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Praktischer Hochspannungstransistor, Mehrzweck-N-Kanal-Leistungs-Mosfet
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand | Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
|---|---|---|---|
| Wärmeableitung | Große Wärmeableitung | Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
| Vorteile | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig | Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
| Technologie | MOSFET | Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Hervorheben | Praktische Hochspannungstransistoren,N-Kanal-Hochspannungstransistor,Mehrzweck-N-Kanal-Leistungs-Mosfet |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Ultrahohe Spannung N-MOSFET mit hoher Wärmeverteilung
Beschreibung des Produkts:
Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art hochspannungsbetriebenes Leistungs-MOSFET mit einer FRD HV-MOSFET-Anwendung.Es verwendet eine neue seitliche variable Dopingtechnologie und eine spezielle Leistung MOS-Struktur, um hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen und niedrigen Leckage, die weniger als 1μA erreichen kannEs ist für verschiedene Hochspannungsanwendungen wie Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Fullbrücken-Schaltkreis-Anwendungen, LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteil,InverterDiese MOSFET-Typ ist N-Typ und bietet eine optimale Lösung für Hochspannungsanwendungen.
Technische Parameter:
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Anwendung von HV MOSFET | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
| Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
| Typ | N |
| Technologie | MOSFET |
Anwendungen:
REASUNOS Hochspannungs-Mosfet ist eine Art Leistungs-Mosfet-Transistor, der speziell für Hochspannungs- und Ultra-Hochspannungs-Anwendungen entwickelt wurde.Mit einer neuen Lateral Variable Doping Technologie und einer speziellen Leistungsstruktur, hat hervorragende Eigenschaften bei hohen Temperaturen und bietet eine geringe Leckage, einen geringen Widerstand und eine hohe Spannungs-/ultrahohe Spannungsleistung.Es ist ideal für Anwendungen wie Solarumrichter, Motorantriebe, UPS-Systeme und Automobilstromelektronik.
REASUNOS High Voltage Mosfet kann zu einem günstigen Preis in Guangdong, China, gekauft werden. Es ist in staub-, wasserdichten und antistatischen Rohrverpackungen verpackt.in Kartons für maximale Sicherheit in einem KartonfachDie Lieferzeit beträgt in der Regel zwischen 2-30 Tagen, abhängig von der Bestellmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
Unterstützung und Dienstleistungen:
Hochspannungs-MOSFET-Produkte werden mit folgenden Funktionen unterstützt und gewartet:
- Datenblätter und Produktspezifikation
- Bewerbungsunterlagen
- Konstruktions- und Simulationswerkzeuge
- Technische Unterstützung
- Produktproben
- Produktschulungen
- Technische Unterstützung für Feldanwendungen
- Garantie- und Reparaturleistungen
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET
Hochdruck-MOSFET-Produkte sollten nach folgenden Richtlinien verpackt und versandt werden:
- Hochspannungs-MOSFET-Produkte sollten in einen ESD-geschützten Beutel verpackt werden.
- Die Tasche sollte klar mit Produktinformationen und der Versandadresse versehen sein.
- Alle Hochspannungs-MOSFET-Produkte sollten in einem statisch-dissipativen Versandcontainer versendet werden.
- Der Behälter sollte mit den Angaben zum Produkt, der Versandadresse und allen entsprechenden Warnungen versehen sein.
- Der Behälter sollte vor dem Versand fest verschlossen und gesichert werden.
- Hochdruck-MOSFET-Produkte sollten nach den Anweisungen des Kunden versendet werden.
Häufige Fragen:
F: Was ist der Markenname?
A: Der Markenname ist REASUNOS.
F: Wo wird das Hochspannungs-MOSFET hergestellt?
A: Herkunftsort ist Guangdong, CN.
F: Was ist der Preis?
A: Der Preis muss je nach Produkt bestätigt werden.
F: Wie verpackt man das Hochspannungs-MOSFET?
A: Wir verpacken das Hochspannungs-MOSFET mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert sind.
F: Wie ist die Lieferzeit?
A: Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.
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