Heatproof tegangan tinggi Sic Mosfet, Multipurpose N Channel Fet Transistor
Tempat asal | Guangdong, CN |
---|---|
Nama merek | REASUNOS |
Harga | Confirm price based on product |
Kemasan rincian | Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da |
Waktu pengiriman | 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total) |
Syarat-syarat pembayaran | 100% T/T di Muka (EXW) |
Menyediakan kemampuan | 5KK/bulan |

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.
Ada apa:0086 18588475571
Wechat wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.
xAplikasi MOSFET FRD HV Tertanam | Seri Motor, Inverter, Aplikasi Rangkaian Setengah Jembatan/Jembatan Penuh, Dll. | Disipasi panas | Pembuangan Panas yang Hebat |
---|---|---|---|
Teknologi | MOSFET | Keuntungan | Teknologi Doping Variabel Lateral Baru, Struktur MOS Daya Khusus, Karakteristik Luar Biasa Dalam Suh |
Aplikasi MOSFET Ultra-HV | Smart Meter, Catu Daya Kabinet, Catu Daya Pengalih Industri, Sistem Tenaga Listrik, dll. | Nama produk | MOSFET Tegangan Tinggi |
Perlawanan | Resistansi Rendah | Peringkat tegangan | Tegangan Tinggi/Tegangan Sangat Tinggi |
Menyoroti | Kepanasan Tinggi Sic Mosfet,N Saluran Tegangan Tinggi Sic Mosfet,Multipurpose N Channel Fet Transistor |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Deskripsi produk:
High Voltage MOS-Gate Transistor, biasa dikenal sebagai High Voltage FET, adalah jenis perangkat semikonduktor yang dirancang untuk digunakan dalam aplikasi tegangan tinggi.Perangkat ini telah mendapatkan popularitas karena kinerja yang kuat dan berbagai aplikasiHal ini menawarkan karakteristik yang sangat baik dalam suhu tinggi dan sangat cocok untuk digunakan dalam FRD tertanam, seri motor, inverter, setengah jembatan / full bridge sirkuit,dan aplikasi tegangan ultra-tinggi seperti meter pintar, sumber daya kabinet, sumber daya industri, dan sistem listrik.
High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliabilityDengan tegangan tinggi / ultra-tinggi tegangan rating, perangkat ini dapat dengan mudah menahan kondisi yang paling sulit dan sangat ideal untuk digunakan dalam aplikasi high-end.
MOSFET Tegangan Tinggi menawarkan pengguna solusi yang andal dan hemat biaya untuk aplikasi tegangan tinggi mereka.menjadikannya pilihan yang ideal untuk berbagai aplikasi.
Parameter teknis:
Teknologi | MOSFET Tegangan Tinggi |
---|---|
Resistensi | Rintangan rendah |
Aplikasi MOSFET FRD HV yang tertanam | Motor Series, Inverter, Half Bridge/full Bridge Circuit Aplikasi, dll. |
Penyebaran Panas | Penyebaran Panas yang Besar |
Aplikasi MOSFET Ultra-HV | Smart Meter, Cabinet Power Supply, Industrial Switching Power Supply, Sistem Tenaga Listrik, dll. |
Nomor tegangan | Tegangan Tinggi/Tegangan Ultra Tinggi |
Kebocoran | Kebocoran rendah dapat mencapai kurang dari 1 μ A |
Keuntungan | Teknologi doping variabel lateral baru, struktur MOS kekuatan khusus, karakteristik yang sangat baik dalam suhu tinggi. |
Nama produk | MOSFET Tegangan Tinggi |
Jenis | N |
Aplikasi:
REASUNOS adalah merek terkemuka transistor gerbang MOS tegangan tinggi yang menawarkan kinerja unggul dalam aplikasi switching.memiliki nilai tegangan tinggi, kebocoran rendah, dan karakteristik yang sangat baik dalam suhu tinggi.Sumber daya listrik industri, inverter, dll.
- Nama merek: REASUNOS
- Tempat Asal: Guangdong, Cina
- Harga: Konfirmasi harga berdasarkan produk
- Rincian kemasan: Kemasan tabung tahan debu, tahan air, dan anti-statis, diletakkan di dalam kotak karton dalam karton
- Waktu Pengiriman: 2-30 hari (Tergantung pada Jumlah Total)
- Syarat pembayaran: 100% T/T di muka ((EXW)
- Kemampuan Penyediaan: 5KK/bulan
- Jenis: N
- Nomor tegangan: Tegangan tinggi/Tegangan ultra tinggi
- Aplikasi HV Mosfet: Driver LED, Adaptor, Sumber Daya Pergantian Industri, Inverter dll
- Kebocoran: Kebocoran rendah dapat mencapai kurang dari 1 μ A
- Keuntungan: Teknologi doping variabel lateral baru, struktur MOS kekuatan khusus, karakteristik yang sangat baik dalam suhu tinggi.
Dukungan dan Layanan:
Kami menyediakan dukungan teknis dan layanan untuk produk MOSFET Tegangan Tinggi kami. Tim profesional kami yang berpengalaman tersedia untuk membantu Anda dengan pertanyaan yang mungkin Anda miliki mengenai produk kami.Staf dukungan teknis kami dapat menawarkan bantuan dengan pemilihan produkKami juga menawarkan berbagai layanan seperti desain kustom, pembuatan prototipe, dan pengujian produk.
Tim dukungan teknis kami berkomitmen untuk memberikan layanan pelanggan tingkat tertinggi. Kami berusaha untuk menanggapi pertanyaan pelanggan secepat mungkin dan memberikan solusi terbaik.Tim kami tersedia melalui telepon., email, dan chatting online.
Kami juga menyediakan dokumentasi dan manual produk yang terperinci, serta pelatihan dan lokakarya online. Jika Anda membutuhkan bantuan lebih lanjut, tim ahli kami tersedia untuk menjawab pertanyaan yang mungkin Anda miliki.Hubungi kami hari ini untuk mempelajari lebih lanjut tentang dukungan teknis dan layanan MOSFET Tegangan Tinggi kami.
Kemasan dan Pengiriman:
Kemasan dan Pengiriman MOSFET Tegangan Tinggi
MOSFET Tegangan Tinggi adalah perangkat yang sensitif dan harus dikemas dan dikirim dengan benar untuk memastikan bahwa mereka tiba dalam kondisi kerja.
- MOSFET harus dibungkus dengan bahan kemasan bebas statis.
- Kemasan harus diberi label dengan peringatan tentang sensitivitas produk.
- Paket harus dikirim menggunakan metode pengiriman yang dapat diandalkan.
- Paketnya harus dilacak dan diasuransikan.
- Paket harus disimpan di tempat yang dingin dan kering.
FAQ:
A1: MOSFET Tegangan Tinggi adalah jenis transistor efek medan gerbang terisolasi (IGFET) yang dirancang untuk menangani tegangan yang lebih tinggi, hingga ratusan volt.Ini digunakan untuk aplikasi seperti amplifikasi daya, kontrol motor, penguat suara rendah, dan aplikasi switching tegangan tinggi lainnya.
A2: Nama merek MOSFET Tegangan Tinggi adalah REASUNOS.
A3: Tempat asal MOSFET Tegangan Tinggi adalah Guangdong, Cina.
A4: Kemasan MOSFET Tegangan Tinggi adalah kemasan tabung tahan debu, tahan air, dan anti-statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.
A5: Waktu pengiriman MOSFET Tegangan Tinggi adalah 2-30 hari, tergantung pada jumlah total.