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q3: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?

A3: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।

Q4: उच्च वोल्टेज MOSFET की पैकेजिंग क्या है?

A4: हाई वोल्टेज MOSFET की पैकेजिंग धूल, पानी और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखी गई है।

Q5: उच्च वोल्टेज MOSFET का वितरण समय कितना है?

A5: उच्च वोल्टेज MOSFET की डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।

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