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60V 150V Niederspannung Hochstrom Mosfet Dauerhafte Multifunktion

  • 60V 150V Low Voltage High Current Mosfet Durable Multi Function
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Widerstand Niedriges RDS (AN) Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric
Prozess strukturieren Graben/SGT Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Hervorheben

150V Niederspannung Hochstrom Mosfet

,

Niederspannung Hochstrom Mosfet Dauerhaft

,

Multifunktion Mosfet Niedrige Leistung
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

SGT Niederspannungs-MOSFET-Grench-/SGT-Prozess, der mehr Anwendungsmöglichkeiten bietet

Beschreibung des Produkts:

Niederspannungs-MOSFET

Low Voltage MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Schwellenspannungsgrad mit einem Gräbenprozess. Es bietet geringen Stromverlust, hohe EAS-Fähigkeit und hervorragende Leistung für drahtloses Laden, schnelles Laden, Motorfahrer,Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

Das Niederspannungs-MOSFET verwendet eine Gräbenstruktur, um die Stromverluste zu reduzieren.Das Niederspannungs-MOSFET eignet sich für verschiedene Anwendungen wie drahtloses Laden, schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

Das Niederspannungs-MOSFET ist eine ideale Wahl für diejenigen, die einen geringen Stromverlust, eine hohe EAS-Fähigkeit und eine hervorragende Leistung benötigen.Es ist die perfekte Wahl für alle Ihre Niederspannungsprojekte und Anwendungen.

 

Technische Parameter:

Eigenschaften Grabenprozess SGT-Verfahren
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben SGT
Niedrige Schwellenspannung - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
Durchbruch bei der FOM-Optimierung - Nein. - Ja, das ist es.
Hohe EAS-Fähigkeit - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
Kleinere RSP - Ja, das ist es. - Nein.
Frei kombiniert und genutzt - Ja, das ist es. - Nein.
Niedriger Stromverlust - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
Hochwirksam und zuverlässig - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
Niedrige Rds ((ON) - Ja, das ist es. - Ja, das ist es.
Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist die ideale Wahl für Anwendungen, die hohe Effizienz und zuverlässige Leistung erfordern.Dieses Gerät mit Niederspannungsfeldwirkungstransistor (FET) eignet sich für verschiedene Anwendungen wie tragbare elektronische GeräteEs verfügt über eine hohe EAS-Fähigkeit und einen SGT-Strukturprozess (Trench/SGT), der eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit bietet.Es hat einen geringen Stromverbrauch, so dass es eine ideale Wahl für Anwendungen ist, die Energieeffizienz erfordern.

REASUNOS Low Voltage MOSFET ist in verschiedenen Verpackungen erhältlich, wie staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen.Die Lieferzeit für dieses Produkt variiert je nach Gesamtmenge zwischen 2 und 30 Tagen.Der Preis dieses Produktes hängt auch vom Produkt selbst ab. Die Zahlungsbedingungen beinhalten 100% T/T im Voraus (EXW).

REASUNOS Low Voltage MOSFET verfügt über eine geringe Torspannung und eine hohe EAS-Fähigkeit, hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit, geringen Stromverbrauch und hohe Effizienz.Es ist die ideale Wahl für Anwendungen, die eine Niederspannungs-FET erfordern, Low Gate Voltage MOSFET, SGT Low Voltage MOSFET und hocheffiziente Lösungen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET, einschließlich:

  • Unterstützung bei der Konstruktion
  • Konstruktion und Herstellung nach Maßgabe
  • Fehlerbehebung und Reparatur
  • Unterstützung der Gerätewahl
  • Installation und Wartung vor Ort
  • Produktdokumentation und Benutzerhandbücher

Wenn Sie Fragen haben oder weitere Informationen benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFET-Produkte werden in einer sicheren und zuverlässigen Art und Weise verpackt und versandt.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Die Box wird dann mit Klebeband zum zusätzlichen Schutz versiegelt. Die Box wird dann in eine größere Box mit zusätzlicher Polsterung gelegt, um sicherzustellen, dass das Produkt während des Versands nicht beschädigt wird.

 

Häufige Fragen:

F1: Was ist REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?
A1: REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Leistungshalbleitervorrichtung, die zur Steuerung des Stromflusses in einem elektrischen Stromkreis verwendet wird.
F2: Wo liegt der Ursprungsort von REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?
A2: Der Ursprungsort von REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.
F3: Wie hoch ist der Preis von REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis von REASUNOS Low Voltage MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für einen bestätigten Preis.
F4: Wie ist das REASUNOS Niederspannungs-MOSFET verpackt?
A4: REASUNOS Niederspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonschachtel aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit für REASUNOS Niederspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit für REASUNOS Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET