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Dauerhafte Schütze Niederspannung Leistung MOSFET, SGT Ultra Niederspannung Schwellen MOSFET

  • Durable Trench Low Voltage Power MOSFET , SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Prozess strukturieren Graben/SGT
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Widerstand Niedriges RDS (AN)
Hervorheben

Nachhaltiges Niederspannungs-MOSFET

,

MOSFET für die Niederspannung

,

SGT-MOSFET mit ultraniedriger Schwellenspannung
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

MOSFET für Niederspannungsleistung mit Trench-/SGT-Strukturprozess und kleinerer RSP

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET, das in Niederspannungsanwendungen einen geringen Widerstand und eine hohe Effizienz bietet.Es ist eine Kombination von Trench und SGT-Prozess, der Durchbruch FOM-Optimierung gibt und umfasst mehr AnwendungDieses Produkt wurde entwickelt, um eine überlegene Leistung mit seinem Low Rds ((ON)) Widerstand, hoher Effizienz und zuverlässigem Betrieb zu bieten.MotorfahrerDas MOSFET ist die ideale Lösung für Anwendungen mit niedriger Spannung.

 

Technische Parameter:

Parameter Niederspannungs-MOSFET
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Strukturprozess Graben/SGT
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFETs sind die perfekte Wahl für Anwendungen, bei denen geringer Leistungsverlust und geringer Rds ((ON) -Widerstand kritisch sind.Diese Schützengraben-Niederspannungs-MOSFETs sind ideal für den Einsatz im drahtlosen Laden, schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.mit einer Breite von mehr als 50 mm, können diese Niederspannungs-FETs frei kombiniert und genutzt werden.

REASUNOS Niederspannungs-MOSFETs sind sehr preiswert, und ihre Verpackung ist staub-, wasser- und antistatisch geformte Rohrverpackung, die in einer Kartonbox in Kartons aufbewahrt wird.Die Lieferzeit beträgt in der Regel 2-30 Tage, abhängig von der GesamtmengeDie Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW) und die Versorgungsfähigkeit beträgt bis zu 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen, um sicherzustellen, dass Ihre Low-Voltage-MOSFET-Lösungen effizient und zuverlässig sind.

  • Wir bieten umfassende technische Unterstützung für alle Niederspannungs-MOSFET-Produkte.
  • Wir bieten Produktschulungen und Fehlerbehebung für Kunden an.
  • Wir liefern detaillierte Installationsanweisungen und Produktdokumentation.
  • Wir bieten Produktanpassungen und Anpassungsdienste an.
  • Wir bieten technische Unterstützung für Produkt-Upgrades und Reparaturen.
  • Wir bieten Kundendienst und Support.
 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFET-Produkte sollten in Übereinstimmung mit den Industriestandardrichtlinien verpackt und versandt werden.Das Produkt sollte in eine ESD-sichere Tasche oder Kiste mit geeignetem Polstermaterial aufbewahrt werden, um es vor physischen Schäden zu schützen.Die Verpackung sollte eindeutig mit der Bauteilnummer und dem Modell des Niederspannungs-MOSFET-Produkts versehen sein.Kontaktdaten des EmpfängersDas Paket sollte mit einem zuverlässigen Spediteur wie UPS oder FedEx versandt werden, um sicherzustellen, dass es pünktlich und sicher geliefert wird.

 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Niederspannungs-MOSFET?
A: Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der für den Betrieb bei niedriger Spannung entwickelt wurde.
F: Wie lautet der Markenname von Niederspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Wo wird Niederspannungs-MOSFET hergestellt?
A: Niederspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F: Wie hoch ist der Preis für Niederspannungs-MOSFET?
A: Der Preis für Niederspannungs-MOSFET sollte je nach Produkt bestätigt werden.
F: Wie wird ein Niederspannungs-MOSFET verpackt?
A: Niederspannungs-MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET