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MOSFET-Multiscene mit stabiler Ultra-Niedrigspannung für schnelles Laden

  • Stable Ultra Low Voltage MOSFET Multiscene For Fast Charging
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
Widerstand Niedriges RDS (AN) Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Hervorheben

Stabiles Niederspannungs-MOSFET

,

Niederspannungs-MOSFET-Multiscene

,

Schnelle Ladung Ultra-Niedrigspannungs-Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Low Rds ((ON) Trench-Prozess-Transistor für Anwendungen mit Motorantrieb

Beschreibung des Produkts:

Low Voltage MOSFET ist ein Niederspannungs-Feldwirkungstransistor. Es ist eine ideale Wahl für Leistungssteuerungsanwendungen in Motorantrieb, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter,synchrone BerichtigungDas SGT-Verfahren bietet eine geringe RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden, und einen geringen Stromverlust.Der Grabenprozess ist sehr effizient und zuverlässigEs wird weit verbreitet in Motorantrieb, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung verwendet.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist mit fortschrittlichem SGT-Prozess und Grabenprozess ausgelegt, der eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit sowie einen geringen Stromverlust gewährleistet.5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung, drahtloses Laden, schnelles Laden und Gleichspannungs-/ Gleichspannungswandler usw. Dieses Produkt wird in Guangdong hergestellt,China mit ausgezeichneter Qualität und wettbewerbsfähigen PreisenEs wird mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen geliefert, die in einer Kartonbox in Kartons platziert sind.und die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Bei xx widmen wir uns der Bereitstellung höchster Servicequalität und Unterstützung für unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte.Unser Expertenteam ist hier, um Ihnen die Unterstützung zu geben, die Sie benötigen, um das Beste aus Ihrem Produkt herauszuholen..

Wir bieten eine Vielzahl von technischen Dienstleistungen an, darunter:

  • Unterstützung bei der Produktinstallation und Einrichtung
  • Online-Produktdokumentation und häufige Fragen
  • Fehlerbehebung und Reparatur von Produkten
  • Technischer Support per E-Mail, Telefon oder Online-Chat

Wir bieten auch eine Auswahl an Service-Plänen, mit Optionen für einen 24-Stunden-Notfall-Service.Unsere erfahrenen Techniker sind hier, um zu helfen..

Für weitere Informationen über unsere Low-Voltage-MOSFET-Technische Unterstützung und Dienstleistungen kontaktieren Sie uns bitte noch heute.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand

Niederspannungs-MOSFETs sollten in ESD-sichere Behälter verpackt und sorgfältig versandt werden.Die Niederspannungs-MOSFETs sollten auch ordnungsgemäß gekennzeichnet sein, damit sie im Falle einer Rückgabe leicht identifiziert werden können.Die Verpackung sollte auch die erforderliche Dokumentation enthalten, wie z. B. die Produktspezifikationen und die Installationsanweisungen.

 

Häufige Fragen:

F1:Welcher Markenname tragen die Niederspannungs-MOSFET-Produkte?A1: Der Markenname der Niederspannungs-MOSFET-Produkte ist REASUNOS.
F2:Wohin stammen die Niederspannungs-MOSFET-Produkte?A2: Der Ursprungsort der Niederspannungs-MOSFET-Produkte ist Guangdong, KN.
F3:Wie viel kostet das Niederspannungs-MOSFET?A3:Der Preis des Niederspannungs-MOSFET wird auf der Grundlage des spezifischen Produkts bestätigt.
F4:Welche Art von Verpackung verwendet das Niederspannungs-MOSFET?A4:Das Niederspannungs-MOSFET verwendet staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert sind.
F5:Wie ist die Lieferzeit für Niederspannungs-MOSFET?A5:Die Lieferzeit für Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET