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Kleine RSP Niederspannungs-MOSFET-Mehrszene N-Kanal Niedrigschwelle

  • Small RSP Low Voltage MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric
Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we Prozess strukturieren Graben/SGT
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Hervorheben

MOSFET mit geringer RSP-Niederspannung

,

Niederspannungs-MOSFET-Multi-Szene

,

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niedrigspannung FET mit und zuverlässigem SGT-Prozess für Durchbruch FOM-Optimierung

Beschreibung des Produkts:

Niederspannungs-MOSFET: hohe Effizienz und Zuverlässigkeit

Das Niederspannungs-MOSFET ist ein Feldwirkungstransistor mit niedrigem Spannungsbereich und hoher Effizienz.es bietet eine überlegene FOM-Optimierung und deckt mehr Anwendungen abDer geringe Leistungsverlust und die geringe Rds ((ON) bieten einen geringen Widerstand zur Verringerung der Energieverschwendung.Sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.

 

Technische Parameter:

Parameter Beschreibung
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
 

Anwendungen:

Das Niederspannungs-MOSFET von REASUNOS ist die perfekte Lösung für alle Niederspannungs-Strombedürfnisse. Dieses MOSFET stammt aus Guangdong, China und bietet hervorragende Qualität zu einem unschlagbaren Preis.Es ist staubdicht., wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in einer Kartonschachtel in Karton verpackt wird, um die sichere Lieferung und Ankunft zu gewährleisten.je nach BestellmengeDie Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

Dieses Niederspannungs-MOSFET verfügt über einen geringen Rds ((ON) -Widerstand, der eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit gewährleistet.Sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und für maximale Wirkung genutzt werden.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Unser Team ist bestrebt, den Kunden den besten technischen Support für Niederspannungs-MOSFET-Produkte zu bieten.Unser Team ist auch zur Verfügung, um Fehlerbehebung und Reparaturdienste zu bieten, falls die Notwendigkeit auftritt.

Wir sind bestrebt, höchste Servicequalität und Unterstützung zu bieten.Wir freuen uns auf Ihr Gespräch..

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

Niederspannungs-MOSFET wird in einer ESD-sicheren Tasche verpackt und in eine antistatische Box gelegt, um eine sichere Lieferung zu gewährleisten.Alle Pakete werden über einen zuverlässigen Kurier versendet.Die Versandkosten variieren je nach Bestimmungsort und Gewicht.

 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Niederspannungs-MOSFET?
A: Niederspannungs-MOSFETs sind Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren (MOSFETs), die für den Betrieb bei niedrigen Spannungsniveaus entwickelt wurden.
F: Welche Marke trägt dieses Produkt?
A: REASUNOS ist der Markenname dieses Niederspannungs-MOSFET-Produkts.
F: Wo stammt dieses Produkt her?
A: Dieses Niederspannungs-MOSFET-Produkt stammt aus Guangdong, CN.
F: Wie ist die Verpackung?
A: Dieses Produkt ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonschachtel verpackt.
F: Wie ist die Lieferzeit?
A: Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, die von der Gesamtmenge abhängt.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET