N-Kanal Hochspannungs-MOSFET Multifunktion 1uA für Adapter

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Technologie MOSFET Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. Typ N
Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig Wärmeableitung Große Wärmeableitung
Hervorheben

N-Kanal Hochspannungs-MOSFET

,

Hochspannungs-MOSFET Multifunktion

,

Adapter Hochspannung N-Kanal Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Ein Hochspannungs-MOSFET ist ein leistungsstarker MOS-Gate-Transistor, der mit einem FRD HV MOSFET (Feld-Reduced Diffusion High Voltage MOSFET) versehen ist.mit einem Durchmesser von mehr als 20 mm,Dieser Transistor ist mit einer neuen seitlichen variablen Dopingtechnologie und einer speziellen Leistungs-MOS-Struktur ausgestattet, die ihn für verschiedene Anwendungen geeignet macht, die eine hohe Spannung und eine ultrahohe Spannung erfordern.wie zum Beispiel LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile, Wechselrichter usw.

Hochspannungs-MOSFET hat viele Vorteile, wie beispielsweise hervorragende Leistung bei hohen Temperaturen, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen und eine hohe Spannungs-/ultrahohe Spannungsbewertung.Es hat auch einen geringen Widerstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, was es für viele Hochspannungsanwendungen geeignet macht.Die spezielle Leistungs-MOS-Struktur und die seitliche variable Dopingtechnologie sorgen dafür, dass sie hohen Spannungen standhält und viele Jahre lang ohne Abbau verwendet werden kann..

Hochspannungs-MOSFET ist eine ideale Wahl für verschiedene Anwendungen, die hohe Spannung und ultrahohe Spannung erfordern.Es hat hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen und bietet eine hervorragende Leistung bei hohen TemperaturenMit seiner neuen seitlichen variablen Doping-Technologie und der speziellen Leistungs-MOS-Struktur ist es die perfekte Wahl für LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlagen, Wechselrichter usw.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Parameter
Hochspannungs-MOSFET Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Typ N
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
 

Anwendungen:

Reasunos High Voltage MOSFET ist eine Art N-Kanal-Transistor, der sich ideal für Hochspannungsanwendungen eignet.Mit Funktionen wie der neuen doppenden Technologie mit seitlicher Variabilität, Spezielle Leistung MOS-Struktur, und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen,Dieses Produkt hat eine Spannungsbewertung von Hochspannung/Ultrahohe Spannung und Leckage von niedrigem Leckage kann weniger als 1 μA erreichen.

Das Reasunos Hochspannungs-MOSFET ist für verschiedene Branchen, insbesondere in rauen Umgebungen, konzipiert. Es ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt,in einer Kartonscheibe in KartonschichtenDas Produkt ist in Guangdong, China erhältlich und kann je nach Gesamtmenge innerhalb von 2-30 Tagen geliefert werden.Der Preis dieses Produkts basiert auf den Produktspezifikationen und die Zahlung kann über 100% T/T im Voraus (EXW) erfolgen.Das Produkt ist in großen Mengen mit der Versorgungsfähigkeit von 5KK/Monat erhältlich.

Reasunos Hochspannungs-MOSFET ist eine zuverlässige und effiziente Wahl für Hochspannungsanwendungen.Es ist eine perfekte Lösung für eingebettete Projekte, die eine hohe Spannung erfordern, ultrahohe Spannung und geringe Leckage.

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten eine umfassende Palette an technischen Support- und Servicelösungen für Kunden an, die Hochspannungs-MOSFETs verwenden.Unser Expertenteam steht Ihnen zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten, die Sie haben können, und um Ihnen Rat zu geben, wie Sie Hochspannungs-MOSFETs in Ihrer Anwendung am besten einsetzen können.Wir können Ihnen auch bei der Fehlerbehebung helfen, um Probleme zu lösen, die Sie möglicherweise haben.

Unser technisches Support-Team ist von Montag bis Freitag von 8 bis 17 Uhr (Ortszeit) zur Verfügung, um Ihnen bei Fragen oder Anfragen zu helfen.Wir haben auch ein Online-Support-Forum, wo Sie Fragen stellen und Antworten von unserem Expertenteam erhalten können..

Wir bieten auch eine Reihe von Wartungs- und Reparaturdienstleistungen für Hochspannungs-MOSFETs an.und kann eine umfassende Palette von Dienstleistungen einschließlich ReinigungWir beraten Sie auch, wie Sie Hochspannungs-MOSFETs in Ihrer Anwendung am besten einsetzen können, und helfen Ihnen, mögliche Probleme zu erkennen, bevor sie zu kostspieligen Reparaturen werden.

Wenn Sie Fragen haben oder weitere Informationen über unsere technischen Support- und Servicelösungen für Hochspannungs-MOSFETs wünschen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

 

Hochspannungs-MOSFETs werden typischerweise in einem statisch-dissivierenden Kunststoffrohr verpackt und in einer Schachtel geliefert, die ausreichenden Schutz vor elektrischen Feldern bietet.Die Verpackung sollte mit einem ESD-Material (elektrostatische Entladung) ausgekleidet sein, um sicherzustellen, dass das Produkt während des Versands nicht beschädigt wirdDie Verpackung sollte auch mit den entsprechenden Warnzeichen für gefährliche Stoffe versehen sein.

Die Hochspannungs-MOSFETs sollten während der Verpackung und des Versands mit äußerster Sorgfalt behandelt werden.Alle Teile sollten vor Verpackung und Versand auf Beschädigung überprüft werden.

Alle Verpackungen sollten sicher versiegelt und mit den entsprechenden Versandinformationen gekennzeichnet sein.

 

Häufige Fragen:

 

F: Welche Marke trägt Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Woher stammt das Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Ursprung von Hochspannungs-MOSFET liegt in Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis für Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Preis für Hochspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab, bitte bestätigen Sie den Preis.
F: Wie sieht das Paket des Hochspannungs-MOSFET aus?
A: Die Verpackung von Hochspannungs-MOSFET besteht aus staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt werden.
F: Wie sieht es mit der Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET aus?
A: Die Lieferzeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
F: Welche Zahlungsbedingungen gelten für Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Zahlungsbedingungen für Hochspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus ((EXW).
F: Was ist mit der Versorgungsfähigkeit von Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Versorgungsfähigkeit von Hochspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.