모든 제품
담당자 : Anita Yin
전화 번호 : +86 13712219843
왓츠앱 : 8613712219843

내구성 트렌치 저전압 전력 MOSFET, SGT 극저전압 MOSFET

  • Durable Trench Low Voltage Power MOSFET , SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.

왓츠앱:0086 18588475571

위챗: 0086 18588475571

스카이프: sales10@aixton.com

만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.

x
제품 상세 정보
SGT 프로세스의 장점 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다. 효율성 높은 효율성과 신뢰성
소비 전력 낮은 전력 손실 트렌치 공정의 장점 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다.
EAS 기능 높은 EAS 기능 구조 프로세스 트렌치/SGT
트렌치 공정 적용 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. 저항 낮은 RDS(ON)
강조하다

내구성 있는 저전압 전력 MOSFET

,

트렌치 저전압 전력 MOSFET

,

SGT 초저저압전압 MOSFET
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
메시지를 남겨주세요
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

트렌치/SGT 구조 프로세스와 더 작은 RSP로 낮은 전압 전력 MOSFET

제품 설명:

저전압 MOSFET는 저전압 애플리케이션에서 낮은 저항과 높은 효율을 제공하기 위해 설계된 전력 MOSFET입니다.트렌치와 SGT 프로세스의 조합으로 획기적인 FOM 최적화를 제공하며 더 많은 응용 프로그램을 다루고 있습니다이 제품은 낮은 Rds ((ON) 저항, 높은 효율성 및 신뢰할 수있는 작동으로 우수한 성능을 제공하기 위해 설계되었습니다.자동차 운전자, DC / DC 변환기, 고 주파수 스위치 및 동기 교정. 저전압 MOSFET는 저전압 전력 애플리케이션에 대한 이상적인 솔루션입니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 저전압 MOSFET
저항력 낮은 Rds ((ON)
구조 과정 트렌치/SGT
EAS 능력 높은 EAS 능력
트렌치 공정 의 장점 더 작은 RSP, 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다.
효율성 높은 효율성 과 신뢰성
트렌치 프로세스 응용 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 동기 교정
SGT 공정의 장점 돌파구 FOM 최적화, 더 많은 응용 프로그램을 커버.
SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 교정
전력 소비 낮은 전력 손실
 

응용 프로그램:

REASUNOS 저전압 MOSFET는 낮은 전력 손실과 낮은 Rds ((ON) 저항이 중요한 애플리케이션에 완벽한 선택입니다.이 트렌치 저전압 MOSFET는 무선 충전에서 사용하기에 이상적입니다, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC / DC 변환기, 고 주파수 스위치 및 동기 교정. 그들은 더 작은 RSP와 함께 높은 EAS 기능과 매우 낮은 전력 손실을 제공합니다.직렬 및 병렬 구성으로, 이러한 저전압 FET는 자유롭게 결합 및 활용 될 수 있습니다.

REASUNOS 저전압 MOSFET는 좋은 가격으로 제공되며, 그 패키지는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 패키지입니다.배달 시간은 일반적으로 전체 양에 따라 2 ~ 30 일입니다.지불 조건은 100% T/T in Advance (EXW) 이며 공급 능력은 한 달에 5KK까지입니다.

 

지원 및 서비스:

저전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 기술 지원과 서비스를 제공하여 낮은 전압 MOSFET 솔루션이 효율적이고 신뢰할 수 있도록합니다.

  • 우리는 모든 저전압 MOSFET 제품에 대한 포괄적인 기술 지원을 제공합니다.
  • 우리는 고객에게 제품 교육과 문제 해결 서비스를 제공합니다.
  • 우리는 설치 지침과 제품 문서를 상세히 제공합니다.
  • 우리는 제품 사용자 정의 및 사용자 정의 서비스를 제공합니다.
  • 우리는 제품 업그레이드와 수리를 위한 기술 지원을 제공합니다.
  • 우리는 판매 후 서비스와 지원을 제공합니다.
 

포장 및 운송:

저전압 MOSFET 제품은 산업 표준 지침에 따라 포장 및 배송되어야 합니다.제품은 신체적 손상으로부터 보호하기 위해 적절한 완충 물질이있는 ESD 안전 가방 또는 상자에 배치해야합니다.패키지에는 낮은 전압 MOSFET 제품의 부품 번호와 모델이 명확하게 표시되어야 합니다. 배송 라벨은 올바른 목적지 주소를 포함하여 패키지에 붙여야 합니다.수신자 연락처, 그리고 배송자의 연락처 정보. 패키지는 UPS 또는 FedEx와 같은 신뢰할 수있는 운송업체로 배송되어야 안전하고 시간에 배달되도록합니다.

 

FAQ:

질문: 저전압 MOSFET란 무엇인가요?
A: 저전압 MOSFET는 낮은 전압에서 작동하도록 설계된 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 의 일종입니다.
질문: 저전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A: 저전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q: 낮은 전압 MOSFET는 어디서 생산되는가?
A: 저전압 MOSFET는 중국 광둥에서 생산됩니다.
Q: 저전압 MOSFET의 가격은 얼마인가요?
A: 낮은 전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인되어야 합니다.
질문: 저전압 MOSFET은 어떻게 포장됩니까?
A: 저전압 MOSFET는 먼지, 물, 반 정적 튜버형 포장으로 포장되어 있으며, 카튼에 포장되어 있습니다.
꼬리표:

N 채널 모스페트 낮은 문장 전압

안정적인 저전력 P 채널 모스페트

기본 스테이션 저전압 MOSFET