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N-Kanal Niederspannungs-MOSFET Stabil hoher EAS für Gleichspannungs-Gleichspannungswandler

  • N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS For DC DC Converter
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Prozess strukturieren Graben/SGT SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Widerstand Niedriges RDS (AN)
Hervorheben

N-Kanal Niederspannungs-MOSFET

,

Niederspannungs-MOSFET stabil

,

Umrichter Niedrig Vgs N Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niederspannungsfeldwirkungstransistor mit kleinerer RSP für Gleichspannung/Gleichspannungskonverter

Beschreibung des Produkts:

Niederspannungs-MOSFET ist eine fortschrittliche Art von Niederspannungsschwellenfeldwirkungstransistor (FET), der für eine Vielzahl von Anwendungen wie drahtloses Laden, Schnellladen, Motorantrieb geeignet ist,Dies ist ein revolutionäres Produkt mit geringem Leistungsverlust und einer bahnbrechenden FOM-Optimierung.für mehr AnwendungenDie Produktion erfolgt im Schützprozess und im SGT-Verfahren (Self-Gated Technology), wodurch sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen frei kombiniert und genutzt werden können.Durch die geringe Spannung und den geringen Stromverlust ist es eine ideale Wahl für Autofahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

 

Technische Parameter:

Verfahren Vorteile Anwendung
Graben Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden. Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
SGT Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt. Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Eigenschaften Beschreibung
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für alle Ihre Niederspannungsbedürfnisse.Es ist perfekt für Anwendungen wie drahtloses Laden., schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.die eine effizientere Nutzung der Vorrichtung ermöglichtDas Trench-Verfahren eignet sich für Anwendungen wie drahtloses Aufladen, Schnellladen, Motorantrieb, Gleichspannung/Gleichspannungskonverter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Das SGT-Verfahren eignet sich am besten für Kraftfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.und antistatische Rohrverpackung gewährleistet, dass alle REASUNOS Niederspannungs-MOSFETs sicher ankommen, und mit einer Lieferzeit von 2-30 Tagen (abhängig von der Gesamtmenge) und einem 100% T/T Vorauszahlungsbetrag (EXW) können Sie sicher sein, dass Ihre Bestellung unverzüglich erfüllt wird.Mit einer ausgezeichneten Versorgungsfähigkeit von 5KK/MonatDu musst dir keine Sorgen machen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Service für Niederspannungs-MOSFETs. Unser technisches Team bietet umfassende Unterstützung für Niederspannungs-MOSFETs von der Designphase bis zur Produktionsphase.Wir beraten Sie professionell bei der Auswahl, Design und Optimierung von Niederspannungs-MOSFETs.

Wir bieten eine breite Palette von Dienstleistungen an, darunter:

  • Konstruktionsberatung
  • Simulations- und Modellierungsdienste
  • Prüfung und Prüfung
  • Fehlerbehebung und Optimierung
  • Unterstützung von Anwendungen

Wir verfügen auch über ein Expertenteam, das Ihnen Fragen zu Niederspannungs-MOSFETs beantworten kann.

 

Verpackung und Versand:

Das Niederspannungs-MOSFET wird auf zwei Hauptformen verpackt und versandt:

  • Verpackung der einzelnen Bauteile: Die einzelnen Bauteile des Niederspannungs-MOSFET werden in feuchtigkeitsbeständigen Beuteln oder Kartons verpackt und mit einer Bauteilnummer gekennzeichnet.
  • Massenverpackung: Die Komponenten von Niederspannungs-MOSFET werden zusammengepackt und in eine große Schachtel oder einen großen Behälter gelegt.

Der Verpackungs- und Versandprozess wird von einer erfahrenen und zuverlässigen Reederei erledigt.Das Unternehmen wird dafür sorgen, dass das Niederspannungs-MOSFET sicher und sicher verpackt wird., gekennzeichnet und an den Bestimmungsort geliefert.

 

Häufige Fragen:

F: Was ist REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?

A: REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Halbleitergerät, das als Schalter oder Verstärker verwendet werden kann.

F: Wo ist der Ursprungsort von REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?

A: Der Ursprungsort von REASUNOS Low Voltage MOSFET ist Guangdong, China.

F: Wie hoch ist der Preis von REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?

A: Der Preis von REASUNOS Low Voltage MOSFET wird nach Bestätigung des Produkts angegeben.

F: Wie lautet die Verpackungsanweisung für REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?

A: REASUNOS Niederspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt.

F: Wie lange dauert die Lieferzeit für REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?

A: Die Lieferzeit für REASUNOS Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.

F: Welche Zahlungsbedingungen gelten für REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?

A: Die Zahlungsbedingungen für REASUNOS Niederspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus ((EXW).

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET