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Chargement rapide à basse tension MOSFET N-Channel Multifonctionnel pour le conducteur automobile
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
MOSFET de puissance à basse tension à tranchée durable, MOSFET de tension de seuil ultra bas SGT
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
MOSFET à basse tension pratique pour la rectification synchrone
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
Transistors Mosfet à faible puissance multi-scène SGT Stable avec basse tension de seuil
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
SGT à basse tension MOSFET à basse résistance pratique 30V 40V
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
|---|---|
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Mosfets à faible puissance polyvalents, N-Channel Mosfet Voltage de seuil bas
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
MOSFET à basse tension de canal N EAS élevé stable pour convertisseur CC-DC
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Nom du produit: | MOSFET basse tension |
60V 150V basse tension haut courant Mosfet durable multi-fonction
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
|---|---|
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
RSP à basse tension MOSFET multi-scène N-canal
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
Stable à basse tension 20V P Channel Mosfet, Transistor à haute tension pratique.
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
|---|---|
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |