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Multiscene Niedrigleistungs-Mosfet-Transistoren SGT stabil mit niedriger Schwellenspannung

  • Multiscene Low Power Mosfet Transistors SGT Stable With Low Threshold Voltage
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
Prozess strukturieren Graben/SGT EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedriges RDS (AN) Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
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Multiscene-Mosfet-Transistoren mit geringer Leistung

,

Low Power Mosfet Transistoren SGT

,

Stabiler Mosfet mit niedriger Schwellenspannung
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niederspannungs-MOSFET-Grench-Prozess Wireless Charging Hohe EAS-Kapazität

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art von MOSFET, die für Anwendungen optimiert ist, die eine geringe Torspannung und einen geringen Widerstand erfordern.Es ist ein fortschrittliches Halbleitergerät, das sowohl Trench-Prozess als auch SGT-Prozesstechnologien für eine überlegene Leistung verwendetDer SGT-Prozess ist die ideale Technologie für Anwendungen wie Motorfahrer, 5G-Basisstationen, Energiespeicherung, Hochfrequenzschaltung und synchrone Berichtigung.Es verfügt über bahnbrechende FOM-Optimierung und deckt mehr Anwendungen abDie Technik des Gräbenprozesses hingegen ist für kleinere RSP optimiert und kann frei kombiniert und in Serien- und Parallelkonfigurationen genutzt werden.Niederspannungs-MOSFET ist die ideale Wahl für das drahtlose Laden, schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannung/Gleichspannungskonverter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung, aufgrund seiner geringen Rds ((ON) und geringen Torspannung.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist ein Produkt aus Guangdong, China. Es hat einen wettbewerbsfähigen Preis, der auf dem Produkt basiert bestätigt wird. Die Verpackung ist staubdicht, wasserdicht und antistatisch,und wird in einem Karton in Kartons gelegtDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus, und das Produkt hat eine Lieferfähigkeit von 5KK/Monat.Der Strukturprozess ist entweder Trench oder SGT, wobei das Trench-Verfahren die Vorteile kleinerer RSP und sowohl serieller als auch paralleler Konfigurationen hat, die frei kombiniert und genutzt werden können.SGT-Prozess hat Vorteile der bahnbrechenden FOM-Optimierung, und deckt mehr Anwendungen wie Motor-Treiber, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, Synchrone Berichtigung ab.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Niederspannungs-MOSFET-Produkte sind mit einer Reihe von technischen Support- und Dienstleistungen ausgestattet.Wir stellen unseren Kunden die notwendigen Ressourcen zur Verfügung, um ihnen zu helfen, optimale Ergebnisse aus ihren Niederspannungs-MOSFET-Produkten zu erzielenZu diesen Dienstleistungen gehören:

  • Design- und Anwendungsunterstützung
  • Technische Dokumentation und Ressourcen
  • FAQs zu Produkten
  • Hilfe bei der Fehlerbehebung von Produkten
  • Software- und Firmware-Updates
  • Produktaustausch und -verbesserungen
  • Garantie- und Reparaturleistungen
 

Verpackung und Versand:

Die Verpackung und Lieferung von Niederspannungs-MOSFET folgt dem Standardverpackungs- und Versandverfahren.Die Schachtel wird dann mit einer Blasenfolie befestigt und in eine Kartonbox gelegtDas Paket wird dann über einen zuverlässigen Versanddienst versandt.

 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Niederspannungs-MOSFET?
A: Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Transistor, der MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren) zur Steuerung des Stromflusses in einem elektronischen Stromkreis verwendet.
F: Welche Marke trägt das Niederspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Wo ist der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET?
A: Der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis für Niederspannungs-MOSFET?
A: Der Preis für Niederspannungs-MOSFET ist auf Basis des Produkts bestätigt.
F: Wie ist die Verpackung von Niederspannungs-MOSFET?
A: Die Verpackung von Niederspannungs-MOSFET besteht aus staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.
F: Wie lange dauert die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
F: Welche Zahlungsbedingungen gelten für Niederspannungs-MOSFET?
A: Die Zahlungsbedingungen für Niederspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).
F: Wie hoch ist die Versorgungsfähigkeit von Niederspannungs-MOSFET?
A: Die Versorgungsfähigkeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET