Praktische Niederspannungs-MOSFET Multifunktions-N-Kanal-Niederspannungs-Rds

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Prozess strukturieren Graben/SGT Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric
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Praktische Niederspannungs-MOSFET

,

Niederspannungs-MOSFET Multifunktion

,

N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rds

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Hohe EAS-Kapazität Niedrigspannungs-MOSFET-Grenz/SGT-Strukturprozess Niedrige Rds ((ON)

Beschreibung des Produkts:

Low Voltage MOSFET ist eine Art Feldwirkungstransistor (FET), der unter niedriger Spannung arbeitet.Hochfrequenzschalter und synchrone BerichtigungDieses Niederspannungs-MOSFET verfügt über einen geringen Rds ((ON) -Widerstand, hohe Effizienz und zuverlässige Leistung sowie eine hohe EAS-Fähigkeit.Das für dieses Niederspannungs-MOSFET verwendete Strukturverfahren ist das Trench/SGT VerfahrenMit seiner fortschrittlichen Technologie ist dieses Niederspannungs-MOSFET in der Lage, in verschiedenen Anwendungen eine hervorragende Leistung zu bieten.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Vorteile
Niederspannungs-MOSFET (Trench-Verfahren) Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Niederspannungs-MOSFET (SGT-Verfahren) Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Stromverbrauch EAS-Fähigkeit
Niedriger Stromverlust Hohe EAS-Fähigkeit
Anwendung Effizienz
Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung (Trench-Prozess) Hochwirksam und zuverlässig
Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung (SGT-Prozess) - Ich weiß nicht.
Strukturprozess Widerstand
Graben/SGT Niedrige Rds ((ON)
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist ein Hochleistungs-Grenz- und SGT-Prozess-MOSFET mit niedrigem Rds ((ON) und hoher EAS-Fähigkeit.Motorfahrer, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Das Produkt ist staubdicht verpackt, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in einer Kartonschachtel in Kartons. Lieferzeit beträgt 2-30 Tage je nach Gesamtmenge. Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir widmen uns der Bereitstellung umfassender technischer Unterstützung und Service für alle unsere Low-Voltage-MOSFET-Produkte.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern kann Ihnen bei jeder Phase des Prozesses helfen., von der Konzeption und Auswahl bis hin zur Installation und Wartung.

Wir bieten eine Reihe von Dienstleistungen an:

  • Unterstützung bei der Gestaltung und Auswahl
  • Installations- und Wartungsunterstützung
  • Fehlerbehebung und Diagnose
  • Software- und Firmware-Updates
  • Produktbildung und -bildung

Unser Team steht Ihnen rund um die Uhr zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten, Ratschläge zu geben und alle Probleme zu lösen.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET

Aus Sicherheitsgründen werden die Niederspannungs-MOSFETs in einem robusten Karton verpackt und versandt, der die Komponenten vor äußeren Schäden schützt.Die Verpackung wird ordnungsgemäß versiegelt und mit einem Warnzeichen versehen, auf dem steht: "Fragile - Handle with Care".

Die Verpackung enthält auch eine ausführliche Gebrauchsanleitung für die Installation und Verwendung..

Die Niederspannungs-MOSFETs werden über eine zuverlässige Reederei versendet und mit einer eindeutigen Tracking-Nummer verfolgt.Die Versandzeit hängt vom Ziel ab und kann zwischen 3 und 7 Tage dauern..

 

Häufige Fragen:

FAQ: Niederspannungs-MOSFET
F1: Welche Marke ist das Niederspannungs-MOSFET?

A1: Das Niederspannungs-MOSFET ist von REASUNOS.

F2: Wo wird das Niederspannungs-MOSFET hergestellt?

A2: Das Niederspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie hoch ist der Preis für das Niederspannungs-MOSFET?

A3: Der Preis des Niederspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

F4: Wie ist die Verpackung des Niederspannungs-MOSFET?

A4: Das Niederspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.

F5: Wie lange dauert die Lieferung des Niederspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferung des Niederspannungs-MOSFET beträgt je nach Gesamtmenge 2-30 Tage.