Praktische Niederspannungs-MOSFET Multifunktions-N-Kanal-Niederspannungs-Rds
Herkunftsort | Guangdong, KN |
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Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

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xProzess strukturieren | Graben/SGT | Effizienz | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
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SGT-Prozessvorteile | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. | Vorteile des Grabenverfahrens | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
Produktbezeichnung | Niederspannungs-MOSFET | Stromverbrauch | Leistungsabfall der geringen Energie |
SGT-Prozessanwendung | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. | Anwendung im Grabenverfahren | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Hervorheben | Praktische Niederspannungs-MOSFET,Niederspannungs-MOSFET Multifunktion,N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rds |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RS2301E | P | -2.3 | -20 | 70 | 110 | SOT-23 | 3000 | |
2 | RS3415E | P | -4 | -20 | 33 | 50 | SOT-23 | 3000 | |
3 | RS2302E | N | 2.1 | 20 | 32 | 45 | SOT-23 | 3000 | |
4 | RS2300E | N | 4.5 | 20 | 21 | 32 | SOT-23 | 3000 | |
5 | RS2N7002E | N | 0.34 | 60 | 1300 | 5000 | SOT-23 | 3000 | |
6 | RS20N90D | N | 90 | 20 | 3.7 | 5 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS3401E | P | -4.2 | -30 | 50 | 65 | SOT-23 | 3000 | |
8 | RS4435 | P | -10 | -30 | 15 | 20 | SOP-8 | 4000 | |
9 | RS3400E | N | 5.8 | 30 | 27 | 35 | SOT-23 | 3000 | |
10 | RS30N30K | N | 30 | 30 | 5.8 | 9 | DFN3*3 | 5000 | |
11 | RS30N50K | N | 50 | 30 | 3.8 | 5.5 | DFN3*3 | 5000 | |
12 | RS30N60D | N | 60 | 30 | 6.2 | 7.5 | TO-252 | 2500 | |
13 | RS30N86D | N | 86 | 30 | 4.7 | 5.5 | TO-252 | 2500 | |
14 | RS30N120G | N | 120 | 30 | 3 | 4 | DFN5*6 | 5000 | |
15 | RS30N150D | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-252 | 2500 | |
16 | RS30N150T | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-220 | 1000 | |
17 | RS40N100G | N | 100 | 40 | 2.8 | 3.5 | DFN5*6 | 5000 | |
18 | RS40N120D | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-252 | 2500 | |
19 | RS40N120T | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-220 | 1000 | |
20 | RS150N105T | N | 105 | 150 | 9.8 | 11 | TO-220 | 1000 | |
21 | RS76N20T | N | 76 | 200 | 17 | 20 | TO-220 | 1000 | |
22 | RS2310E | N | 3 | 60 | 70 | 105 | SOT-23 | 3000 | |
23 | RS60N30D | N | 30 | 60 | 22 | 35 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS60N50D | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-252 | 2500 | |
25 | RS60N50T | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-220 | 1000 | |
26 | RS80N25W | N | 80 | 250 | 30 | 35 | TO-247 | 600 | |
27 | RS630D | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-252 | 2500 | |
28 | RS630T | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-220 | 1000 | |
29 | RS640D | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-252 | 2500 | |
30 | RS640T | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-220 | 1000 | |
31 | RS40N130G | N | 130 | 40 | 1.45 | 1.75 | DFN5*6 | 5000 | |
32 | RS40N180T | N | 180 | 40 | 1.6 | 2 | TO-220 | 1000 | |
33 | RS60N130G | N | 130 | 60 | 2.1 | 2.5 | DFN5*6 | 5000 | |
34 | RS60N200T | N | 200 | 60 | 2.5 | 3.2 | TO-220 | 1000 | |
35 | RS85N140T | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-220 | 1000 | |
36 | RS85N140S | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-263 | 800 | |
37 | RS85N150T | N | 150 | 85 | 2.8 | 3.6 | TO-220 | 1000 | |
38 | RS85N150S | N | 150 | 85 | 2.7 | 3.4 | TO-263 | 800 | |
39 | RS100N78HT | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
40 | RS100N78T | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
41 | RS100N100T | N | 100 | 100 | 7 | 8.5 | TO-220 | 1000 | |
42 | RS100N135T | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
43 | RS100N135HT | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
44 | RS100N135HS | N | 135 | 100 | 4.2 | 5 | TO-263 | 800 | |
45 | RS100N180T | N | 180 | 100 | 3 | 3.8 | TO-220 | 1000 | |
46 | RS100N180S | N | 180 | 100 | 2.9 | 3.6 | TO-263 | 800 | |
47 | RS100N190T | N | 190 | 100 | 2.3 | 3 | TO-220 | 1000 | |
48 | RS100N190S | N | 190 | 100 | 2.2 | 2.8 | TO-263 | 800 | |
49 | RS110N200T | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-220 | 1000 | |
50 | RS110N200S | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-263 | 800 | |
51 | RS100N210S | N | 200 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-263 | 800 | |
52 | RS100N210T | N | 210 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-220 | 1000 | |
53 | RS100N300I | N | 300 | 100 | 1.7 | 2.2 | TOLL | 2000 | |
54 | RS100N60G | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
55 | RS100N60HG | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
56 | RS100N85G | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
57 | RS100N85HG | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
58 | RS100N125G | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
59 | RS100N125HG | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
60 | RS100N150HG | N | 150 | 100 | 3.5 | 4.2 | DFN5*6 | 5000 |
Hohe EAS-Kapazität Niedrigspannungs-MOSFET-Grenz/SGT-Strukturprozess Niedrige Rds ((ON)
Beschreibung des Produkts:
Low Voltage MOSFET ist eine Art Feldwirkungstransistor (FET), der unter niedriger Spannung arbeitet.Hochfrequenzschalter und synchrone BerichtigungDieses Niederspannungs-MOSFET verfügt über einen geringen Rds ((ON) -Widerstand, hohe Effizienz und zuverlässige Leistung sowie eine hohe EAS-Fähigkeit.Das für dieses Niederspannungs-MOSFET verwendete Strukturverfahren ist das Trench/SGT VerfahrenMit seiner fortschrittlichen Technologie ist dieses Niederspannungs-MOSFET in der Lage, in verschiedenen Anwendungen eine hervorragende Leistung zu bieten.
Technische Parameter:
Produktbezeichnung | Vorteile |
---|---|
Niederspannungs-MOSFET (Trench-Verfahren) | Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden. |
Niederspannungs-MOSFET (SGT-Verfahren) | Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt. |
Stromverbrauch | EAS-Fähigkeit |
Niedriger Stromverlust | Hohe EAS-Fähigkeit |
Anwendung | Effizienz |
Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung (Trench-Prozess) | Hochwirksam und zuverlässig |
Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung (SGT-Prozess) | - Ich weiß nicht. |
Strukturprozess | Widerstand |
Graben/SGT | Niedrige Rds ((ON) |
Anwendungen:
REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist ein Hochleistungs-Grenz- und SGT-Prozess-MOSFET mit niedrigem Rds ((ON) und hoher EAS-Fähigkeit.Motorfahrer, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Das Produkt ist staubdicht verpackt, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in einer Kartonschachtel in Kartons. Lieferzeit beträgt 2-30 Tage je nach Gesamtmenge. Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir widmen uns der Bereitstellung umfassender technischer Unterstützung und Service für alle unsere Low-Voltage-MOSFET-Produkte.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern kann Ihnen bei jeder Phase des Prozesses helfen., von der Konzeption und Auswahl bis hin zur Installation und Wartung.
Wir bieten eine Reihe von Dienstleistungen an:
- Unterstützung bei der Gestaltung und Auswahl
- Installations- und Wartungsunterstützung
- Fehlerbehebung und Diagnose
- Software- und Firmware-Updates
- Produktbildung und -bildung
Unser Team steht Ihnen rund um die Uhr zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten, Ratschläge zu geben und alle Probleme zu lösen.
Verpackung und Versand:
Aus Sicherheitsgründen werden die Niederspannungs-MOSFETs in einem robusten Karton verpackt und versandt, der die Komponenten vor äußeren Schäden schützt.Die Verpackung wird ordnungsgemäß versiegelt und mit einem Warnzeichen versehen, auf dem steht: "Fragile - Handle with Care".
Die Verpackung enthält auch eine ausführliche Gebrauchsanleitung für die Installation und Verwendung..
Die Niederspannungs-MOSFETs werden über eine zuverlässige Reederei versendet und mit einer eindeutigen Tracking-Nummer verfolgt.Die Versandzeit hängt vom Ziel ab und kann zwischen 3 und 7 Tage dauern..
Häufige Fragen:
A1: Das Niederspannungs-MOSFET ist von REASUNOS.
A2: Das Niederspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
A3: Der Preis des Niederspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
A4: Das Niederspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
A5: Die Lieferung des Niederspannungs-MOSFET beträgt je nach Gesamtmenge 2-30 Tage.