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Langlebige SGT Niederspannungs-MOSFET-Multifunktion mit kleinerer RSP

  • Durable SGT Low Voltage MOSFET Multi Function With Smaller RSP
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. Widerstand Niedriges RDS (AN)
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Prozess strukturieren Graben/SGT
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
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Nachhaltiges Niederspannungs-MOSFET

,

Niederspannungs-MOSFET-Multifunktion

,

Kleinere RSP SGT MOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Graben-Niederspannungs-MOSFET mit kleinerer RSP für synchrone Berichtigung

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Niederspannungs-Schwellenfeldwirkungstransistor (FET), der eine hohe EAS-Fähigkeit, hohe Effizienz und zuverlässige Leistungsverluste bietet.Es kann für verschiedene Anwendungen verwendet werden, einschließlich Motorantrieb, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung, drahtloses Laden, Schnellladen, Gleichspannungs-/Gleichspannungswandler usw.Niederspannungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Schwellenspannung, was einen geringen Stromverbrauch und eine verbesserte Leistung ermöglicht.MotorfahrerDarüber hinaus kann es zuverlässige Leistungsverluste und einen geringen Stromverbrauch für drahtlose Lade-, Schnelllade- und Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichteranwendungen bieten.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Grabenprozess Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
 

Anwendungen:

Niederspannungs-MOSFET von REASUNOS, Guangdong

Der Niederspannungsfeldwirkungstransistor (Low Voltage Field Effect Transistor, MOSFET) von REASUNOS ist die ideale Wahl für Niederspannungsanwendungen.Diese Niederspannung FETs kommen in beiden SGT und Trench Struktur ProzesseDas SGT-Verfahren bietet eine bahnbrechende FOM-Optimierung und deckt mehr Anwendungen ab.während der Trench-Prozess kleinere RSP bietet und frei kombinierte und genutzte Serien und parallele Konfigurationen ermöglicht.

Die Niederspannungs-MOSFETs von REASUNOS werden zu wettbewerbsfähigen Preisen angeboten und mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt.in einem Karton für die sichere Lieferung. Mit einer Lieferkapazität von 5KK/Monat können Bestellungen je nach Gesamtmenge innerhalb von 2-30 Tagen ausgeführt werden.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Niederspannungs-MOSFETs stehen zur Verfügung, um die optimale Leistung unserer Produkte sicherzustellen.Unsere Experten stehen zur Verfügung, um technische Unterstützung für alle Fragen oder Probleme im Zusammenhang mit der Installation zu bieten, Betrieb und Wartung von Niederspannungs-MOSFETs.

Wir bieten auch kostenlose Dienstleistungen wie Reparatur, Ersatz und Aktualisierung von Produkten an.Unsere sehr erfahrenen Techniker und Ingenieure sind immer zur Verfügung, um bei technischen Problemen zu helfen, die entstehen können.

Bei Low-Voltage MOSFETs bemühen wir uns, unseren Kunden überlegene technische Unterstützung und Service zu bieten.

 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFETs sollten so verpackt und versendet werden, dass sie maximal vor mechanischem Schock, Abrieb und anderen Umweltrisiken geschützt werden.Die Verpackung sollte so ausgelegt sein, dass das Risiko eines elektrischen Schlags und anderer Gefahren verringert wird.Bei der Verschiffung sollten Niederspannungs-MOSFETs in versiegelte Behälter gebracht werden, die zum Schutz vor Vibrationen und extremen Temperaturen ausgelegt sind.

 

Häufige Fragen:

FAQs zu Niederspannungs-MOSFET
F1: Wie heißt der Markenname von Niederspannungs-MOSFET?

A1: Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET?

A2: Der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, CN.

F3: Was ist der Preis für Niederspannungs-MOSFET?

A3: Der Preis für Niederspannungs-MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.

F4: Was sind die Verpackungsdetails von Niederspannungs-MOSFET?

A4: Die Verpackungsdetails von Niederspannungs-MOSFET ist eine staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in einem Karton in Kartons aufbewahrt wird.

F5: Wie lange dauert die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).

F6: Wie sind die Zahlungsbedingungen für Niederspannungs-MOSFET?

A6: Die Zahlungsbedingungen für Niederspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).

F7: Was ist die Versorgungsfähigkeit von Niederspannungs-MOSFET?

A7: Die Versorgungsfähigkeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET