Все продукты
Термостойкий высоковольтный Сик Мосфет, многоцелевой N-канальный Фет-транзистор
| Место происхождения | Гуандун, CN |
|---|---|
| Фирменное наименование | REASUNOS |
| Цена | Confirm price based on product |
| Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
| Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
| Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
| Поставка способности | 5кк/месяц |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. | тепловыделение | Большее тепловыделение |
|---|---|---|---|
| Технологии | MOSFET | Преимущества | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе |
| Применение MOSFET Ультра-HV | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et | Наименование продукта | Высоковольтный MOSFET |
| Сопротивление | Низкое На-сопротивление | Оценка напряжения тока | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока |
| Выделить | Теплостойкий высоковольтный Сик Мосфет,N канал высоковольтный Сик Мосфет,Многоцелевой N-канальный фет-транзистор |
||
Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Характер продукции
Описание продукта:
Высоковольтный транзистор MOS-Gate, обычно известный как высоковольтный FET, является типом полупроводникового устройства, предназначенного для использования в высоковольтных приложениях.Это устройство набирает популярность благодаря своей высокой производительности и широкому спектру примененийОн обладает отличными характеристиками при высоких температурах и чрезвычайно подходит для использования в встроенных FRD, серии двигателей, инверторах, полумостовых/полных мостовых схемах,и применения сверхвысокого напряжения, такие как умные счетчики, электроснабжения шкафов, промышленных коммутационных источников питания и электроэнергетических систем.
High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliabilityБлагодаря высокому напряжению/ультравысокому напряжению это устройство легко выдерживает самые суровые условия и идеально подходит для использования в высококлассных приложениях.
Высоковольтные MOSFET предлагают пользователям надежное, экономически эффективное решение для их высоковольтных приложений.что делает его идеальным выбором для широкого спектра приложений.
Технические параметры:
| Технологии | MOSFET высокого напряжения |
|---|---|
| Сопротивление | Низкое сопротивление |
| Встроенное приложение FRD HV MOSFET | Моторные серии, инверторы, Half Bridge/Full Bridge Circuit приложения и т.д. |
| Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
| Применение ультра-ВВ MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
| Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
| Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
| Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
| Наименование продукта | MOSFET высокого напряжения |
| Тип | N |
Применение:
Встроенный FRD высоковольтный MOSFET
REASUNOS является ведущим брендом высоковольтных транзисторов MOS-gate, которые предлагают превосходную производительность в коммутационных приложениях.имеет высокое напряжениеИзготовлен из новой технологии латерального переменного допинга и специальной мощности MOS структуры, что делает его подходящим для светодиодных драйверов, адаптеров,промышленных коммутационных источников питания, инверторы и т.д.
Спецификации продукции
- Марка: REASUNOS
- Место происхождения: Гуандун, Китай
- Цена: цена подтверждается на основе продукта
- Упорядоченная упаковка: пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки
- Время доставки: 2-30 дней (зависит от общего количества)
- Условия оплаты: 100% T/T заранее ((EXW)
- Способность к поставкам: 5KK/месяц
- Тип: N
- Напряжение: высокое/ультравысокое
- Применение HV Mosfet: светодиодный драйвер, адаптеры, промышленные коммутационные источники питания, инверторы и т. д.
- Утечка: низкая утечка может достигать менее 1 мкА
- Преимущества: новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS мощности, отличные характеристики при высокой температуре.
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и обслуживание высоковольтных MOSFET
Мы предоставляем техническую поддержку и сервис для наших высоковольтных MOSFET продуктов. Наша команда опытных специалистов доступна, чтобы помочь вам с любыми вопросами, которые у вас могут возникнуть относительно наших продуктов.Наш персонал технической поддержки может помочь с выбором продуктаМы также предлагаем широкий спектр услуг, таких как индивидуальный дизайн, создание прототипов и тестирование продукции.
Наша команда технической поддержки стремится обеспечить высочайший уровень обслуживания клиентов. Мы стремимся как можно быстрее отвечать на запросы клиентов и предоставлять наилучшие возможные решения.Наша команда доступна по телефону., электронной почты и онлайн-чата.
Мы также предоставляем подробную документацию и руководства по продукту, а также онлайн-тренинги и семинары.Свяжитесь с нами сегодня, чтобы узнать больше о нашей высоковольтной MOSFET технической поддержки и обслуживания.
Упаковка и перевозка:
Опаковка и транспортировка высоковольтных MOSFET
Высоковольтные MOSFET являются чувствительными устройствами и должны быть правильно упакованы и отправлены, чтобы гарантировать, что они прибывают в рабочем состоянии.
- MOSFET должны быть упакованы в статичный упаковочный материал.
- На упаковке должно быть указано предупреждение о чувствительности продукта.
- Посылка должна быть отправлена с использованием надежного способа доставки.
- Посылка должна быть отслежена и застрахована.
- Опаковку следует хранить в прохладном, сухом месте.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Что такое высоковольтный MOSFET?
A1: Высоковольтный МОСФЕТ - это тип транзистора с эффектом поля с изоляционными воротами (IGFET), который предназначен для обработки более высоких напряжений, до сотен вольт.Он используется для таких приложений, как усиление мощности, управление двигателями, усилители с низким уровнем шума и другие высоковольтные переключатели.
Вопрос 2: Какое название марки высоковольтного MOSFET?
A2: Торговая марка высоковольтного MOSFET - REASUNOS.
Q3: Где находится место происхождения высоковольтного MOSFET?
A3: Место происхождения высоковольтного MOSFET - Гуандун, Китай.
Вопрос 4: Какова упаковка высоковольтного MOSFET?
A4: Упаковка высоковольтного MOSFET - это пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки.
В5: Сколько времени требуется для доставки высоковольтного MOSFET?
A5: Срок доставки высоковольтного MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.
Порекомендованные продукты
