Wärmeabbau Hochspannungs-MOSFET für intelligente Messgeräte

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen
Technologie MOSFET Typ N
Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Hervorheben

Wärmeabbau Hochspannungs-MOSFET

,

Hochspannungs-MOSFET

,

Smart Meter Hochspannungs-MOS

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Hochspannungs-MOS-Gate-Transistoren (HV-FETs) sind Geräte, die bei Hochspannungsanwendungen eine hervorragende Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit bieten.Sie verfügen über eine neue seitliche variable Doping-Technologie und eine spezielle Leistungsstruktur MOSBeispiele für Anwendungen sind intelligente Zähler, Schranken-Stromversorgungen, industrielle Schaltnetzteile und elektrische Stromversorgungssysteme.

HV-FETs sind so konzipiert, dass sie schnell Wärme ablassen und eine hohe Wärmeabgabe ermöglichen.

Hochspannungs-MOS-Gate-Transistoren bieten eine überlegene Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen.Spezielle Leistung MOS-Struktur und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenMit einer hohen Wärmeabgabe sind sie die perfekte Wahl für Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung und elektrische Stromversorgung.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Technologie
Hochspannungs-MOSFET MOSFET
Typ Nennspannung
N Hochspannung/Ultrahochspannung
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung
Smart Meter, Kabinetten-Stromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Leckage Widerstand
Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen Niedriger Einsatzwiderstand
Wärmeabbau Vorteile
Große Wärmeverteilung Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
 

Anwendungen:

REASUNOS Embedded FRD High Voltage MOSFET ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine hervorragende Leistung in Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.es ist eine ideale Wahl für intelligente Zähler, Schranken, Industrie-Schaltnetzteile und elektrische Stromversorgungssysteme.und sein geringer Einschaltwiderstand sorgt für einen ausgezeichneten StromflussDas Produkt besteht aus hochwertigen Komponenten und kann bei bis zu ultrahohen Spannungen arbeiten.in einer Kartonscheibe in KartonschichtenDer Preis wird auf der Grundlage der Produktart und Menge bestätigt, und die Lieferzeit beträgt je nach Gesamtmenge 2-30 Tage. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW),und die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Hochspannungs-MOSFET bietet eine Vielzahl von technischen Unterstützung und Dienstleistungen, um die Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen.Unser Support-Team ist 24/7 zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten und Lösungen für die Probleme unserer Kunden zu bietenWir bieten eine Vielzahl von Unterstützungsmöglichkeiten an, wie zum Beispiel:

  • Live-Chat mit unserem Kundendienst
  • Telefonische Unterstützung
  • Unterstützung per E-Mail
  • Anleitungen zur Fehlerbehebung
  • Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Wir bieten auch technische Schulungen und Seminare an, um unseren Kunden zu helfen, das Beste aus ihren Hochspannungs-MOSFET-Produkten herauszuholen.Unser technisches Support-Team ist bereit, Ihnen bei Fragen oder Problemen zu helfen..

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET

Hochspannungs-MOSFET-Produkte sollten in ihrer Originalverpackung, die einen thermisch isolierten Behälter enthält, gelagert und versandt werden, um sie vor Schäden zu schützen.Der Behälter sollte auch mit einer Abdeckung oder einem Deckel versehen sein, um ihn vor äußeren Elementen zu schützen.

Der Behälter sollte in einen sicheren Behälter mit geeignetem Polstermaterial und mit Schutzmaterialien umgeben werden, um Schäden während des Transports zu minimieren.Es ist außerdem wichtig, den Behälter ordnungsgemäß mit dem Produktnamen und dem Barcode zu kennzeichnen.

Für die internationale Beförderung ist es wichtig sicherzustellen, dass der Container ordnungsgemäß verpackt und gemäß den Vorschriften der International Maritime Dangerous Goods (IMDG) gekennzeichnet ist.

 

Häufige Fragen:

Hochspannungs-MOSFET
F1: Was ist der Markenname?
A1: Die Marke ist REASUNOS.
F2: Wo liegt der Ursprungsort?
A2: Herkunftsort ist Guangdong, CN.
F3: Was ist der Preis?
A3: Der Preis ist auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
F4: Was sind die Verpackungsdaten?
A4: Die Verpackungsdetails sind staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt werden.
F5: Wie ist die Lieferzeit?
A5: Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).
F6: Was sind die Zahlungsbedingungen?
A6: Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
F7: Was ist die Versorgungsfähigkeit?
A7: Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat.