Transistores Mosfet de baixa potência práticos 20V 60V para carregamento sem fio

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Consumo de energia Perda de baixa potência Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre processo de estrutura Trincheira/SGT
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Transistores Mosfet Práticos de Baixa Potência

,

Transistores Mosfet de baixa potência de 20 V

,

Carregamento sem fio de Mosfets de baixa potência

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão com uma estrutura de alta frequência e um processo de estrutura confiável SGT/Trench

Descrição do produto:

MOSFET de baixa tensão

O MOSFET de baixa tensão é um dispositivo avançado de semicondutores que oferece a otimização FOM inovadora para aplicações de baixa perda de energia.Comutador de alta frequência e retificação síncronaEste MOSFET tem uma tensão de porta baixa e uma tensão de limiar baixa, o que lhe permite operar com baixas perdas de energia.Ele também tem uma baixa resistência Rds ((ON) e oferece excelente desempenho de comutação com baixa carga de portão.

O processo SGT exclusivo do MOSFET de baixa tensão fornece desempenho superior em termos de otimização FOM, cobrindo mais cenários de aplicação.,Uma voltagem de porta baixa e uma voltagem de limiar baixa, tais como motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

 

Parâmetros técnicos:

Processo de estrutura Tranche/SGT
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Processo SGT Application Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo SGT Vantagens Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
resistência Baixa Rds ((ON)
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Consumo de energia Baixa perda de potência
 

Aplicações:

MOSFET de baixa tensão

O MOSFET de baixa tensão da REASUNOS é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) que opera em baixa tensão de gate.Com baixa Rds ((ON), é adequado para carregamento sem fio, carregamento rápido, motor driver, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

Tem um preço competitivo, com embalagens à prova de poeira, à prova de água e antiestática.e as condições de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW)A capacidade de abastecimento mensal é de 5K.

 

Apoio e Serviços:

MOSFET de baixa tensão Suporte técnico e serviço

Fornecemos suporte técnico e serviços para produtos MOSFET de baixa tensão. Nossos técnicos treinados podem responder perguntas relacionadas à instalação, operação e manutenção desses produtos.

Se você tiver algum problema com os produtos MOSFET de baixa tensão, nossos técnicos experientes estão disponíveis para fornecer serviços de solução de problemas.Incluindo reparações e substituições de produtos.

Para mais informações sobre o suporte técnico e serviços de MOSFET de baixa tensão, entre em contato conosco em (xxx) xxx-xxxx ou envie-nos um email para support@example.com.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

O dispositivo MOSFET de baixa tensão será embalado em segurança em um saco antiestático.A caixa será bem selada e rotulada com as informações de envio adequadas.

O pacote será enviado através de um correio confiável. O correio fornecerá informações de rastreamento assim que o pacote for enviado.

 

Perguntas frequentes:

P1: O que é um MOSFET de baixa tensão?
A1: O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de potência (FET) que pode alternar ou amplificar um sinal elétrico em baixa tensão de alimentação.
P2: Qual é a marca deste produto?
A2: A marca deste produto é REASUNOS.
P3: Onde é fabricado este produto?
A3: Este produto é fabricado em Guangdong, na China.
Q4: Qual é o preço deste produto?
R4: O preço deste produto dependerá da quantidade da encomenda.
P5: Como é embalado este produto?
A5: Este produto é embalado em embalagens tubulares à prova de pó, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.