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実用的な低電力モスフェットトランジスタ 20V 60V 無線充電用

  • Practical Low Power Mosfet Transistors 20V 60V For Wireless Charging
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。
EAS機能 高い EAS 機能 SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。
電力消費量 低い電力の損失 抵抗 低いRDS （）
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 構造プロセス トレンチ/SGT
ハイライト

実用的な低電力モスフェットトランジスタ

,

低電源モスフェットトランジスタ 20V

,

無線充電 低電力モスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

高周波スイッチ トレンチ 低電圧 MOSFET と 信頼性の高い構造プロセス SGT/トレンチ

製品説明:

低電圧MOSFET

低電圧MOSFETは,低電力損失アプリケーションのための突破的なFOM最適化を提供する先進的な半導体デバイスです. それはモータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチと同期直線このMOSFETは,低ゲート電圧と低しきい電圧を有し,低電力損失で動作することができます.低ゲートチャージで優れたスイッチング性能を提供します..

低電圧MOSFETのユニークなSGTプロセスは,より多くのアプリケーションシナリオをカバーし,FOM最適化に関して優れた性能を提供します.低電力損失を必要とするアプリケーションに最適です.,低ゲート電圧と低しきい電圧,例えばモータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線

 

技術パラメータ:

構造プロセス トレンチ/SGT
トレンチプロセス 適用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
効率性 高効率 で 信頼 できる
SGT プロセス 適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
トレンチプロセスの利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
製品名 低電圧MOSFET
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
抵抗力 低Rds ((ON)
EAS能力 高いEAS能力
電力消費量 低電力損失
 

応用:

低電圧MOSFET

REASUNOS低電圧MOSFETは,低ゲート電圧で動作するフィールド効果トランジスタ (FET) の種類である.低電源損失と高いEAS能力を必要とするアプリケーションに最適である.Rds (オン) が低い場合ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバー,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期直線に適しています.

競争力のある価格で 防塵・防水・防静電の包装で 配達時間は2~30日です支払条件は100%T/T (EXW)月間供給能力は5KKです

 

サポートとサービス

低電圧 MOSFET 技術サポートとサービス

低電圧 MOSFET 製品 に 関する 技術 的 サポート と サービス を 提供 し て い ます.訓練 さ れ た 技術 者 たち は,これらの 製品 の 設置,運用,保守 に 関する 質問 に 答え ます.

低電圧 MOSFET 製品に問題がある場合は, 経験豊富な技術者がトラブルシューティングサービスを提供できます. また,販売後サポートも提供します.製品修理と交換を含む.

低電圧MOSFETの技術サポートとサービスに関する詳細については, (xxx) xxx-xxxxで連絡してください. support@example.comでメールしてください.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETの梱包と輸送:

低電圧MOSFET装置は,静止性のない袋に安全に梱包されます.パッケージは,プラスチック容器の中に入れて,その後,紙箱の中に入れます.箱はしっかりと密封され,適切な輸送情報とラベルを.

パッケージは信頼できる宅配業者によって送られます. 宅配会社は,パッケージが送られてから追跡情報を提供します.

 

FAQ:

Q1:低電圧MOSFETとは何か?
A1:低電圧MOSFETは,低電源電圧で電気信号を切り替えたり増幅したりできる電源場効果トランジスタ (FET) の 1 種類です.
Q2: この製品のブランド名は何ですか?
A2: この製品のブランド名は REASUNOS です.
Q3:この製品はどこで作られていますか?
A3: この製品は中国の広東で製造されています.
Q4:この製品の価格は?
A4:この製品の価格は注文量に依存します.詳細については,ご連絡ください.
Q5:この製品はどのようにパッケージ化されていますか?
A5: この製品は,防塵,防水,防静的管状の包装で,紙箱に詰め込まれています.
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET