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Schnellladende Niederspannungs-MOSFET N-Kanal Mehrzweck für Motorfahrer

  • Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose For Motor Driver
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Prozess strukturieren Graben/SGT SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Widerstand Niedriges RDS (AN)
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Hervorheben

MOSFET mit schneller Ladung

,

Niederspannungs-MOSFET-N-Kanal

,

Mehrzweck-N-Kanal-Mosfet mit geringer Leistung
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Kleineres RSP Niederspannungs-MOSFET mit Trench-Prozessvorteilen

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist ein hochleistungsfähiger, niedrigschwellenfähiger Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der speziell für Anwendungen mit geringer Leistung entwickelt wurde.Es wird mit einem speziellen SGT-Verfahren hergestellt, die überlegene elektrische Eigenschaften wie einen geringen Rds ((ON) -Widerstand und eine hohe EAS-Fähigkeit (Energy Accumulation System) gewährleistet.einschließlich Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.so dass es eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit bietetEs bietet eine niedrige VGS (Gate-to-Source-Spannung) und eine hervorragende Schaltleistung, was es ideal für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch macht.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Eigenschaften
Niederspannungs-MOSFET kleinere RSP, hohe Effizienz und Zuverlässigkeit, geringe Rds ((ON), geringer Stromverlust
Verfahren Vorteile/Anwendung
Graben Kleinere RSP, sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden, drahtloses Laden, schnelles Laden, Motorantrieb, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter,Synchrone Berichtigung.
SGT Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendungen, Motor-Treiber, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
 

Anwendungen:

REASUNOS Low Voltage MOSFET ist ein leistungsfähiges Halbleitergerät mit geringer Spannung und geringer Rds ((ON). Es wird in vielen Anwendungen, wie Motor-Treiber, 5G-Basisstation, Energiespeicher,und Hochfrequenzschalter. Das Produkt besteht aus hochwertigen Materialien und ist staub-, wasser- und antistatisch verpackt.Das Produkt ist mit wettbewerbsfähigen Preisen und kurzen Lieferzeiten erhältlichAußerdem wird das Produkt in Guangdong, China, hergestellt, und eine Lieferfähigkeit von 5KK/Monat ist verfügbar.

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist auch für seine bahnbrechende FOM-Optimierung bekannt und deckt mehr Anwendungen als je zuvor ab.die kleinere RSP ermöglicht und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen frei kombinieren und nutzen kannDarüber hinaus ist auch das Gräbenverfahren verfügbar, das Vorteile wie kleinere RSP und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen bietet.

REASUNOS Low Voltage MOSFET ist Ihre beste Wahl für seine hervorragende Leistung und wettbewerbsfähigen Preis. Kunden können die geeigneten Zahlungsbedingungen wählen, wie 100% T / T im Voraus ((EXW),je nach Bedarf.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Bei der XYZ Corporation sind wir bestrebt, die beste technische Unterstützung und den besten Service für unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte zu bieten.Unser Team von hochqualifizierten Ingenieuren steht Ihnen zur Verfügung, um alle Fragen zu unseren Produkten zu beantworten..

Wir bemühen uns, sicherzustellen, dass unsere Produkte den höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards entsprechen.für die Abdeckung von Material- oder Verarbeitungsfehlern.

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe bei unseren Niederspannungs-MOSFET-Produkten benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

Niederspannungs-MOSFET-Produkte werden in antistatischem Material verpackt und in versiegelten Kartons geliefert.Der Kunde muss mit dem Produkt vorsichtig umgehen und darf ihm keine mechanischen, elektrischer oder thermischer Schock.

 

Häufige Fragen:

F1: Was ist ein Niederspannungs-MOSFET?

A1: Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor, der für Niederspannungsanwendungen entwickelt wurde.

F2: Welche Marke hat das Niederspannungs-MOSFET?

A2: Die Marke des Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F3: Wo wird das Niederspannungs-MOSFET hergestellt?

A3: Das Niederspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F4: Wie viel kostet das Niederspannungs-MOSFET?

A4: Der Preis des Niederspannungs-MOSFET wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.

F5: Wie ist die Verpackung für das Niederspannungs-MOSFET?

A5: Das Niederspannungs-MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET