耐熱高電圧 シックモスフェット 多用途 Nチャネルフェットトランジスタ

起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
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供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。 熱放散 大きい熱放散
テクノロジー MOSFET 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
超HV MOSFETの塗布 スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。 製品名 高圧MOSFET
抵抗 低いオン抵抗 電圧評価 高圧/超高度の電圧
ハイライト

耐熱 高電圧 シック モスフェット

,

Nチャネル 高電圧 シック モスフェット

,

多目的Nチャネルフェットトランジスタ

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高電圧MOSゲートトランジスタ (High Voltage MOS-Gate Transistor,High Voltage FET) は,高電圧アプリケーションで使用するために設計された半導体装置の一種である.このデバイスは,その強力なパフォーマンスと幅広いアプリケーションのために人気を得ています高温で優れた性能を持ち,組み込みFRD,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路,スマートメーターなどの超高電圧アプリケーション電気・電源・電気・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電源・電

High Voltage MOSFETs are highly efficient and feature a unique lateral variable doping technology and special power MOS structure that allow for superior power handling and increased system reliability高電圧/超高電圧の評価により,このデバイスは最も厳しい条件に容易に耐えることができ,高級アプリケーションで使用するのに理想的です.

高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのための信頼性とコスト効率の良いソリューションをユーザーに提供します.このデバイスは優れたパフォーマンスと長期的信頼性を提供することができます.幅広い用途の理想的な選択になります.

 

技術パラメータ:

テクノロジー 高電圧MOSFET
抵抗力 低オン抵抗
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
熱散 熱 の 散らばる 大量
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
定位電圧 高電圧/超高電圧
漏れ 低漏れは1μA未満に達する
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
製品名 高電圧MOSFET
タイプ N
 

応用:

組み込み FRD 高電圧 MOSFET

REASUNOSは高圧MOSゲートトランジスタのトップブランドで,スイッチングアプリケーションで優れたパフォーマンスを提供しています.高電圧を搭載しているLEDドライバ,アダプタ,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電源,電,電産業用スイッチ電源インバーターなど

製品仕様
  • ブランド名: REASUNOS
  • 原産地: 広東,中国
  • 価格: 製品によって確認される価格
  • 梱包 詳細: 防塵,防水,防静的管状の梱包,紙箱内 に 詰め られ て いる
  • 配達時間: 2~30日 (総量による)
  • 支払い条件: 100%T/T 提前 (EXW)
  • 供給能力: 5KK/月
  • タイプ:N
  • 定位電圧:高電圧/超高電圧
  • HV モスフェット アプリケーション: LED ドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
  • 漏れ: 低漏れが 1 μ A 未満に達する
  • 利点:新しい横変形ドーピング技術,特殊パワーMOS構造,高温での優れた特性.
 

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

当社は,高電圧MOSFET製品に対して技術的サポートとサービスを提供しています.経験豊富な専門家のチームは,当社の製品に関する質問にご協力いただけます.私たちの技術サポートスタッフは,製品の選択に援助を提供することができますまた,カスタムデザイン,プロトタイプ作成,製品テストなどの幅広いサービスを提供しています.

当社の技術サポートチームは,最高レベルの顧客サービスを提供することにコミットしています.私たちは顧客からの問い合わせにできるだけ早く回答し,可能な限り最良のソリューションを提供しようと努めています.私たちのチームは電話で利用可能ですメールやオンラインチャット

詳細な製品ドキュメントとマニュアル,オンライントレーニングとワークショップも提供しています.さらなる助けが必要な場合は,専門家のチームがご質問に答えることができます.私たちの高圧MOSFETの技術サポートとサービスについてもっと知るために今日私たちに連絡してください.

 

梱包と輸送:

高電圧MOSFETの梱包と輸送

高電圧MOSFETは敏感な装置で,適切な梱包と出荷で,機能状態で届くようにする必要があります.

  • MOSFETは静止性のない包装材料に包装されるべきです.
  • 包装には,製品の過敏性に関する警告が記載されなければなりません.
  • パッケージは信頼性の高い運送方法を使用して送られるべきです.
  • パッケージを追跡し,保険に入れるべきです.
  • このパッケージは,涼しく乾燥した場所に保管してください.
 

FAQ:

Q1: 高電圧MOSFETとは何か?

A1: 高電圧MOSFETは,数百ボルトまで,より高い電圧に対応するように設計された,隔離ゲートフィールド効果トランジスタ (IGFET) の 1 種類です.電力増幅などのアプリケーションに使用されます.低騒音増幅器,および他の高電圧スイッチングアプリケーション.

Q2: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?

A2: 高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです

Q3: 高電圧MOSFETの原産地は?

A3: 高電圧MOSFETの原産地は中国広東です.

Q4: 高電圧MOSFETのパッケージは?

A4: 高電圧MOSFETのパッケージは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱の中に箱詰められています.

Q5: 高電圧MOSFETの配送時間はどのくらいですか?

A5: 高電圧MOSFETの配送時間は,総量に応じて 2-30 日です.