Tensione elevata Sic Mosfet, transistor Fet multiuso.

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
Applicazione inclusa del MOSFET di alta tensione di FRD Serie del motore, invertitore, mezzo ponte/applicazioni complete del ponte, ecc. dissipazione di calore Grande dissipazione di calore
Tecnologia MOSFET Vantaggi Tecnologia di verniciatura variabile laterale nuova, potere speciale MOS Structure, caratteristiche
Applicazione del MOSFET Ultra-alta tensione Metro astuto, alimentazione elettrica del Governo, alimentazione elettrica di commutazione industria Nome del prodotto MOSFET ad alta tensione
Resistenza Su resistenza bassa Valutazione di tensione Tensione ad alta tensione/ultraelevata
Evidenziare

Sic Mosfet ad alta tensione termo-isolatore

,

N canale Sic Mosfet ad alta tensione

,

Transistor Fet multiuso a canale N

Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto:

L'High Voltage MOS-Gate Transistor, comunemente noto come High Voltage FET, è un tipo di dispositivo semiconduttore progettato per l'uso in applicazioni ad alta tensione.Questo dispositivo sta guadagnando popolarità grazie alle sue prestazioni elevate e alla vasta gamma di applicazioniOffre eccellenti caratteristiche ad alta temperatura ed è estremamente adatto per l'uso in FRD incorporati, serie di motori, inverter, circuiti half bridge/full bridge,e applicazioni ad altissima tensione come i contatori intelligenti, alimentatori per armadi, alimentatori per commutazioni industriali e sistemi di alimentazione elettrica.

High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliability. Con il suo rating di alta tensione/ultra-alta tensione, questo dispositivo può facilmente resistere alle condizioni più difficili ed è ideale per l'uso in applicazioni di fascia alta.

I MOSFET ad alta tensione offrono agli utenti una soluzione affidabile ed economica per le loro applicazioni ad alta tensione.rendendolo una scelta ideale per una vasta gamma di applicazioni.

 

Parametri tecnici:

Tecnologia MOSFET ad alta tensione
Resistenza Bassa resistenza di accensione
Applicazione MOSFET FRD HV incorporata Serie di motori, inverter, applicazioni di circuito a mezzo ponte/pieno ponte, ecc.
Dissipazione del calore Grande dissipazione del calore
Applicazione del MOSFET ad ultrasuoni Misuratore intelligente, alimentatore per gabinetti, alimentatore per commutazioni industriali, sistema di alimentazione elettrica, ecc.
Valore nominale della tensione Alta tensione/ultraalta tensione
Perforazione Le perdite possono raggiungere meno di 1 μA
Vantaggi Nuova tecnologia di doping laterale variabile, Struttura MOS di potenza speciale, eccellenti caratteristiche ad alta temperatura.
Nome del prodotto MOSFET ad alta tensione
Tipo N
 

Applicazioni:

MOSFET ad alta tensione FRD incorporato

REASUNOS è un marchio leader di transistor ad alta tensione MOS-gate che offre prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione.è dotato di un'elevata tensione, a bassa perdita e eccellenti caratteristiche ad alta temperatura. È realizzato con una nuova tecnologia di doping laterale variabile e una struttura MOS speciale di potenza, che lo rende adatto a driver LED, adattatori,alimentatori industriali a commutazione, inverter, ecc.

Specificativi del prodotto
  • Marchio: REASUNOS
  • Luogo di origine: Guangdong, Cina
  • Prezzo: prezzo confermato in base al prodotto
  • Dettagli dell'imballaggio: imballaggio a prova di polvere, impermeabile e antistatico a forma di tubo, inserito in una scatola di cartone in cartone
  • Tempo di consegna: 2-30 giorni (dipende dalla quantità totale)
  • Termini di pagamento: 100% T/T in anticipo (EXW)
  • Capacità di approvvigionamento: 5KK/mese
  • Tipo: N
  • Numero di tensione: Alta tensione/ultraalta tensione
  • Applicazione di HV Mosfet: driver a LED, adattatori, alimentatori industriali, inverter ecc.
  • Fuga: una bassa fuga può raggiungere meno di 1 μA
  • Vantaggi: nuova tecnologia di doping laterale variabile, struttura MOS di potenza speciale, eccellenti caratteristiche ad alta temperatura.
 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET ad alta tensione

Forniamo supporto tecnico e servizio per i nostri prodotti MOSFET ad alta tensione.Il nostro personale di supporto tecnico può offrire assistenza con la selezione del prodottoOffriamo anche una vasta gamma di servizi quali la progettazione personalizzata, la prototipazione e i test dei prodotti.

Il nostro team di supporto tecnico si impegna a fornire il più alto livello di servizio al cliente. Ci sforziamo di rispondere alle richieste dei clienti il più rapidamente possibile e fornire le migliori soluzioni possibili.Il nostro team e' disponibile al telefono., e-mail e chat online.

Se avete bisogno di ulteriore aiuto, il nostro team di esperti è a vostra disposizione per rispondere a qualsiasi domanda.Contattaci oggi per saperne di più sul nostro supporto tecnico e servizio MOSFET ad alta tensione.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET ad alta tensione

I MOSFET ad alta tensione sono dispositivi sensibili e devono essere adeguatamente confezionati e spediti per garantire che arrivino in condizioni di funzionamento.

  • I MOSFET devono essere avvolti in materiale di imballaggio privo di statici.
  • L' imballaggio deve essere etichettato con un avvertimento sulla sensibilità del prodotto.
  • Il pacco deve essere spedito con un metodo di spedizione affidabile.
  • Il pacco deve essere rintracciato e assicurato.
  • La confezione deve essere conservata in un luogo fresco e asciutto.
 

FAQ:

Q1: Cos'è il MOSFET ad alta tensione?

A1: Il MOSFET ad alta tensione è un tipo di transistor a effetto campo a porta isolata (IGFET) progettato per gestire tensioni più elevate, fino a centinaia di volt.Viene utilizzato per applicazioni quali l'amplificazione di potenza, controllo motore, amplificatori a basso rumore e altre applicazioni di commutazione ad alta tensione.

D2: Qual è il marchio del MOSFET ad alta tensione?

R2: Il marchio del MOSFET ad alta tensione è REASUNOS.

Q3: Qual è il luogo di origine del MOSFET ad alta tensione?

A3: Il luogo di origine del MOSFET ad alta tensione è il Guangdong, in Cina.

Q4: Qual è la confezione del MOSFET ad alta tensione?

A4: L'imballaggio del MOSFET ad alta tensione è a prova di polvere, impermeabile e antistatico, in forma tubolare, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

Q5: Quanto tempo dura la consegna del MOSFET ad alta tensione?

R5: Il tempo di consegna del MOSFET ad alta tensione è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.