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MOSFET de potencia de baja tensión de zanja duradera, MOSFET de voltaje de umbral ultra bajo SGT

  • Durable Trench Low Voltage Power MOSFET , SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. eficiencia Alta eficiencia y confiable
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Proceso de estructura Trinchera/SGT
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Resaltar

MOSFET de energía de baja tensión duradero

,

MOSFET de potencia de baja tensión de zanja

,

MOSFET de voltaje de umbral ultra bajo SGT
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de potencia de bajo voltaje con proceso de estructura de zanja / SGT y RSP más pequeño

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un MOSFET de potencia diseñado para proporcionar baja resistencia y alta eficiencia en aplicaciones de bajo voltaje.Es una combinación de proceso Trench y SGT que da un gran avance FOM Optimización y cubre más aplicaciónEste producto está diseñado para ofrecer un rendimiento superior con su baja resistencia Rds ((ON), alta eficiencia y funcionamiento confiable.conductor de motorEl MOSFET de bajo voltaje es la solución ideal para aplicaciones de energía de bajo voltaje.

 

Parámetros técnicos:

Parámetro MOSFET de baja tensión
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Consumo de energía Baja pérdida de energía
 

Aplicaciones:

REASUNOS Los MOSFET de bajo voltaje son la opción perfecta para aplicaciones donde la baja pérdida de potencia y la baja resistencia Rds ((ON) son críticas.Estos MOSFET de baja tensión son ideales para su uso en la carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona.con una longitud de más de 20 mm, estos FET de bajo voltaje pueden combinarse y utilizarse libremente.

Los MOSFET de bajo voltaje REASUNOS tienen un gran precio, y su embalaje es a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático en un embalaje tubular, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.El tiempo de entrega es generalmente de 2 a 30 días dependiendo de la cantidad totalLos términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW) y la capacidad de suministro es de hasta 5KK/mes.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicios de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicios para garantizar que sus soluciones MOSFET de bajo voltaje sean eficientes y confiables.

  • Proporcionamos soporte técnico integral para todos los productos MOSFET de bajo voltaje.
  • Ofrecemos capacitación de productos y servicios de solución de problemas para los clientes.
  • Proporcionamos instrucciones detalladas de instalación y documentación del producto.
  • Ofrecemos productos personalizados y servicios de personalización.
  • Proporcionamos soporte técnico para actualizaciones y reparaciones de productos.
  • Ofrecemos servicio postventa y apoyo.
 

Embalaje y envío:

Los productos MOSFET de bajo voltaje deben empaquetarse y enviarse de acuerdo con las directrices estándar de la industria.El producto debe colocarse en una bolsa o caja de seguridad ESD con un material de amortiguación adecuado para protegerlo de daños físicosEl paquete debe estar claramente etiquetado con el número de pieza y el modelo del producto MOSFET de baja tensión.Información de contacto del destinatarioEl paquete debe enviarse con un transportista confiable, como UPS o FedEx, para garantizar que se entregue de forma segura y a tiempo.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje?
R: El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) diseñado para operar a bajo voltaje.
P: ¿Cuál es el nombre de marca del MOSFET de Bajo Voltado?
R: El nombre comercial del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.
P: ¿Dónde se produce el MOSFET de bajo voltaje?
R: El MOSFET de bajo voltaje se produce en Guangdong, China.
P: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?
R: El precio del MOSFET de bajo voltaje debe confirmarse en función del producto.
P: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje?
R: El MOSFET de bajo voltaje está embalado con un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base