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MOSFET de puissance à basse tension à tranchée durable, MOSFET de tension de seuil ultra bas SGT

  • Durable Trench Low Voltage Power MOSFET , SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
Capacité EAS Capacité EAS élevée Processus de structuration Tranchée/SGT
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Résistance Le bas RDS (DESSUS)
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MOSFET à basse tension

,

MOSFET de puissance à basse tension de tranchée

,

SGT MOSFET à tension de seuil ultra bas
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET de puissance basse tension avec processus de structure de tranchée/SGT et RSP plus petit

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un MOSFET de puissance conçu pour fournir une faible résistance et une efficacité élevée dans les applications basse tension.C'est une combinaison de processus Trench et SGT qui donne la percée Optimisation FOM et couvre plus d'applicationCe produit est conçu pour offrir des performances supérieures grâce à sa résistance basse Rds ((ON), son efficacité élevée et son fonctionnement fiable.conducteur automobileLe MOSFET à basse tension est la solution idéale pour les applications de faible tension.

 

Paramètres techniques:

Paramètre MOSFET à basse tension
Résistance Rds bas ((ON)
Processus de la structure Traînée/SGT
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Efficacité Très efficace et fiable
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
 

Applications:

REASUNOS Les MOSFET basse tension sont le choix idéal pour les applications où une faible perte de puissance et une faible résistance Rds ((ON) sont essentielles.Ces MOSFET à basse tension sont idéaux pour une charge sans filIls offrent une capacité EAS élevée et une perte de puissance extrêmement faible avec un RSP plus petit.d'une hauteur n'excédant pas 10 mm, ces FET à basse tension peuvent être librement combinés et utilisés.

Les MOSFET basse tension REASUNOS sont très bon marché, et leur emballage est à l'épreuve de la poussière, à l'épreuve de l'eau et à l'épreuve de l'impédance.Le délai de livraison est généralement de 2 à 30 jours selon la quantité totaleLes conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW) et la capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois.

 

Assistance et services:

Support technique et services pour les MOSFET basse tension

Nous fournissons un soutien technique et des services pour vous assurer que vos solutions MOSFET basse tension sont efficaces et fiables.

  • Nous fournissons un soutien technique complet pour tous les produits MOSFET basse tension.
  • Nous offrons une formation sur les produits et des services de dépannage pour les clients.
  • Nous fournissons des instructions d'installation détaillées et la documentation du produit.
  • Nous offrons des services de personnalisation et de personnalisation de produits.
  • Nous fournissons un soutien technique pour les mises à niveau et les réparations de produits.
  • Nous offrons un service après-vente et un soutien.
 

Emballage et expédition

Les produits MOSFET basse tension doivent être emballés et expédiés conformément aux directives standard de l'industrie.Le produit doit être placé dans un sac ou une boîte sécurisé contre les ESD avec un matériau d'amortissement approprié pour le protéger des dommages physiques.L'emballage doit être clairement étiqueté avec le numéro de pièce et le modèle du produit MOSFET basse tension.les coordonnées du destinataireLe colis doit être expédié par un transporteur fiable, tel qu'UPS ou FedEx, pour s'assurer qu'il est livré en toute sécurité et à temps.

 

FAQ:

Q: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension?
R: Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) conçu pour fonctionner à basse tension.
Q: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
R: Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.
Q: Où le MOSFET basse tension est-il produit?
R: Le MOSFET basse tension est produit à Guangdong, en Chine.
Q: Quel est le prix du MOSFET basse tension?
R: Le prix du MOSFET basse tension doit être confirmé en fonction du produit.
Q: Comment le MOSFET basse tension est-il emballé?
R: Le MOSFET basse tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base