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Stabiler Wechselrichter Hochspannungs-MOSFET-Transistor
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung | Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
|---|---|---|---|
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET | Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
| Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen | Technologie | MOSFET |
| Wärmeableitung | Große Wärmeableitung | Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand |
| Hervorheben | Stabiles Hochspannungs-MOSFET,MOSFET-Inverter mit hoher Spannung,Multifunktioneller Hochspannungs-MOSFET-Transistor |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Das Hochspannungs-MOSFET ist ein Ultra-hv-MOSFET, eine Art Hochspannungs-MOSFET-Transistor, der eine hervorragende Leistung in Bezug auf Wärmeabbau und geringen Widerstand bietet.Es ist mit fortschrittlichen Funktionen wie der neuen Lateral Variable Doping Technologie ausgestattet., Spezielle Leistung MOS-Struktur und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen, so dass eine überlegene Leistung gegenüber dem herkömmlichen Hochspannungs-MOSFET.
Das Hochspannungs-MOSFET ist aufgrund seiner einzigartigen Kombination von Funktionen die perfekte Wahl für Anwendungen wie Motorreihe, Wechselrichter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltungsanwendungen usw.Es hat eine große Wärmeabbaufähigkeit und geringen Widerstand, so dass es eine ideale Wahl für Hochspannungsanwendungen ist.Dank seiner neuen seitlichen variablen Doping-Technologie und der speziellen Leistungsstruktur von MOS.
Zusammenfassend ist das Hochspannungs-MOSFET aufgrund seiner einzigartigen Kombination von Funktionen eine ausgezeichnete Wahl für Hochspannungsanwendungen.und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen, ist das Hochspannungs-MOSFET die perfekte Wahl für Motorserien, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Technische Parameter:
| Parameter | Beschreibung |
|---|---|
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
| Anwendung von HV MOSFET | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
| Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μA erreichen |
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
| Technologie | MOSFET |
Anwendungen:
REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist speziell für Hochspannungs-Anwendungen entwickelt und unterstützt Hochspannung bis zu Ultra-Hochspannung.weniger als 1 μADieses HV-MOSFET ist ideal für eingebettete Anwendungen, da es eine hohe Dichte an Integration und eine große Auswahl an Paketen bietet.Es ist eine kostengünstige Lösung für Anwendungen wie Hochspannungs-Gleichspannungs-Gleichspannungsumrichter, Stromversorgung, Motorantrieb und Solarumrichter.
REASUNOS High Voltage Power MOSFET ist das ideale Produkt für diejenigen, die eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für ihre Anwendungen benötigen.für verschiedene Anwendungen geeignetEs bietet außerdem eine hervorragende Schaltleistung und einen geringen Stromverlust, was es zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen macht, die eine hohe Energieeffizienz erfordern.
REASUNOS Embedded FRD HV MOSFET ist die perfekte Wahl für eingebettete Anwendungen.Dieses HV-MOSFET ist ideal für Anwendungen wie Hochspannungs-Gleichspannungs-Gleichspannungs-WandlerEs verfügt über einen breiten Betriebstemperaturbereich und eine ausgezeichnete thermische Stabilität.Es ist auch kostengünstig und hat eine hohe Zuverlässigkeit, so dass es eine ausgezeichnete Wahl für Hochspannungs-Anwendungen ist.
REASUNOS Hochspannungs-MOSFET wird zu wettbewerbsfähigen Preisen mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen angeboten, die in einer Kartonschachtel in Kartons gepackt sind.je nach Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET
Um sicherzustellen, dass Sie das Beste aus Ihrem Produkt herausholen, bieten wir technische Unterstützung und Service.
Unser technisches Support-Team steht Ihnen jederzeit zur Verfügung, wenn Sie Fragen haben.Wir bieten auch Online-Tutorials und Anleitungen, um Ihnen zu helfen, schnell loszulegen.
Wir bieten auch eine Reihe von Dienstleistungen an, um Ihnen zu helfen, Ihr Produkt reibungslos zu betreiben.sowie Upgrades und Verbesserungen, um sicherzustellen, dass Ihr Produkt optimal läuft.
Wenn Sie jemals Probleme mit Ihrem Hochspannungs-MOSFET haben, zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren.
Verpackung und Versand:
Hochspannungs-MOSFET-Produkte müssen ordnungsgemäß verpackt und versandt werden, um sicherzustellen, dass die Produkte während des Transports sicher und funktionsfähig bleiben.Alle Produkte werden in einer Blasenfolie verpackt und in eine Kartonbox gelegt.Die Box wird dann mit Klebeband versiegelt und mit dem Namen, der Adresse und anderen relevanten Informationen des Kunden gekennzeichnet.Der Kunde ist für alle zusätzlichen Versandkosten für seine Hochspannungs-MOSFET-Produkte verantwortlich.
Häufige Fragen:
F1: Was ist ein Hochspannungs-MOSFET?
A1: Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art Feldwirkungstransistor (FET), der in der Lage ist, mit hoher Spannung zu arbeiten.Es ist ein elektrischer Schalter, mit dem der Stromfluss in einem Stromkreis gesteuert werden kann.
F2: Welcher Markenname trägt das Hochspannungs-MOSFET?
A2: Das Hochspannungs-MOSFET wird von REASUNOS hergestellt.
F3: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
A3: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F4: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?
A4: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET wird vom Produkt bestimmt. Bitte kontaktieren Sie den Lieferanten für den spezifischen Preis.
F5: Wie wird das Hochspannungs-MOSFET verpackt?
A5: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
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