جميع المنتجات
اتصل شخص : Anita Yin
رقم الهاتف : +86 13712219843
ال WhatsApp : +8613712219843

عازل الحرارة الجهد العالي سيك موسفيت ، متعددة الأغراض N Channel Fet Transistor

  • Heatproof High Voltage SiC Mosfet , Multipurpose N Channel Fet Transistor
مكان المنشأ قوانغدونغ ، CN
اسم العلامة التجارية REASUNOS
الأسعار Confirm price based on product
تفاصيل التغليف عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب
وقت التسليم 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية)
شروط الدفع 100% T/T مقدمًا (EXW)
القدرة على العرض 5 مليون/شهر

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
جزءا لا يتجزأ من تطبيق FRD HV MOSFET سلسلة المحركات، العاكس، تطبيقات دائرة نصف الجسر/الجسر الكامل، إلخ. التشتت الحراري تبديد الحرارة الكبير
تكنولوجيا موسفيت مزايا تقنية المنشطات الجانبية المتغيرة الجديدة، وهيكل MOS ذو القدرة الخاصة، وخصائص ممتازة في درجات الحرارة
تطبيق MOSFET فائق الجهد العداد الذكي، مصدر طاقة الخزانة، مصدر طاقة التحويل الصناعي، نظام الطاقة الكهربائية، إلخ. اسم المنتج موسفيت الجهد العالي
مقاومة مقاومة منخفضة القوة الكهربائية الجهد العالي/الجهد العالي للغاية
إبراز

مكافحة الحرارة الجهد العالي Sic Mosfet,قناة N الجهد العالي Sic Mosfet,ترانزستور فيت متعدد الأغراض

,

N Channel High Voltage Sic Mosfet

,

Multipurpose N Channel Fet Transistor
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
اترك رسالة
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
منتوج وصف

وصف المنتج:

الترانزستور MOS-Gate عالي الجهد ، المعروف عادة باسم High Voltage FET ، هو نوع من أجهزة أشباه الموصلات المصممة للاستخدام في تطبيقات الجهد العالي.هذا الجهاز قد اكتسب شعبية بسبب أدائه القوية ومجموعة واسعة من التطبيقاتيقدم خصائص ممتازة في درجات الحرارة العالية وهو مناسب للغاية للاستخدام في FRD المضمنة، سلسلة المحركات، المحولات، نصف الجسر / دوائر الجسر الكامل،وتطبيقات الجهد العالي للغاية مثل العدادات الذكية، مصادر الطاقة للخزانات، مصادر الطاقة الصناعية للتبديل، وأنظمة الطاقة الكهربائية.

High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliabilityمع تصنيف الجهد العالي / الجهد العالي للغاية ، يمكن لهذا الجهاز أن يتحمل بسهولة أكثر الظروف صعوبة وهو مثالي للاستخدام في التطبيقات الراقية.

توفر MOSFETات الجهد العالي للمستخدمين حلًا موثوقًا وفعالًا من حيث التكلفة لتطبيقات الجهد العالي. هذا الجهاز قادر على توفير أداء ممتاز وموثوقية طويلة الأجل ،مما يجعلها الخيار المثالي لمجموعة واسعة من التطبيقات.

 

المعلمات التقنية:

التكنولوجيا MOSFET عالية الجهد
المقاومة المقاومة المنخفضة
تطبيق FRD HV MOSFET المدمج سلسلة المحركات ، المحولات ، نصف الجسر / تطبيقات الدوائر الكاملة ، الخ.
تبديد الحرارة تبديد الحرارة الكبير
تطبيق MOSFET فوق الصوتي العدادات الذكية ، إمدادات الطاقة للخزانة ، إمدادات الطاقة الصناعية ، نظام الطاقة الكهربائية ، الخ.
تصنيف الجهد الجهد العالي / الجهد العالي للغاية
تسرب تسرب منخفض يمكن أن يصل إلى أقل من 1 ميكرو أيه
المزايا تكنولوجيا الدوبينج المتغيرة الجانبية الجديدة، هيكل MOS خاص القوة، خصائص ممتازة في درجات الحرارة العالية.
اسم المنتج MOSFET عالية الجهد
النوع ن
 

التطبيقات:

مزود FRD MOSFET عالي الجهد

ريسونوس هي العلامة التجارية الرائدة لترانزستورات البوابة عالية الجهد التي تقدم أداءً متفوقًا في تطبيقات التبديل.يحتوي على الجهد العالي، انخفاض التسرب، وخصائص ممتازة في درجة حرارة عالية. وهي مصنوعة من تكنولوجيا التكيف المتغيرة الجانبية الجديدة وهيكل MOS خاصة الطاقة، مما يجعلها مناسبة لسائقات LED،مصادر الطاقة الصناعية للتبديل، المحولات، الخ

مواصفات المنتج
  • اسم العلامة التجارية: REASUNOS
  • مكان المنشأ: قوانغدونغ، الصين
  • السعر: تأكيد السعر على أساس المنتج
  • تفاصيل التعبئة والتغليف: عبوة أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في صناديق الكرتون
  • وقت التسليم: 2-30 يوما (يعتمد على الكمية الكلية)
  • شروط الدفع: 100% T/T مقدماً ((EXW)
  • القدرة على التوريد: 5KK / الشهر
  • النوع: N
  • تصنيف الجهد: الجهد العالي / الجهد العالي للغاية
  • تطبيقات HV Mosfet: محرك LED ، محولات ، مصدر طاقة التبديل الصناعي ، المحولات ، الخ
  • تسرب: تسرب منخفض يمكن أن يصل إلى أقل من 1 μ A
  • المزايا: تكنولوجيا الدوبينج المتغيرة الجانبية الجديدة، بنية MOS القوة الخاصة، خصائص ممتازة في درجة حرارة عالية.
 

الدعم والخدمات:

الدعم التقني وخدمة MOSFET عالية الجهد

نحن نقدم الدعم الفني والخدمة لمنتجاتنا MOSFET الجهد العالي. فريقنا من المهنيين ذوي الخبرة متاح لمساعدتك في أي أسئلة قد يكون لديك فيما يتعلق بمنتجاتنا.يمكن لموظفي الدعم الفني لدينا تقديم المساعدة في اختيار المنتجكما نقدم مجموعة واسعة من الخدمات مثل التصميم المخصص والنموذج الأولي واختبار المنتجات.

يلتزم فريق الدعم الفني بتوفير أعلى مستوى من خدمة العملاء. ونحن نسعى جاهدين للرد على استفسارات العملاء بأسرع وقت ممكن وتوفير أفضل الحلول الممكنة.فريقنا متاح عبر الهاتف، البريد الإلكتروني، والدردشة عبر الإنترنت.

نحن نقدم أيضا وثائق المنتج المفصلة والدليل، فضلا عن التدريب عبر الإنترنت وورش العمل. إذا كنت بحاجة إلى مزيد من المساعدة، فريق خبرائنا متاح للإجابة على أي أسئلة قد يكون لديك.اتصل بنا اليوم لمعرفة المزيد عن الدعم الفني والخدمة MOSFET الجهد العالي لدينا.

 

التعبئة والشحن:

تعبئة و شحن MOSFET عالية الجهد

فموسفيتات الجهد العالي هي أجهزة حساسة ويجب أن تكون معبأة وتشحنها بشكل صحيح لضمان وصولها في حالة عمل.

  • يجب تغليف MOSFETs في مواد التعبئة والتغليف الخالية من الستاتيكية.
  • يجب أن يكون على العبوة تحذير حول حساسية المنتج.
  • يجب شحن الطرد باستخدام طريقة شحن موثوقة.
  • يجب تعقب الطرد والتأمين عليه
  • يجب تخزين العبوة في مكان بارد وجاف.
 

الأسئلة الشائعة:

س1: ما هو MOSFET عالي الجهد؟

A1: MOSFET عالية الجهد هو نوع من ترانزستورات تأثير المجال معزولة البوابة (IGFET) المصممة للتعامل مع الجهد العالي ، حتى مئات الفولت.يستخدم لتطبيقات مثل تضخيم الطاقة، التحكم في المحركات، مكبرات الضوضاء المنخفضة، وتطبيقات التبديل عالية الجهد الأخرى.

س2: ما هو اسم العلامة التجارية لـ High Voltage MOSFET؟

ج2: الاسم التجاري لـ High Voltage MOSFET هو REASUNOS.

السؤال 3: أين هو مكان أصل MOSFET عالية الجهد؟

A3: مكان أصل MOSFET الجهد العالي هو غوانغدونغ ، الصين.

س4: ما هي عبوة MOSFET عالي الجهد؟

A4: تعبئة MOSFET عالية الجهد عبارة عن عبوة أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية ، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.

س5: كم مدة تسليم MOSFET عالي الجهد؟

A5: وقت التسليم من MOSFET الجهد العالي هو 2-30 يوما، اعتمادا على الكمية الكلية.

بطاقة:

موزفيت الطاقة عالية الجهد المستقر,مكافحة الحرارة الجهد العالي Sic Mosfet,الترانزستور الصناعي عالي الجهد

مكافحة الحرارة الجهد العالي Sic Mosfet,قناة N الجهد العالي Sic Mosfet,ترانزستور فيت متعدد الأغراض

Industrial Ultra High Voltage Transistor