Todos os Produtos
Carregamento rápido MOSFET de baixa tensão N-Channel Multipurpose para motorista
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
|---|---|
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
MOSFET de potência de baixa tensão de trincheira durável, MOSFET de tensão de limiar ultra baixo SGT
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
|---|---|
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
MOSFET de baixa voltagem prático para retificação síncrona
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
|---|---|
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
Transistores Mosfet de baixa potência multiscene SGT estável com baixa tensão limite
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
|---|---|
| Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
Trench SGT MOSFET de baixa tensão de baixa resistência 30V 40V
| Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
|---|---|
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
Mosfetes de baixa potência multifuncionais, N Channel Mosfet de baixa tensão de limiar
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
|---|---|
| processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
| Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
MOSFET de baixa tensão de canal N EAS alto estável para conversor de CC DC
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
|---|---|
| Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
| Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
60V 150V Baixa Tensão Alta Corrente Mosfet Dura Multi Função
| Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
|---|---|
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
Pequeno RSP MOSFET de baixa tensão Multi Scene N Channel Low Threshold
| Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
|---|---|
| Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
| Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
MOSFET de canal P de baixa potência de 20 V estável, Transistor prático de baixa tensão de alta corrente
| eficiência: | Alta eficiência e confiável |
|---|---|
| Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
| Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |