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Transistor à haute tension à haute résistance à la chaleur.
| Lieu d'origine | Guangdong, NC |
|---|---|
| Nom de marque | REASUNOS |
| Prix | Confirm price based on product |
| Détails d'emballage | Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte |
| Délai de livraison | 2 à 30 jours (selon la quantité totale) |
| Conditions de paiement | 100% T/T à l'avance |
| Capacité d'approvisionnement | 5KK/mois |
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xDétails sur le produit
| Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD | Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc. | dissipation thermique | Grande dissipation thermique |
|---|---|---|---|
| Technologie | Transistor MOSFET | Avantages | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara |
| Application du transistor MOSFET Ultra-HT | Mètre intelligent, alimentation d'énergie de Cabinet, alimentation d'énergie de changement industrie | Nom du produit | Transistor MOSFET à haute tension |
| Résistance | Basse Sur-résistance | Estimation de tension | Tension à haute tension/ultra-haute |
| Mettre en évidence | L'équipement est équipé d'un moteur de commande à haute tension.,N canaux à haute tension Sic Mosfet,Transistors à N-channel |
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Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Description de produit
Description du produit:
Le transistor MOS-Gate à haute tension, communément appelé FET à haute tension, est un type de dispositif semi-conducteur conçu pour une utilisation dans des applications à haute tension.Cet appareil a gagné en popularité en raison de ses performances élevées et de son large éventail d'applicationsIl offre d'excellentes caractéristiques à haute température et est extrêmement adapté à l'utilisation dans les FRD embarqués, les séries de moteurs, les onduleurs, les circuits à demi-pont/plein pont,et les applications à ultra-haute tension telles que les compteurs intelligents, les appareils électriques, les appareils de commutation industriels et les systèmes électriques.
High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliability. Grâce à sa tension élevée/ultra-haute, cet appareil peut facilement résister aux conditions les plus difficiles et est idéal pour une utilisation dans des applications haut de gamme.
Les MOSFET haute tension offrent aux utilisateurs une solution fiable et rentable pour leurs applications haute tension.ce qui en fait un choix idéal pour un large éventail d'applications.
Paramètres techniques:
| Technologie | MOSFET haute tension |
|---|---|
| Résistance | Faible résistance à l'alimentation |
| Application FRD HV MOSFET intégrée | Série de moteurs, onduleur, demi-pontes/circuits de pont complet, etc. |
| Dissipation de la chaleur | Une grande dissipation de chaleur |
| Application du MOSFET à ultrasons | Les appareils électroménagers doivent être équipés d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, d'un compteur électrique, etc. |
| Rating de la tension | Voltage élevé/ultra-haute |
| Faillite | Une faible fuite peut atteindre moins de 1 μA |
| Les avantages | Nouvelle technologie de dopage variable latérale, structure MOS de puissance spéciale, excellentes caractéristiques à haute température. |
| Nom du produit | MOSFET haute tension |
| Le type | N |
Applications:
MOSFET à haute tension FRD intégré
REASUNOS est une marque de premier plan de transistors MOS-gate haute tension qui offre des performances supérieures dans les applications de commutation.présente une tension nominale élevéeIl est fabriqué à partir d'une nouvelle technologie de dopage variable latérale et d'une structure MOS de puissance spéciale, ce qui le rend adapté pour les conducteurs LED, les adaptateurs,appareils électriques à commutation industrielle, les onduleurs, etc.
Spécifications du produit
- Nom de marque: REASUNOS
- Lieu d'origine: Guangdong, Chine
- Prix: prix confirmé en fonction du produit
- Détails de l'emballage: Emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons
- Délai de livraison: 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
- Conditions de paiement: 100% T/T à l'avance
- Capacité d'approvisionnement: 5KK par mois
- Type: N
- Rating de tension: haute tension/ultra-haute tension
- Applications de l'HV Mosfet: pilote LED, adaptateurs, alimentation électrique par commutation industrielle, onduleurs, etc.
- Fuite: une faible fuite peut atteindre moins de 1 μA
- Avantages: nouvelle technologie de dopage variable latérale, structure MOS de puissance spéciale, excellentes caractéristiques à haute température.
Assistance et services:
Assistance technique et service des MOSFET haute tension
Notre équipe de professionnels expérimentés est disponible pour vous aider avec toutes les questions que vous pourriez avoir concernant nos produits.Notre personnel de support technique peut vous aider à choisir le produit.Nous offrons également une large gamme de services tels que la conception personnalisée, le prototypage et les tests de produits.
Notre équipe de support technique s'engage à fournir le plus haut niveau de service à la clientèle. Nous nous efforçons de répondre aux demandes des clients le plus rapidement possible et de fournir les meilleures solutions possibles.Notre équipe est disponible par téléphone., e-mail, et chat en ligne.
Nous fournissons également une documentation et des manuels détaillés sur les produits, ainsi que des formations et des ateliers en ligne.Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support technique et service MOSFET haute tension.
Emballage et expédition
Emballage et expédition du MOSFET haute tension
Les MOSFET haute tension sont des dispositifs sensibles et doivent être correctement emballés et expédiés afin de s'assurer qu'ils arrivent en état de fonctionnement.
- Les MOSFET doivent être enveloppés dans un matériau d'emballage sans étanchéité.
- L' étiquette de l' emballage doit contenir un avertissement sur la sensibilité du produit.
- Le colis doit être expédié par un moyen de transport fiable.
- Le colis doit être suivi et assuré.
- L' emballage doit être conservé dans un endroit frais et sec.
FAQ:
Q1: Qu'est-ce que le MOSFET haute tension?
A1: Le MOSFET haute tension est un type de transistor à effet de champ à porte isolée (IGFET) conçu pour gérer des tensions plus élevées, jusqu'à des centaines de volts.Il est utilisé pour des applications telles que l'amplification de puissance, contrôle moteur, amplificateurs à faible bruit et autres applications de commutation haute tension.
Q2: Quel est le nom de marque du MOSFET haute tension?
R2: Le nom de marque du MOSFET haute tension est REASUNOS.
Q3: Quel est le lieu d'origine du MOSFET haute tension?
R3: Le lieu d'origine du MOSFET haute tension est le Guangdong, en Chine.
Q4: Quel est l'emballage du MOSFET haute tension?
A4: L'emballage du MOSFET haute tension est un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Quelle est la durée de livraison du MOSFET haute tension?
R5: Le délai de livraison du MOSFET haute tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
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