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Multiscene 20V Mosfet Niedrigspannung, 5G Basisstation Niedrigleistungstransistor

  • Multiscene 20V Mosfet Low Voltage , 5G Base Station Low Power Transistor
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Widerstand Niedriges RDS (AN) Prozess strukturieren Graben/SGT
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
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Multiscene Mosfet Niederspannung

,

20V Mosfet Niederspannung

,

Transistor mit geringer Leistung der Basisstation
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

5G-Basisstation Niederspannungs-MOSFET mit SGT-Prozess mit geringem Stromverlust

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Leistungshalbleitergerät mit geringem Leistungsverlust und hoher EAS-Fähigkeit.Es wird in der Regel in Niederspannungsanwendungen verwendet und die Vorteile des Grabenprozesses ermöglichen es, kleinere RSP und frei kombinierte und genutzte Serien- und Parallelkonfigurationen zu habenDie Vorteile des SGT-Prozesses liefern zudem eine bahnbrechende FOM-Optimierung und decken mehr Anwendungen ab.Niederspannungs-MOSFET ist eine ideale Wahl für eine effiziente und zuverlässige Stromsteuerung.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Grabenprozess Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
 

Anwendungen:

Low Voltage MOSFET, eine Art Niederspannungstransistor, ist ein zuverlässiges und hocheffizientes Halbleitergerät mit geringer Torspannung, geringem Widerstand und sowohl seriellen als auch parallelen Konfigurationen.Es wird in verschiedenen Anwendungen wie drahtlosem Laden weit verbreitet, Schnellladung, Motorantrieb, Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.ist zu einem vereinbarten Preis erhältlich, mit staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung und kann je nach Gesamtmenge innerhalb von 2-30 Tagen geliefert werden.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW) und die Lieferkapazität beträgt 5KK/Monat..
 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte.von Design und Prototyping bis hin zur Produktion und NachproduktionWir haben eine breite Palette von Ressourcen, darunter Tutorials, Online-Dokumentation, Webinare und mehr. Wir bieten unseren Kunden bei Bedarf auch Unterstützung vor Ort.

Unser technisches Support- und Service-Team steht Ihnen rund um die Uhr zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten.Wir verpflichten uns, unseren Kunden Produkte und Dienstleistungen höchster Qualität anzubieten..

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe benötigen, kontaktieren Sie uns jederzeit.

 

Verpackung und Versand:

Das Niederspannungs-MOSFET-Produkt sollte in einer Elektrostatischen Entladung (ESD) -Tasche verpackt und in einer antistatischen Box versandt werden, um vor statischer Elektrizität zu schützen.

 

Häufige Fragen:

Fragen und Antworten zu Niederspannungs-MOSFET
  • - Was ist das?Wie heißt dieser Niederspannungs-MOSFET?
    A:Der Markenname dieses Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
  • - Was ist das?Wo kommt das Produkt her?
    A:Der Ursprung der Ware ist Guangdong, CN.
  • - Was ist das?Wie hoch ist der Preis für dieses Niederspannungs-MOSFET?
    A:Der Preis dieses Niederspannungs-MOSFET wird je nach Produkt bestätigt.
  • - Was ist das?Wie wird dieses Niederspannungs-MOSFET verpackt?
    A:Dieses Niederspannungs-MOSFET wird mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt.
  • - Was ist das?Wie lange dauert es, bis dieses Niederspannungs-MOSFET geliefert wird?
    A:Die Lieferzeit dieses Niederspannungs-MOSFET hängt von der Gesamtmenge ab und dauert in der Regel 2-30 Tage.
  • - Was ist das?Welche Zahlungsbedingungen bieten Sie an?
    A:Wir bieten 100% T/T im Voraus (EXW) als Zahlungsbedingungen an.
  • - Was ist das?Was ist die Versorgungsfähigkeit dieses Niederspannungs-MOSFET?
    A:Wir haben eine Lieferkapazität von 5K / Monat für dieses Niederspannungs-MOSFET.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET