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실용적인 저전력 모스페트 트랜지스터 20V 60V 무선 충전

  • Practical Low Power Mosfet Transistors 20V 60V For Wireless Charging
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
트렌치 공정의 장점 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. SGT 프로세스의 장점 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다.
EAS 기능 높은 EAS 기능 SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류.
소비 전력 낮은 전력 손실 저항 낮은 RDS(ON)
트렌치 공정 적용 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. 구조 프로세스 트렌치/SGT
강조하다

실용적인 저전력 모스페트 트랜지스터

,

저전력 모스페트 트랜지스터 20V

,

무선 충전 저전력 모스페트
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

높은 주파수 스위치 트렌치 저전압 MOSFET 및 신뢰할 수있는 구조 프로세스 SGT / 트렌치

제품 설명:

저전압 MOSFET

저전압 MOSFET는 저전력 손실 애플리케이션에 대한 획기적인 FOM 최적화를 제공하는 고급 반도체 장치입니다.고주파 스위치 및 동기 교정이 MOSFET는 낮은 게이트 전압과 낮은 임계 전압을 가지고 있으며 이는 낮은 전력 손실로 작동 할 수 있습니다.그것은 또한 낮은 Rds ((ON) 저항을 가지고 있으며 낮은 게이트 충전과 우수한 전환 성능을 제공합니다.

저전압 MOSFET의 독특한 SGT 프로세스는 더 많은 응용 시나리오를 다루는 FOM 최적화 측면에서 우수한 성능을 제공합니다. 낮은 전력 손실을 필요로하는 응용 프로그램에 이상적입니다.,낮은 게이트 전압과 낮은 임계 전압, 예를 들어 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고주파 스위치 및 동기 교정.

 

기술 매개 변수:

구조 과정 트렌치/SGT
트렌치 프로세스 적용 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 동기 교정
효율성 높은 효율성 과 신뢰성
SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 교정
트렌치 프로세스 장점 더 작은 RSP, 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다.
제품 이름 저전압 MOSFET
SGT 공정 장점 돌파구 FOM 최적화, 더 많은 응용 프로그램을 커버.
저항력 낮은 Rds ((ON)
EAS 능력 높은 EAS 능력
전력 소비 낮은 전력 손실
 

응용 프로그램:

저전압 MOSFET

REASUNOS 저전압 MOSFET는 낮은 게이트 전압에서 작동하는 필드 효과 트랜지스터 (FET) 의 일종이다. 낮은 전력 손실과 높은 EAS 기능을 필요로하는 응용 프로그램에 이상적입니다.낮은 Rds ((ON), 그것은 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC / DC 변환기, 고 주파수 스위치 및 동기 교정에 적합합니다.

경쟁력 있는 가격으로 먼지, 물, 반 정적 포장으로 배송시간은 2~30일입니다.그리고 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다.월간 공급량은 5K입니다.

 

지원 및 서비스:

저전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리 는 저전압 MOSFET 제품 에 대한 기술 지원 과 서비스 를 제공하고 있습니다. 우리 의 훈련 된 기술자 들 은 이 제품 의 설치, 운영, 유지 보수 에 관한 질문 에 대답 할 수 있습니다.

저전압 MOSFET 제품과 관련하여 문제가 발생하면, 우리의 경험이 풍부한 기술자는 문제 해결 서비스를 제공 할 수 있습니다. 우리는 또한 판매 후 지원을 제공합니다.제품 수리 및 교체 등.

저전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스에 대한 자세한 내용은 (xxx) xxx-xxxx에서 연락하거나 support@example.com에 이메일을 보내십시오.

 

포장 및 운송:

저전압 MOSFET의 포장 및 운송:

저전압 MOSFET 장치는 안티 정적 가방에 안전하게 포장됩니다. 패키지는 플라스틱 용기에 넣고, 그 다음 고지 상자에 넣습니다.상자는 안전하게 밀폐되고 적절한 운송 정보로 표시됩니다.

패키지는 신뢰할 수 있는 택배사를 통해 배송됩니다. 택배사는 패키지가 배송되면 추적 정보를 제공합니다.

 

FAQ:

Q1: 저전압 MOSFET란 무엇입니까?
A1: 저전압 MOSFET는 낮은 전원 공급 전압에서 전기 신호를 전환하거나 증폭시킬 수있는 전력장 효과 트랜지스터 (FET) 의 일종입니다.
Q2: 이 제품의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A2: 이 제품의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q3: 이 제품은 어디서 만들어졌나요?
A3: 이 제품은 중국 광둥에서 만들어집니다.
Q4: 이 제품의 가격은 얼마입니까?
A4: 이 제품의 가격은 주문량에 따라 달라질 것입니다. 자세한 내용은 저희에게 문의하십시오.
Q5: 이 제품은 어떻게 포장됩니까?
A5: 이 제품은 먼지, 방수, 반 정적 튜브 형태의 포장재로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치되어 있습니다.
꼬리표:

N 채널 모스페트 낮은 문장 전압

안정적인 저전력 P 채널 모스페트

기본 스테이션 저전압 MOSFET