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Transistores Mosfet de baja potencia 20V 60V para carga inalámbrica

  • Practical Low Power Mosfet Transistors 20V 60V For Wireless Charging
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Proceso de estructura Trinchera/SGT
Resaltar

Transistores Mosfet de baja potencia prácticos

,

Transistores Mosfet de baja potencia de 20 V

,

Carga inalámbrica de los mosfets de baja potencia
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de baja tensión con un proceso de estructura confiable SGT/Trench

Descripción del producto:

MOSFET de baja tensión

El MOSFET de bajo voltaje es un dispositivo avanzado de semiconductores que ofrece una optimización FOM innovadora para aplicaciones de baja pérdida de potencia.con una frecuencia de transmisión superior a 100 Hz,Este MOSFET tiene un voltaje de puerta bajo y un voltaje de umbral bajo, lo que le permite operar con bajas pérdidas de energía.También tiene una baja resistencia Rds ((ON) y ofrece un excelente rendimiento de conmutación con una baja carga de puerta.

El proceso SGT único del MOSFET de Bajo Voltage proporciona un rendimiento superior en términos de optimización de FOM, cubriendo más escenarios de aplicación.,la tensión de entrada baja y la tensión de umbral baja, como el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.

 

Parámetros técnicos:

Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Proceso de zanja Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Proceso SGT Aplicación El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Proceso de zanja Ventajas RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso SGT Ventajas La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
la resistencia Bajo Rds ((ON)
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Consumo de energía Baja pérdida de energía
 

Aplicaciones:

MOSFET de baja tensión

El MOSFET de bajo voltaje de REASUNOS es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que opera a bajo voltaje de puerta. Es ideal para aplicaciones que requieren baja pérdida de energía y alta capacidad EAS.Con baja Rds ((ON), es adecuado para la carga inalámbrica, la carga rápida, el conductor del motor, el convertidor DC / DC, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.

Tiene un precio competitivo, con un embalaje a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático. El tiempo de entrega es de 2-30 días, dependiendo de la cantidad total,y las condiciones de pago son 100% T/T por adelantado (EXW)La capacidad de suministro mensual es de 5K.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicios para productos MOSFET de bajo voltaje. Nuestros técnicos capacitados pueden responder preguntas relacionadas con la instalación, operación y mantenimiento de estos productos.

Si usted experimenta algún problema con los productos MOSFET de Bajo Voltage, nuestros técnicos experimentados están disponibles para proporcionar servicios de solución de problemas.incluidas las reparaciones y sustituciones de productos.

Para obtener más información sobre soporte técnico y servicios de MOSFET de bajo voltaje, póngase en contacto con nosotros en (xxx) xxx-xxxx o envíenos un correo electrónico a support@example.com.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

El dispositivo MOSFET de bajo voltaje se empaquetará de forma segura en una bolsa antistática. El paquete se colocará dentro de un recipiente de plástico y luego dentro de una caja de cartón.La caja será sellada con seguridad y etiquetada con la información de envío adecuada.

El paquete se enviará a través de un mensajero de confianza. El mensajero proporcionará información de seguimiento una vez que el paquete se envíe.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje?
A1: MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo de potencia (FET) que puede cambiar o amplificar una señal eléctrica a bajo voltaje de alimentación.
P2: ¿Cuál es la marca de este producto?
R2: La marca de este producto es REASUNOS.
P3: ¿Dónde se fabrica este producto?
R3: Este producto se fabrica en Guangdong, China.
P4: ¿Cuál es el precio de este producto?
R4: El precio de este producto dependerá de la cantidad del pedido.
P5: ¿Cómo se empaqueta este producto?
R5: Este producto está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base