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Konverter Niederspannungs-MOSFET Mehrzweck für drahtlose Ladung

  • Converter Low Voltage MOSFET Multipurpose For Wireless Charging
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Prozess strukturieren Graben/SGT SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
Hervorheben

Konverter Niederspannungs-MOSFET

,

Niederspannungs-MOSFET Mehrzweck

,

Wireless Charging Niedrigspannung MOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niedrigspannungs-MOSFET mit SGT-Prozessvorteile für ein zuverlässiges Strukturprozess

Beschreibung des Produkts:

Low Voltage MOSFET ist ein Niederspannungstransistor mit niedriger Schwellenspannung und hoher EAS-Fähigkeit.GleichspannungsumrichterEs hat die Vorteile einer kleineren RSP und sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und verwendet werden.Es hat auch Durchbruch FOM Optimierung, so dass es für eine größere Anwendung geeignet ist.

Niederspannungs-MOSFET bietet mit seinem Niederspannungstransistor, Niederspannungsschwellen-MOSFET, Niederspannungs-MOSFET und hoher EAS-Fähigkeit eine hervorragende Leistung.SchnellladungMit seiner bahnbrechenden FOM-Optimierung kann es eine bessere Leistung bieten und mehr Anwendungen abdecken.Außerdem, hat es auch die Vorteile kleinerer RSP und sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.

Niedrigspannungs-MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für diejenigen, die eine hohe EAS-Fähigkeit und ein niedriges Schwellenspannungs-MOSFET benötigen.Es hat die Vorteile kleinerer RSP und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden. Darüber hinaus verfügt es auch über eine bahnbrechende FOM-Optimierung, die es für mehr Anwendungen geeignet macht. Es ist die ideale Wahl für drahtloses Laden, Schnellladen, Motorantrieb, DC/DC-Konverter,Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

 

Technische Parameter:

Parameter Beschreibung
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Grabenprozess Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
Strukturprozess Graben/SGT
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch in der FOM-Optimierung, um mehr Anwendungen abzudecken
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET - drahtloses Laden, schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung

REASUNOS ist stolz darauf, seinen Niederspannungs-MOSFET-Transistor anzubieten, der einen Trench/SGT-Prozess verwendet, um eine überlegene Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen zu bieten.Dieses Niederspannungs-FET ist so konzipiert, dass es einen geringen Rds ((ON) -Widerstand bietet und für drahtloses Laden verwendet werden kann, schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannung/Gleichspannungskonverter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.die es ermöglicht, kleinere RSP und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen frei zu kombinieren und zu nutzen.

Wir bieten staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackungen an, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert sind.Unsere Lieferzeit beträgt 2-30 Tage., je nach Gesamtmenge, und wir akzeptieren 100% T/T im Voraus ((EXW) Zahlungen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten vollständige technische Unterstützung und Service für unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren ist bereit, Lösungen für alle technischen Probleme zu bieten, die Sie mit unseren Produkten haben könnenWir bieten Ihnen auch umfassende Schulungen und Bildungsangebote an, um Ihnen zu helfen, unsere Produkte auf effizienteste und effektivste Weise zu nutzen.

Wenn Sie Fragen oder Bedenken haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren. Unser Kundendienst ist immer bereit, Ihnen zu helfen und alle Fragen zu beantworten.

 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFETs werden in der Regel wie folgt verpackt und versandt:

  • Jedes Gerät ist einzeln in einem vakuumsiegelten Plastikbeutel verpackt.
  • Die Säcke werden dann in einen von der ESD zugelassenen statischen Abschirmsack gelegt.
  • Der statische Abschirmbeutel wird dann in einen Container gelegt.
  • Der Container wird dann versiegelt und an den Kunden geliefert.
 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Niederspannungs-MOSFET?

A: Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der für den Einsatz in Niederspannungsanwendungen entwickelt wurde.

F: Was ist der Markenname?

A: Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F: Wo ist der Ursprungsort?

A: Der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.

F: Was sind die Verpackungsdaten?

A: Die Verpackungsdetails von Niederspannungs-MOSFET ist eine staub-, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in einem Karton in Kartons aufbewahrt wird.

F: Was ist die Lieferzeit?

A: Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.

F: Welche Zahlungsbedingungen gelten?

A: Die Zahlungsbedingungen von Niederspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).

F: Was ist die Versorgungsfähigkeit?

A: Die Versorgungsfähigkeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET