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Praktische Low Power Mosfet Transistoren 20V 60V für drahtlose Ladevorrichtung

  • Practical Low Power Mosfet Transistors 20V 60V For Wireless Charging
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Widerstand Niedriges RDS (AN)
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Prozess strukturieren Graben/SGT
Hervorheben

Praktische Transistoren mit geringer Leistung

,

Transistoren mit geringer Leistung 20 V

,

Wireless-Ladegeräte mit geringer Leistung
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Hochfrequenzschalter-Grench Niederspannungs-MOSFET mit und zuverlässigem Strukturprozess SGT/Grench

Beschreibung des Produkts:

Niederspannungs-MOSFET

Low Voltage MOSFET ist ein fortschrittliches Halbleitergerät, das bahnbrechende FOM-Optimierung für Anwendungen mit geringem Leistungsverlust bietet.Hochfrequenzschalter und synchrone BerichtigungDieses MOSFET verfügt über eine niedrige Torspannung und eine niedrige Schwellenspannung, wodurch es mit geringen Stromverlusten arbeiten kann.Es hat auch einen geringen Rds ((ON) Widerstand und bietet eine ausgezeichnete Schaltleistung bei geringer Torladung.

Der einzigartige SGT-Prozess des Niederspannungs-MOSFET bietet eine überlegene Leistung in Bezug auf die FOM-Optimierung und deckt mehr Anwendungsszenarien ab.,Niedrige Torspannung und niedrige Schwellenspannung, wie z. B. Motorantrieb, 5G-Basisstation, Energiespeicherung, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

 

Technische Parameter:

Strukturprozess Graben/SGT
Grabenprozess Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
 

Anwendungen:

Niederspannungs-MOSFET

REASUNOS Low Voltage MOSFET ist eine Art Feldwirkungstransistor (FET), der bei niedriger Gate-Spannung arbeitet.Mit niedrigem Rds ((ON), eignet sich für drahtloses Laden, Schnellladen, Motorantrieb, Gleichspannungs-/ Gleichspannungswandler, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

Es hat einen wettbewerbsfähigen Preis, eine staub-, wasser- und antistatische Verpackung. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge,und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW)Die monatliche Versorgungskapazität beträgt 5K.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET-Produkte an. Unsere ausgebildeten Techniker können Fragen zur Installation, zum Betrieb und zur Wartung dieser Produkte beantworten.

Wenn Sie Probleme mit Niederspannungs-MOSFET-Produkten haben, stehen unsere erfahrenen Techniker zur Verfügung, um Fehlerbehebung zu erledigen.einschließlich Reparaturen und Ersatzprodukte.

Für weitere Informationen über den technischen Support und die Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET kontaktieren Sie uns bitte unter (xxx) xxx-xxxx oder senden Sie uns eine E-Mail an support@example.com.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

Das Niederspannungs-MOSFET-Gerät wird sicher in eine antistatische Tüte verpackt, in einen Kunststoffbehälter und dann in eine Kartonscheibe gelegt.Die Box wird sicher versiegelt und mit den richtigen Versandinformationen gekennzeichnet.

Das Paket wird über einen vertrauenswürdigen Kurier versendet, der Ihnen nach dem Versand der Sendung die Nachverfolgungsinformationen zur Verfügung stellt.

 

Häufige Fragen:

F1: Was ist ein Niederspannungs-MOSFET?
A1: Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Leistungsfeldwirkungstransistor (FET), der ein elektrisches Signal bei niedriger Stromversorgungsspannung umschalten oder verstärken kann.
F2: Welche Marke trägt dieses Produkt?
A2: Der Markenname dieses Produkts ist REASUNOS.
F3: Wo wird dieses Produkt hergestellt?
A3: Dieses Produkt wird in Guangdong, China, hergestellt.
F4: Wie hoch ist der Preis dieses Produkts?
A4: Der Preis dieses Produkts hängt von der Bestellmenge ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
F5: Wie ist dieses Produkt verpackt?
A5: Dieses Produkt ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET