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SGT Niedrigspannungs-MOSFET 30V 40V

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit Prozess strukturieren Graben/SGT
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Hervorheben

MOSFET für die Niederspannung im Graben

,

Niedrigspannungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand

,

Praktische Niedrigspannung Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

MOSFET mit niedrigem Spannungsgrad

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Leistungstransistor, der eine schnelle und zuverlässige Schaltleistung, hohe Effizienz und geringe Leistungsverluste bietet.wie drahtloses LadenMit seiner bahnbrechenden FOM-Optimierung und kleineren RSP, ist es möglich, dieDas Low-Voltage-MOSFET, das auf dem Grabenprozess basiert, kann mehr Anwendungen abdecken und frei kombiniert und sowohl in Serien als auch in parallelen Konfigurationen verwendet werdenEs bietet auch eine hohe EAS-Fähigkeit und kann bei Motorfahrern, 5G-Basisstationen, Energiespeicherung, Hochfrequenzschalter und synchroner Berichtigung verwendet werden, wenn es auf dem SGT-Prozess basiert.

 

Technische Parameter:

Parameter Grabenprozess SGT-Verfahren
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust Niedriger Stromverlust
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig Hochwirksam und zuverlässig
Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung. Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Strukturprozess Graben SGT
Vorteile Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden. Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Widerstand Niedrige Rds ((ON) Niedrige Rds ((ON)
 

Anwendungen:

SGT Niederspannungs-MOSFET

Das REASUNOS SGT Niederspannungs-MOSFET ist eine leistungsstarke Leistungskomponente, die mit beispielloser Effizienz Niederspannungs-Stromübergang bietet.Sie bietet hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit.Der SGT-Prozess bietet eine bahnbrechende FOM-Optimierung, die mehr Anwendungen abdeckt.und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werdenEs ist für Anwendungen wie Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, Synchrone Berichtigung geeignet. Es verbraucht auch einen geringen Stromverlust.

Das REASUNOS SGT Niederspannungs-MOSFET ist in Guangdong, China erhältlich. Der Preis wird je nach Produkt bestätigt.und antistatische RohrverpackungenDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge, und die Zahlung wird über 100% T/T im Voraus (EXW) angenommen.Das Unternehmen hat eine Lieferkapazität von 5KK/Monat..

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Niederspannungs-MOSFET-Technische Unterstützung und Dienstleistungen

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen an, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihrem Niederspannungs-MOSFET-Gerät zu machen.Unser Expertenteam ist bereit, alle Fragen zu beantworten, die Sie über Ihr Niederspannungs-MOSFET-Gerät haben können, und Lösungen für alle Probleme bieten, mit denen Sie konfrontiert sind.

Produktdokumentation

Wir bieten umfassende Produktdokumentation und technische Spezifikationen für Ihr Niederspannungs-MOSFET-Gerät, einschließlich Datenblätter, Anwendungsnotizen und Benutzerhandbücher.

Technische Unterstützung

Wir bieten technische Unterstützung für Ihr Niederspannungs-MOSFET-Gerät, einschließlich Fehlerbehebung und Konfigurationshilfe.Unser Expertenteam ist bereit, alle Fragen zu beantworten, die Sie über Ihr Niederspannungs-MOSFET-Gerät haben können, und Lösungen für alle Probleme bieten, mit denen Sie konfrontiert sind.

Software- und Firmware-Updates

Wir stellen Software- und Firmware-Updates für Ihr Niederspannungs-MOSFET-Gerät zur Verfügung, um sicherzustellen, dass Ihr Gerät maximal funktioniert.Unser Expertenteam ist bereit, alle Fragen zu beantworten, die Sie über die Updates haben., und Lösungen für alle Probleme bieten, mit denen Sie konfrontiert sind.

Ausbildung und Bildung

Wir bieten umfassende Schulungs- und Bildungsressourcen für Ihr Niederspannungs-MOSFET-Gerät, einschließlich Seminare und Webinare, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihrem Gerät zu machen.Unser Expertenteam ist bereit, alle Fragen zu den Ausbildungs- und Bildungsmitteln zu beantworten., und Lösungen für alle Probleme bieten, mit denen Sie konfrontiert sind.

 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFETs müssen ordnungsgemäß verpackt und versandt werden, um Schutz und Sicherheit zu gewährleisten.

  • Die Niederspannungs-MOSFETs sollten in antistatische Beutel oder Kartons gelegt werden.
  • Die Verpackung sollte gut versiegelt sein, um Feuchtigkeit oder Staub zu verhindern.
  • Die Verpackung sollte außerdem klar mit dem Produktnamen, dem Modell und allen anderen relevanten Informationen versehen sein.
  • Die Verpackung sollte deutlich mit dem Zeichen "FRAGILE" gekennzeichnet sein.
  • Die Verpackung sollte mit geeigneten Dämpfstoffen geschützt werden, um eine Beschädigung während des Transports zu verhindern.
  • Das Paket sollte mit zuverlässigen und sicheren Versandmethoden wie Luftfracht, Seefracht oder Expresskurier versandt werden.
 

Häufige Fragen:

Fragen und Antworten:

F1: Wie heißt dieser Niederspannungs-MOSFET?
A1: Die Marke ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort dieses Niederspannungs-MOSFET?
A2: Herkunftsort ist Guangdong, China.

F3: Wie ist die Preisstruktur für dieses Niederspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis wird je nach Produkt bestätigt.

F4: Wie ist das Produkt verpackt?
A4: Das Produkt ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.

F5: Wie lange dauert die Lieferzeit?
A5: Die Lieferzeit beträgt je nach Gesamtmenge zwischen 2 und 30 Tagen.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET