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Mehrzweck-Niedrigleistungsmosfetten, N-Kanal-Mosfet Niedrigspannungsschwelle

  • Multipurpose Low Power Mosfets , N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Prozess strukturieren Graben/SGT
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
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Mehrzweck-Low-Power-Mosfets

,

N-Kanal-Mosfetten mit geringer Leistung

,

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niedrige Leistungsverluste SGT-Prozessanwendung Niedrige Rds ((ON) Energiespeicherfeldwirkungstransistor

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Feldwirkungstransistor (FET), der für den Betrieb mit einer niedrigen Schwellenspannung ausgelegt ist.mit einer bahnbrechenden FOM-Optimierung und einer hohen EAS-Fähigkeit. Es besteht aus einem Graben oder einer SGT-Struktur, um niedrige Rds ((ON) zu liefern.

Niederspannungs-MOSFETs werden in vielen Anwendungen wie Motorantrieb, 5G-Basisstation, Energiespeicherung, Hochfrequenzschalter, Synchrone Berichtigung weit verbreitet.Mit seiner niedrigen Torspannung und niedrigen Schwellenspannung, ist es für die Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen optimiert, z. B. in der Energieverwaltung, Motorsteuerung, Signalverarbeitung und Kommunikation.

Niederspannungs-MOSFET ist eine ideale Lösung für verschiedene Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, hoher Effizienz und geringem Lärm.und bietet eine hervorragende Leistung.

 

Technische Parameter:

Parameter Beschreibung
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Grabenprozess Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch in der FOM-Optimierung, um mehr Anwendungen abzudecken
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET bietet eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit für Anwendungen mit niedriger Torspannung wie Motorantrieb, 5G-Basisstation, Energiespeicher,Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung. Die Niederspannungs-MOSFETs sind aus dem fortschrittlichen SGT-Verfahren hergestellt, das eine bahnbrechende FOM-Optimierung ermöglicht und mehr Anwendungen abdeckt.Staubdicht, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in einer Kartonschachtel in Kartons. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage je nach Gesamtmenge, und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus ((EXW).Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET-Produkte. Unser Team von erfahrenen und sachkundigen Ingenieuren bietet schnelle und effiziente Lösungen für alle Probleme, denen Sie begegnen können.Unsere Dienstleistungen umfassen:

  • Fehlerbehebung und Fehlerbehebung
  • Designführung und Optimierung
  • Unterstützung von Firmware und Software
  • Unterstützung bei der Beantragung
  • Produktprüfung und -bewertung
  • Technische Dokumentation
  • Dienstleistungen im Bereich der individuellen Konstruktion

Wir sind bestrebt, unseren Kunden den bestmöglichen Service zu bieten. Falls Sie Hilfe benötigen, kontaktieren Sie uns bitte per Telefon, E-Mail oder Live-Chat und ein Mitglied unseres Teams wird in Kürze in Kontakt treten.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

  • Jedes Niederspannungs-MOSFET wird in eine antistatische Tüte gelegt, bevor es in eine Kartonscheibe verpackt wird.
  • Die Kartonbox wird dann mit einer Plastiktüte verschlossen.
  • Die versiegelte Kartonbox wird dann in eine Holzkiste gelegt, die mit Schaum gefüllt ist, um das Produkt während des Versands zu schützen.
  • Die Holzkiste wird dann mit Klebeband verschlossen und an den Kunden verschickt.
 

Häufige Fragen:

F1: Wie ist der Markenname von Niederspannungs-MOSFET?

A1:Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprung von Niederspannungs-MOSFET?

A2:Der Ursprung von Niederspannungs-MOSFET liegt in Guangdong, CN.

F3: Wie hoch ist der Preis für Niederspannungs-MOSFET?

A3:Der Preis von Niederspannungs-MOSFET sollte auf der Grundlage des Produkts bestätigt werden.

F4: Wie wird ein Niederspannungs-MOSFET verpackt?

A4:Das Niederspannungs-MOSFET wird mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.

F5: Wie ist die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET?

A5:Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, was von der Gesamtmenge abhängt.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET