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वायरलेस चार्जिंग के लिए व्यावहारिक कम पावर मोस्फेट ट्रांजिस्टर 20V 60V

  • Practical Low Power Mosfet Transistors 20V 60V For Wireless Charging
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है।
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
बिजली की खपत कम बिजली हानि प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू)
ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
प्रमुखता देना

व्यावहारिक कम शक्ति वाले मोस्फेट ट्रांजिस्टर

,

कम शक्ति वाले मोस्फेट ट्रांजिस्टर 20 वोल्ट

,

वायरलेस चार्जिंग लो पावर मोस्फेट्स
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

उच्च आवृत्ति स्विच ट्रेंच कम वोल्टेज MOSFET के साथ और विश्वसनीय संरचना प्रक्रिया SGT/ट्रेंच

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET

लो वोल्टेज एमओएसएफईटी एक उन्नत अर्धचालक उपकरण है जो कम शक्ति हानि अनुप्रयोगों के लिए सफलतापूर्वक एफओएम अनुकूलन प्रदान करता है। यह मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण,उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिकेशनइस एमओएसएफईटी में कम गेट वोल्टेज और कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज होता है, जिससे यह कम बिजली के नुकसान के साथ काम कर सकता है।इसके पास कम आरडीएस (आरडीएस) ऑन प्रतिरोध भी है और कम गेट चार्ज के साथ उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करता है.

निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी की अनूठी एसजीटी प्रक्रिया एफओएम अनुकूलन के मामले में बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती है, जो अधिक अनुप्रयोग परिदृश्यों को कवर करती है। यह कम बिजली हानि की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है,कम गेट वोल्टेज और कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जैसे मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।

 

तकनीकी मापदंडः

संरचना प्रक्रिया खाई/एसजीटी
खाई प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
खाई की प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
एसजीटी प्रक्रिया लाभ अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
 

अनुप्रयोग:

कम वोल्टेज MOSFET

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो कम गेट वोल्टेज पर काम करता है। यह उन अनुप्रयोगों के लिए आदर्श है जिन्हें कम बिजली हानि और उच्च EAS क्षमता की आवश्यकता होती है।कम आरडीएस (ऑन) के साथ, यह वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रिक्वेंसी स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए उपयुक्त है।

इसकी प्रतिस्पर्धी कीमत है, जिसमें धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक पैकेजिंग है। डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है,और भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं- मासिक आपूर्ति क्षमता 5K है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

निम्न वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं। हमारे प्रशिक्षित तकनीशियन इन उत्पादों की स्थापना, संचालन और रखरखाव से संबंधित प्रश्नों का उत्तर दे सकते हैं।

यदि आपको कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के साथ कोई समस्या होती है, तो हमारे अनुभवी तकनीशियन समस्या निवारण सेवाएं प्रदान करने के लिए उपलब्ध हैं। हम बिक्री के बाद सहायता भी प्रदान करते हैं,उत्पाद की मरम्मत और प्रतिस्थापन सहित.

निम्न वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवाओं के बारे में अधिक जानकारी के लिए, कृपया हमें (xxx) xxx-xxxx पर संपर्क करें या हमें support@example.com पर ईमेल भेजें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFET डिवाइस को एक एंटीस्टेटिक बैग में सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा। पैकेज को एक प्लास्टिक कंटेनर के अंदर रखा जाएगा, और फिर एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा जाएगा।बॉक्स को सुरक्षित रूप से सील किया जाएगा और उचित शिपिंग जानकारी के साथ लेबल किया जाएगा.

पैकेज को एक भरोसेमंद कूरियर के माध्यम से भेज दिया जाएगा। कूरियर पैकेज भेजने के बाद ट्रैकिंग जानकारी प्रदान करेगा।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

Q1: निम्न वोल्टेज MOSFET क्या है?
A1: कम वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का पावर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो कम बिजली आपूर्ति वोल्टेज पर विद्युत संकेत को स्विच या एम्पलीफाय कर सकता है।
प्रश्न 2: इस उत्पाद का ब्रांड नाम क्या है?
A2: इस उत्पाद का ब्रांड नाम REASUNOS है।
Q3: यह उत्पाद कहाँ बनाया गया है?
A3: यह उत्पाद गुआंग्डोंग, चीन में निर्मित है।
Q4: इस उत्पाद की कीमत क्या है?
A4: इस उत्पाद की कीमत आदेश की मात्रा पर निर्भर करेगी। अधिक जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
Q5: इस उत्पाद को कैसे पैक किया जाता है?
A5: यह उत्पाद धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया गया है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स में कार्टन में रखा गया है।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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