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Schnellladende Niederspannungs-MOSFET N-Kanal Mehrzweck für Motorfahrer
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Dauerhafte Schütze Niederspannung Leistung MOSFET, SGT Ultra Niederspannung Schwellen MOSFET
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
HF-Schalter Niederspannungs-MOSFET praktisch für die synchrone Berichtigung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
Multiscene Niedrigleistungs-Mosfet-Transistoren SGT stabil mit niedriger Schwellenspannung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
SGT Niedrigspannungs-MOSFET 30V 40V
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Mehrzweck-Niedrigleistungsmosfetten, N-Kanal-Mosfet Niedrigspannungsschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
N-Kanal Niederspannungs-MOSFET Stabil hoher EAS für Gleichspannungs-Gleichspannungswandler
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
60V 150V Niederspannung Hochstrom Mosfet Dauerhafte Multifunktion
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Kleine RSP Niederspannungs-MOSFET-Mehrszene N-Kanal Niedrigschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
Stabiler 20V Niedrigstrom-P-Kanal Mosfet, praktischer Niederspannungs-Hochstrom-Transistor
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |