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HF-Schalter Niederspannungs-MOSFET praktisch für die synchrone Berichtigung

  • HF Switch Low Voltage MOSFET Practical For Synchronous Rectification
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Prozess strukturieren Graben/SGT
Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Widerstand Niedriges RDS (AN) Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
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Schalter Niederspannungs-MOSFET

,

Synchrone Niederspannungs-MOSFET

,

Praktische MOSFET mit niedrigem VGS
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

MOSFET mit niedrigem VGS-Wert für synchrone Berichtigung mit geringem Stromverlust

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET, das bei niedriger Spannung arbeitet und einen geringen Stromverbrauch ermöglicht.Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung und mehr. Seine wichtigsten Vorteile sind auf seinen Gräbenprozess zurückzuführen, der zu niedrigeren RDS ((ON) und RSP führt,und erlaubt auch, sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen frei und effizient zu verwendenDarüber hinaus werden SGT-Prozessanwendungen auch für Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung verwendet.

Niederspannungs-MOSFET wird aufgrund seines geringen Leistungsverlustes, des geringen RDS ((ON) und des kleinen RSPs in verschiedenen Anwendungen weit verbreitet.Mit seiner geringen Spannung und hohen Stromfähigkeit, wird es für eine effiziente und zuverlässige Energieumwandlung immer beliebter.

 

Technische Parameter:

Eigentum Niederspannungs-MOSFET
Verfahren Graben/SGT
Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, Synchrone Berichtigung, 5G-Basisstation, Energiespeicher
Vorteile Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendungen abdecken, kleinere RSP, sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
 

Anwendungen:

Niedrigspannungs-MOSFET von REASUNOS kann auf der Grundlage seines SGT-Verfahrens hohe Effizienz und zuverlässige Lösungen liefern.Es kann den Stromverlust effektiv reduzieren und sicherstellen, dass es für Motorfahrer geeignet ist, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung und andere verwandte Anwendungen.und antistatische RohrverpackungenDer Preis ist wettbewerbsfähig und wird anhand der Menge bestätigt. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge, während die Versorgungsfähigkeit bis zu 5KK / Monat beträgt.Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir sind hier, um unseren Kunden höchste technische Unterstützung und Service für Niederspannungs-MOSFET-Produkte zu bieten.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren ist bereit, alle Fragen zu beantworten, die Sie haben können, und Ihnen Anleitung zu geben, wie Sie unsere Produkte am besten nutzen können.

Wir bieten eine umfassende Palette von Dienstleistungen, einschließlich Installations- und Wartungsunterstützung, Fehlerbehebung und Reparatur sowie technisches Training.einschließlich ProdukthandbücherUnser Team steht Ihnen zur Verfügung, um Ihnen persönliche Beratung und Unterstützung für Ihre spezifische Bewerbung zu bieten.

Wenn Sie Fragen oder Bedenken zu unseren Niederspannungs-MOSFET-Produkten haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET

Niederspannungs-MOSFETs werden mit Standardverfahren verpackt und versandt, um Sicherheit und Qualität zu gewährleisten.zur Verhinderung von Schäden während der BeförderungDie Pakete werden dann versiegelt und mit einer Nachverfolgungsnummer gekennzeichnet, um die Nachverfolgung und Lieferung zu erleichtern.

Die Pakete werden dann an den Kunden mit dem Versanddienst ihrer Wahl versandt. Die Versandoptionen variieren je nach Art des Produkts, Versandziel und anderen Faktoren.Kunden können erwarten, dass ihre Bestellungen innerhalb der voraussichtlichen Lieferzeit eintreffen.

 

Häufige Fragen:

F1: Welche Marke hat das Niederspannungs-MOSFET?

A1:Die Marke von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort des Niederspannungs-MOSFET?

A2:Der Ursprungsort des Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.

F3: Wie hoch ist der Preis für das Niederspannungs-MOSFET?

A3:Der Preis für das Niederspannungs-MOSFET ist Produktpreis.

F4: Wie ist das Niederspannungs-MOSFET verpackt?

A4:Das Niederspannungs-MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.

F5: Wie lange dauert die Lieferung des Niederspannungs-MOSFET?

A5:Die Lieferung des Niederspannungs-MOSFET dauert je nach Gesamtmenge 2-30 Tage.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET