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Transistors Mosfet à faible puissance 20V 60V pour la charge sans fil

  • Practical Low Power Mosfet Transistors 20V 60V For Wireless Charging
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
Capacité EAS Capacité EAS élevée Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Résistance Le bas RDS (DESSUS)
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Processus de structuration Tranchée/SGT
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Transistors Mosfet à faible puissance pratiques

,

Transistors à basse puissance Mosfet 20V

,

Chargement sans fil des mosfets à faible puissance
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension avec un processus de structure fiable SGT/Trench

Description du produit:

MOSFET à basse tension

Le MOSFET basse tension est un dispositif semi-conducteur avancé qui offre une optimisation FOM révolutionnaire pour les applications à faible perte de puissance.commutateur à haute fréquence et rectification synchroneCe MOSFET a une tension de porte basse et une tension de seuil basse, ce qui lui permet de fonctionner avec de faibles pertes de puissance.Il a également une faible résistance Rds ((ON) et offre d'excellentes performances de commutation avec une faible charge de porte.

Le processus SGT unique du MOSFET basse tension offre des performances supérieures en termes d'optimisation FOM, couvrant plus de scénarios d'application.,une tension de basse tension et une tension de seuil bas, comme le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, l'interrupteur haute fréquence et la rectification synchrone.

 

Paramètres techniques:

Processus de la structure Traînée/SGT
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Efficacité Très efficace et fiable
Procédure SGT Application Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Les avantages du procédé des tranchées Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Nom du produit MOSFET à basse tension
Les avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
résistance Rds bas ((ON)
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
 

Applications:

MOSFET à basse tension

REASUNOS Low Voltage MOSFET est un type de transistor à effet de champ (FET) qui fonctionne à basse tension de porte. Il est idéal pour les applications nécessitant de faibles pertes de puissance et une capacité EAS élevée.Avec faible Rds ((ON), il convient à la recharge sans fil, à la recharge rapide, au pilote de moteur, au convertisseur CC/CC, au commutateur haute fréquence et à la rectification synchrone.

Il a un prix compétitif, avec un emballage à l'épreuve de la poussière, à l'épreuve de l'eau et antistatique.et les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW)La capacité d'approvisionnement mensuelle est de 5K.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service du MOSFET basse tension

Nous fournissons un soutien technique et des services pour les produits MOSFET basse tension. Nos techniciens qualifiés peuvent répondre aux questions relatives à l'installation, au fonctionnement et à la maintenance de ces produits.

Si vous rencontrez des problèmes avec les produits MOSFET basse tension, nos techniciens expérimentés sont disponibles pour fournir des services de dépannage.y compris les réparations et les remplacements de produits.

Pour plus d'informations sur le support technique et les services du MOSFET basse tension, veuillez nous contacter à (xxx) xxx-xxxx ou nous envoyer un e-mail à support@example.com.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

Le dispositif MOSFET basse tension sera emballé en toute sécurité dans un sac antistatique.La boîte sera scellée et étiquetée avec les informations d'expédition appropriées.

Le colis sera expédié par un courrier de confiance qui fournira les informations de suivi une fois le colis expédié.

 

FAQ:

Q1: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension?
A1: Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ de puissance (FET) qui peut changer ou amplifier un signal électrique à basse tension d'alimentation.
Q2: Quelle est la marque de ce produit?
R2: La marque de ce produit est REASUNOS.
Q3: Où ce produit est-il fabriqué?
R3: Ce produit est fabriqué à Guangdong, en Chine.
Q4: Quel est le prix de ce produit?
R4: Le prix de ce produit dépendra de la quantité de la commande. Veuillez nous contacter pour plus d'informations.
Q5: Comment ce produit est-il emballé?
R5: Ce produit est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base