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MOSFET di potenza a bassa tensione di fossa durevole, MOSFET di soglia ultra bassa SGT

  • Durable Trench Low Voltage Power MOSFET , SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. efficienza Alta efficienza e affidabilità
Consumo di energia Perdita di potere basso Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Processo di struttura Trincea/SGT
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Resistenza RDS basso (SOPRA)
Evidenziare

MOSFET di potenza a bassa tensione resistente

,

MOSFET di potenza a bassa tensione

,

SGT MOSFET a tensione di soglia ultra bassa
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET di potenza a bassa tensione con processo di struttura SGT e RSP più piccolo

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un MOSFET di potenza progettato per fornire bassa resistenza e elevata efficienza nelle applicazioni a bassa tensione.Si tratta di una combinazione di processo Trench e SGT che dà una svolta FOM ottimizzazione e copre più applicazioneQuesto prodotto è stato progettato per offrire prestazioni superiori con la sua resistenza Low Rds ((ON), elevata efficienza e funzionamento affidabile.autistaIl MOSFET a bassa tensione è la soluzione ideale per le applicazioni di potenza a bassa tensione.

 

Parametri tecnici:

Parametro MOSFET a bassa tensione
Resistenza Basso Rds ((ON)
Processo di struttura Fossa/SGT
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Consumo di energia Basse perdite di potenza
 

Applicazioni:

REASUNOS I MOSFET a bassa tensione sono la scelta perfetta per le applicazioni in cui sono critiche una bassa perdita di potenza e una bassa resistenza Rds ((ON).Questi MOSFET a bassa tensione sono ideali per l'uso nella ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettificazione sincrona.Con configurazioni sia in serie che in parallelo, questi FET a bassa tensione possono essere liberamente combinati e utilizzati.

I MOSFET a bassa tensione REASUNOS hanno un ottimo prezzo, e il loro imballaggio è a prova di polvere, impermeabile e anti-statico, inserito in una scatola di cartone in cartone.Il tempo di consegna è di solito di 2-30 giorni a seconda della quantità totaleLe condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW) e la capacità di fornitura è fino a 5KK/mese.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizi di MOSFET a bassa tensione

Forniamo supporto tecnico e servizi per garantire che le soluzioni MOSFET a bassa tensione siano efficienti e affidabili.

  • Forniamo un supporto tecnico completo per tutti i prodotti MOSFET a bassa tensione.
  • Offriamo servizi di formazione sui prodotti e di risoluzione dei problemi per i clienti.
  • Forniamo istruzioni di installazione dettagliate e documentazione del prodotto.
  • Offriamo servizi di personalizzazione e personalizzazione dei prodotti.
  • Forniamo supporto tecnico per gli aggiornamenti e le riparazioni dei prodotti.
  • Offriamo servizio post-vendita e supporto.
 

Imballaggio e trasporto:

I prodotti MOSFET a bassa tensione devono essere confezionati e spediti in conformità alle linee guida standard del settore.Il prodotto deve essere collocato in un sacchetto o in una scatola protetta da ESD con un materiale di ammortizzazione appropriato per proteggerlo dai danni fisici. l'imballaggio deve essere chiaramente etichettato con il numero di parte e il modello del prodotto MOSFET a bassa tensione.informazioni di contatto del destinatarioIl pacco deve essere spedito da un corriere affidabile, come UPS o FedEx, per assicurarsi che venga consegnato in modo sicuro e in tempo.

 

FAQ:

D: Cos'è il MOSFET a bassa tensione?
R: Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a effetto campo a metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) progettato per funzionare a bassa tensione.
D: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?
R: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.
D: Dove viene prodotto il MOSFET a bassa tensione?
R: Il MOSFET a bassa tensione è prodotto nel Guangdong, in Cina.
D: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?
R: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione deve essere confermato in base al prodotto.
D: Come viene confezionato il MOSFET a bassa tensione?
R: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antirughe, collocato in una scatola di cartone in cartone.
Etichette:

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