Transistor Mosfet a bassa potenza 20V 60V pratici per la ricarica wireless

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Consumo di energia Perdita di potere basso Resistenza RDS basso (SOPRA)
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Processo di struttura Trincea/SGT
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Trasistor Mosfet pratici a bassa potenza

,

Transistori Mosfet a bassa potenza 20V

,

Carica wireless dei mosfetti a bassa potenza

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione con processo di struttura affidabile SGT/Trench

Descrizione del prodotto:

MOSFET a bassa tensione

Il MOSFET a bassa tensione è un dispositivo semiconduttore avanzato che offre ottimizzazione FOM innovativa per applicazioni a bassa perdita di potenza.di alte frequenze e rettifica sincronaQuesto MOSFET ha una bassa tensione di cancello e una bassa tensione di soglia, che gli consente di funzionare con basse perdite di potenza.Ha anche una bassa resistenza Rds ((ON) e offre eccellenti prestazioni di commutazione con una bassa carica del cancello.

Il processo SGT unico del MOSFET a bassa tensione offre prestazioni superiori in termini di ottimizzazione FOM, coprendo più scenari di applicazione.,tensione di basso portamento e tensione di basso limite, come il driver motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio dell'energia, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

 

Parametri tecnici:

Processo di struttura Fossa/SGT
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Processo SGT Applicazione Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Processo di trincea Vantaggi RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo SGT Vantaggi Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
resistenza Basso Rds ((ON)
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Consumo di energia Basse perdite di potenza
 

Applicazioni:

MOSFET a bassa tensione

REASUNOS Low Voltage MOSFET è un tipo di transistor a effetto campo (FET) che funziona a bassa tensione di gate.Con basso Rds ((ON), è adatto per la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore, il convertitore DC/DC, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

Ha un prezzo competitivo, con un imballaggio a prova di polvere, impermeabile e antistatico.e le condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW)La capacità di approvvigionamento mensile è di 5K.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Forniamo supporto tecnico e servizi per i prodotti MOSFET a bassa tensione. I nostri tecnici qualificati possono rispondere a domande relative all'installazione, al funzionamento e alla manutenzione di questi prodotti.

Se si verificano problemi con i prodotti MOSFET a bassa tensione, i nostri tecnici esperti sono disponibili per fornire servizi di risoluzione dei problemi.comprese le riparazioni e le sostituzioni dei prodotti.

Per ulteriori informazioni sul supporto tecnico e sui servizi di MOSFET a bassa tensione, contattateci all'indirizzo (xxx) xxx-xxxx o inviateci una e-mail all'indirizzo support@example.com.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

Il dispositivo MOSFET a bassa tensione verrà confezionato in modo sicuro in una busta antistatica.La scatola sarà sigillata e etichettata con le informazioni di spedizione corrette.

Il pacco verrà spedito tramite un corriere affidabile. Il corriere fornirà le informazioni di tracciamento una volta spedito il pacco.

 

FAQ:

Q1: Cos'è il MOSFET a bassa tensione?
A1: Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a effetto campo di potenza (FET) in grado di commutare o amplificare un segnale elettrico a bassa tensione di alimentazione.
D2: Qual è il marchio di questo prodotto?
R2: Il marchio di questo prodotto è REASUNOS.
D3: Dove è prodotto questo prodotto?
R3: Questo prodotto è prodotto nel Guangdong, in Cina.
Q4: Qual è il prezzo di questo prodotto?
R4: Il prezzo di questo prodotto dipenderà dalla quantità dell'ordine.
Q5: Come è confezionato questo prodotto?
A5: Questo prodotto è confezionato in un imballaggio tubolare antipolvere, impermeabile e antistatico, inserito in una scatola di cartone in cartone.