Mehrzweck-Hochspannungs-MOSFET-Wärmediszipierung für LED-Treiber

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET Wärmeableitung Große Wärmeableitung
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw.
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
Hervorheben

Mehrzweck-Hochspannungs-Mosfet

,

Hochspannungs-MOSFET-Wärmeverteilung

,

LED-Treiber Hochspannung Fet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Die Einführung des Hochspannungs-MOSFETs - ein eingebettetes FRD HV-MOSFET mit niedrigem Widerstand und hoher Spannung/ultrahoher Spannung.Diese Ultra-Hochspannungs-MOSFET ist perfekt für Anwendungen, die hohe Spannung oder Ultra-hohe Spannung Leistung erfordern. Sein geringer Einschaltwiderstand sorgt für hohe Effizienz und geringen Stromverlust. Dieses N-MOSFET ist die perfekte Wahl für jede Hochspannung oder Ultra-Hochspannungsanwendung.Das Hochspannungs-MOSFET ist die perfekte Wahl für jede Anwendung, die Ultra-HV-MOSFET-Leistung erfordert.

 

Technische Parameter:

Eigenschaft Beschreibung
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Typ N
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Technologie MOSFET
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
 

Anwendungen:

Hochspannungs-MOSFET-Transistor

Der REASUNOS Hochspannungs-MOSFET-Transistor ist eine perfekte Wahl für eingebettete FRD-HV-MOSFET-Anwendungen.und eine hohe Wärmeabgabe sorgt für eine zuverlässige LeistungEs kann auf LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. angewendet werden.

Das Produkt von REASUNOS ist preisgünstig und kommt mit staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung, die in eine Kartonbox in Kartons gelegt wird.Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.. Zahlungsbedingungen sind 100% T / T im Voraus ((EXW). Die Versorgungsfähigkeit ist 5KK / Monat.

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Wir verpflichten uns, umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte bereitzustellen.Unser Kundenservice steht Ihnen zur Verfügung, um Ihre Fragen zu beantworten und Ihnen Rat und Hilfe zu geben..

Wir bieten eine Reihe von Dienstleistungen an, darunter:

  • Technische Beratung und Fehlerbehebung
  • Unterstützung bei der Produktauswahl und -gestaltung
  • Reparatur und Austausch von defekten Teilen
  • Software- und Firmware-Updates
  • Schulungs- und Bildungsmaterial

Wir sind bestrebt, einen hervorragenden Kundenservice zu bieten und sicherzustellen, dass unsere Kunden die bestmögliche Erfahrung mit unseren Produkten haben.

 

Verpackung und Versand:

 

Verpackung und Versand

Hochspannungs-MOSFETs werden in verschlossenen elektrostatischen Entladungs- (ESD) -Sicherheitsschläuchen geliefert, die ideal für Oberflächenanwendungen geeignet sind.,Rohre können auch mit Produktidentifikations- und Zertifizierungsinformationen versehen sein.

Das Produkt wird in einer starren Verpackung geliefert, um Schäden während des Transports zu vermeiden.Alle Versandmaterialien sind so konzipiert, dass das Produkt in unberührtem Zustand geliefert wird.

 

Häufige Fragen:

 

Fragen und Antworten

F1: Wie heißt der Markenname von Hochspannungs-MOSFET?
A1: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo wird das Produkt hergestellt?
A2: Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie viel kostet ein Hochspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis für Hochspannungs-MOSFET basiert auf dem Produkt. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

F4: Welche Art von Verpackung wird für Hochspannungs-MOSFET verwendet?
A4: Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.

F5: Wie lange dauert die Vorlaufzeit für Hochspannungs-MOSFET?
A5: Die Vorlaufzeit für Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (je nach Gesamtmenge).