Semua produk
Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose Untuk Pengemudi Motor
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
Proses struktur: | Parit/SGT |
Durable Trench Low Voltage Power MOSFET, SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
---|---|
efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
HF Switch MOSFET Tegangan Rendah Praktis Untuk Rektifisasi Sinkron
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
Proses struktur: | Parit/SGT |
efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
Multiscene Low Power Mosfet Transistor SGT Stabil Dengan Tegangan Ambang Rendah
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
Nama produk: | MOSFET Tegangan Rendah |
Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
Trench SGT MOSFET Tegangan Rendah 30V 40V
Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |
---|---|
Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
Multipurpose Low Power Mosfets, N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
---|---|
Proses struktur: | Parit/SGT |
Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
N Channel Low Voltage MOSFET Stabil High EAS Untuk DC DC Converter
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
Keuntungan proses parit: | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. |
Nama produk: | MOSFET Tegangan Rendah |
60V 150V tegangan rendah arus tinggi Mosfet tahan lama multi fungsi
Perlawanan: | Rds Rendah (AKTIF) |
---|---|
efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
RSP kecil tegangan rendah MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
---|---|
Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |
Stabil 20V Low Power P Channel Mosfet, Transistor Tegangan Tinggi Tegangan Rendah Praktis
efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
---|---|
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |