Transistor de alta tensão Sic Mosfet, multiuso N Channel Fet
Lugar de origem | Guangdong, NC |
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Marca | REASUNOS |
Preço | Confirm price based on product |
Detalhes da embalagem | Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca |
Tempo de entrega | 2-30 dias (depende da quantidade total) |
Termos de pagamento | 100% T/T adiantado (EXW) |
Habilidade da fonte | 5KK/mês |

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xAplicação encaixada do MOSFET da alta tensão de FRD | Série do motor, inversor, meia ponte/aplicações de circuito completas da ponte, etc. | dissipação de calor | Grande dissipação de calor |
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Tecnologia | MOSFET | Vantagens | Tecnologia de lubrificação variável lateral nova, poder especial MOS Structure, características exce |
Aplicação do MOSFET Ultra-alta tensão | Medidor esperto, fonte de alimentação do armário, fonte de alimentação de comutação industrial, sist | Nome do produto | MOSFET de alta tensão |
Resistência | Baixa Em-resistência | Avaliação da tensão | Tensão de alta tensão/Ultra-alta |
Destacar | MOSFET Sic de alta tensão à prova de calor,N Canal Sic Mosfet de Alta Tensão,Transistores Fet de canal N multiuso |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
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1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Descrição do produto:
O transistor MOS-Gate de alta tensão, comumente conhecido como FET de alta tensão, é um tipo de dispositivo semicondutor projetado para uso em aplicações de alta tensão.Este dispositivo vem ganhando popularidade devido ao seu alto desempenho e ampla gama de aplicaçõesOferece excelentes características em altas temperaturas e é extremamente adequado para utilização em FRD embutidos, série de motores, inversores, circuitos half bridge/full bridge,e aplicações de ultra-alta tensão, como medidores inteligentes, fontes de alimentação de gabinetes, fontes de alimentação de comutação industrial e sistemas de energia elétrica.
High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliabilityCom a sua classificação de alta tensão/ultra-alta tensão, este dispositivo pode suportar facilmente as condições mais difíceis e é ideal para utilização em aplicações de ponta.
Os MOSFET de alta tensão oferecem aos utilizadores uma solução fiável e rentável para as suas aplicações de alta tensão.tornando-a uma escolha ideal para uma ampla gama de aplicações.
Parâmetros técnicos:
Tecnologia | MOSFET de alta tensão |
---|---|
Resistência | Baixa resistência |
Aplicação FRD HV MOSFET incorporada | Série de motores, inversores, aplicações de circuito de meio ponte/ponte completa, etc. |
Dissipação de calor | Grande dissipação de calor |
Aplicação do MOSFET Ultra-HV | Medidor inteligente, fonte de alimentação do gabinete, fonte de alimentação de comutação industrial, sistema de energia elétrica, etc. |
Nomenclatura de tensão | Alta tensão/ultra-alta tensão |
Fugas | Baixa vazagem pode atingir menos de 1 μA |
Vantagens | Nova tecnologia de dopagem variável lateral, estrutura MOS de potência especial, excelentes características em alta temperatura. |
Nome do produto | MOSFET de alta tensão |
Tipo | N |
Aplicações:
A REASUNOS é uma marca líder de transistores MOS-gate de alta tensão que oferece desempenho superior em aplicações de comutação.Dispõe de uma tensão nominal elevadaÉ constituído por uma nova tecnologia de dopagem lateral variável e uma estrutura MOS de potência especial, tornando-o adequado para controladores de LED, adaptadores,Fontes de alimentação de comutação industrial, inversores, etc.
- Marca: REASUNOS
- Local de origem: Guangdong, China
- Preço: Preço confirmado com base no produto
- Detalhes da embalagem: embalagem tubular à prova de pó, à prova de água e antistática, colocada dentro de uma caixa de cartão em caixas de papelão
- Prazo de entrega: 2-30 dias (depende da quantidade total)
- Termos de pagamento: 100% T/T adiantado (EXW)
- Capacidade de abastecimento: 5KK/mês
- Tipo: N
- Nivel de tensão: Alta tensão/ultra-alta tensão
- Aplicação do HV Mosfet: condutor LED, adaptadores, fonte de alimentação de comutação industrial, inversores, etc.
- Fugas: Fugas baixas podem atingir menos de 1 μA
- Vantagens: Nova tecnologia de dopagem variável lateral, estrutura MOS de potência especial, excelentes características em alta temperatura.
Apoio e Serviços:
Fornecemos suporte técnico e serviço para nossos produtos MOSFET de alta tensão.O nosso pessoal de apoio técnico pode oferecer assistência com a selecção do produtoTambém oferecemos uma ampla gama de serviços, tais como design personalizado, prototipagem e testes de produtos.
Nossa equipe de suporte técnico está comprometida em fornecer o mais alto nível de atendimento ao cliente. Nós nos esforçamos para responder às consultas do cliente o mais rápido possível e fornecer as melhores soluções possíveis.A nossa equipa está disponível por telefone., e-mail e chat online.
Também fornecemos documentação e manuais detalhados do produto, bem como treinamento e oficinas on-line.Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre o nosso suporte técnico e serviço de MOSFET de alta tensão.
Embalagem e transporte:
Embalagem e transporte de MOSFET de alta tensão
Os MOSFET de alta tensão são dispositivos sensíveis e devem ser embalados e enviados adequadamente para garantir que cheguem em condições de funcionamento.
- Os MOSFET devem ser enrolados em material de embalagem sem estática.
- A embalagem deve conter uma advertência sobre a sensibilidade do produto.
- O pacote deve ser enviado utilizando um método de transporte confiável.
- O pacote deve ser rastreado e seguro.
- A embalagem deve ser conservada num local fresco e seco.
Perguntas frequentes:
A1: O MOSFET de alta tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de porta isolada (IGFET) projetado para lidar com tensões mais altas, até centenas de volts.É usado para aplicações como a amplificação de potência, controlo de motores, amplificadores de baixo ruído e outras aplicações de comutação de alta tensão.
R2: A marca do MOSFET de Alta Tensão é REASUNOS.
A3: O local de origem do MOSFET de alta tensão é Guangdong, na China.
A4: A embalagem do MOSFET de alta tensão é uma embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
A: O prazo de entrega do MOSFET de alta tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.