Transistor de alta tensão Sic Mosfet, multiuso N Channel Fet

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Aplicação encaixada do MOSFET da alta tensão de FRD Série do motor, inversor, meia ponte/aplicações de circuito completas da ponte, etc. dissipação de calor Grande dissipação de calor
Tecnologia MOSFET Vantagens Tecnologia de lubrificação variável lateral nova, poder especial MOS Structure, características exce
Aplicação do MOSFET Ultra-alta tensão Medidor esperto, fonte de alimentação do armário, fonte de alimentação de comutação industrial, sist Nome do produto MOSFET de alta tensão
Resistência Baixa Em-resistência Avaliação da tensão Tensão de alta tensão/Ultra-alta
Destacar

MOSFET Sic de alta tensão à prova de calor

,

N Canal Sic Mosfet de Alta Tensão

,

Transistores Fet de canal N multiuso

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Descrição de produto

Descrição do produto:

O transistor MOS-Gate de alta tensão, comumente conhecido como FET de alta tensão, é um tipo de dispositivo semicondutor projetado para uso em aplicações de alta tensão.Este dispositivo vem ganhando popularidade devido ao seu alto desempenho e ampla gama de aplicaçõesOferece excelentes características em altas temperaturas e é extremamente adequado para utilização em FRD embutidos, série de motores, inversores, circuitos half bridge/full bridge,e aplicações de ultra-alta tensão, como medidores inteligentes, fontes de alimentação de gabinetes, fontes de alimentação de comutação industrial e sistemas de energia elétrica.

High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliabilityCom a sua classificação de alta tensão/ultra-alta tensão, este dispositivo pode suportar facilmente as condições mais difíceis e é ideal para utilização em aplicações de ponta.

Os MOSFET de alta tensão oferecem aos utilizadores uma solução fiável e rentável para as suas aplicações de alta tensão.tornando-a uma escolha ideal para uma ampla gama de aplicações.

 

Parâmetros técnicos:

Tecnologia MOSFET de alta tensão
Resistência Baixa resistência
Aplicação FRD HV MOSFET incorporada Série de motores, inversores, aplicações de circuito de meio ponte/ponte completa, etc.
Dissipação de calor Grande dissipação de calor
Aplicação do MOSFET Ultra-HV Medidor inteligente, fonte de alimentação do gabinete, fonte de alimentação de comutação industrial, sistema de energia elétrica, etc.
Nomenclatura de tensão Alta tensão/ultra-alta tensão
Fugas Baixa vazagem pode atingir menos de 1 μA
Vantagens Nova tecnologia de dopagem variável lateral, estrutura MOS de potência especial, excelentes características em alta temperatura.
Nome do produto MOSFET de alta tensão
Tipo N
 

Aplicações:

MOSFET de alta tensão FRD incorporado

A REASUNOS é uma marca líder de transistores MOS-gate de alta tensão que oferece desempenho superior em aplicações de comutação.Dispõe de uma tensão nominal elevadaÉ constituído por uma nova tecnologia de dopagem lateral variável e uma estrutura MOS de potência especial, tornando-o adequado para controladores de LED, adaptadores,Fontes de alimentação de comutação industrial, inversores, etc.

Especificações do produto
  • Marca: REASUNOS
  • Local de origem: Guangdong, China
  • Preço: Preço confirmado com base no produto
  • Detalhes da embalagem: embalagem tubular à prova de pó, à prova de água e antistática, colocada dentro de uma caixa de cartão em caixas de papelão
  • Prazo de entrega: 2-30 dias (depende da quantidade total)
  • Termos de pagamento: 100% T/T adiantado (EXW)
  • Capacidade de abastecimento: 5KK/mês
  • Tipo: N
  • Nivel de tensão: Alta tensão/ultra-alta tensão
  • Aplicação do HV Mosfet: condutor LED, adaptadores, fonte de alimentação de comutação industrial, inversores, etc.
  • Fugas: Fugas baixas podem atingir menos de 1 μA
  • Vantagens: Nova tecnologia de dopagem variável lateral, estrutura MOS de potência especial, excelentes características em alta temperatura.
 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de alta tensão

Fornecemos suporte técnico e serviço para nossos produtos MOSFET de alta tensão.O nosso pessoal de apoio técnico pode oferecer assistência com a selecção do produtoTambém oferecemos uma ampla gama de serviços, tais como design personalizado, prototipagem e testes de produtos.

Nossa equipe de suporte técnico está comprometida em fornecer o mais alto nível de atendimento ao cliente. Nós nos esforçamos para responder às consultas do cliente o mais rápido possível e fornecer as melhores soluções possíveis.A nossa equipa está disponível por telefone., e-mail e chat online.

Também fornecemos documentação e manuais detalhados do produto, bem como treinamento e oficinas on-line.Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre o nosso suporte técnico e serviço de MOSFET de alta tensão.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de alta tensão

Os MOSFET de alta tensão são dispositivos sensíveis e devem ser embalados e enviados adequadamente para garantir que cheguem em condições de funcionamento.

  • Os MOSFET devem ser enrolados em material de embalagem sem estática.
  • A embalagem deve conter uma advertência sobre a sensibilidade do produto.
  • O pacote deve ser enviado utilizando um método de transporte confiável.
  • O pacote deve ser rastreado e seguro.
  • A embalagem deve ser conservada num local fresco e seco.
 

Perguntas frequentes:

P1: O que é o MOSFET de Alta Tensão?

A1: O MOSFET de alta tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de porta isolada (IGFET) projetado para lidar com tensões mais altas, até centenas de volts.É usado para aplicações como a amplificação de potência, controlo de motores, amplificadores de baixo ruído e outras aplicações de comutação de alta tensão.

P2: Qual é a marca do MOSFET de alta tensão?

R2: A marca do MOSFET de Alta Tensão é REASUNOS.

Q3: Onde é o local de origem do MOSFET de alta tensão?

A3: O local de origem do MOSFET de alta tensão é Guangdong, na China.

Q4: Qual é a embalagem do MOSFET de alta tensão?

A4: A embalagem do MOSFET de alta tensão é uma embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5: Quanto tempo dura o prazo de entrega do MOSFET de alta tensão?

A: O prazo de entrega do MOSFET de alta tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.