すべての製品
コンタクトパーソン : Anita Yin
電話番号 : +86 13712219843
Whatsapp : +8613712219843

耐久性 トレンチ 低電圧電源 MOSFET SGT超低電圧 MOSFET

  • Durable Trench Low Voltage Power MOSFET , SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

試供品およびクーポンのための私に連絡しなさい。

Whatsapp:0086 18588475571

微信: 0086 18588475571

スカイプ: sales10@aixton.com

心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。

x
商品の詳細
SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 効率性 高効率と信頼性
電力消費量 低い電力の損失 トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。
EAS機能 高い EAS 機能 構造プロセス トレンチ/SGT
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 抵抗 低いRDS （）
ハイライト

耐久性のある低電圧電源MOSFET

,

トレンチ低電圧電源MOSFET

,

SGT超低スローレッジ電圧MOSFET
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

トレンチ/SGT構造プロセスとより小さなRSPを持つ低電圧電源MOSFET

製品説明:

低電圧MOSFETは,低電圧アプリケーションで低抵抗と高効率を提供するように設計された電力MOSFETです.トレンチとSGTプロセスの組み合わせで,突破的なFOM最適化を提供し,より多くのアプリケーションをカバーしますこの製品は,Low Rds ((ON) 抵抗,高効率,信頼性の高い動作により優れた性能を提供するように設計されています.その用途には,ワイヤレス充電,高速充電,自動車運転手低電圧MOSFETは,低電圧電力アプリケーションの理想的なソリューションです.

 

技術パラメータ:

パラメータ 低電圧MOSFET
抵抗力 低Rds ((ON)
構造プロセス トレンチ/SGT
EAS 能力 高いEAS能力
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
効率性 高効率 で 信頼 できる
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
SGTプロセスの適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
電力消費量 低電力損失
 

応用:

REASUNOS 低電圧MOSFETは,低電源損失と低Rds ((ON) 抵抗が重要なアプリケーションに最適です.ワイヤレス充電に使用するのに理想的です,高速充電,モータードライバ,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期直線.彼らはより小さなRSPで高いEAS能力と非常に低い電力損失を提供します.配列式と並列式の両方でこの低電圧FETは自由に組み合わせて利用できます.

REASUNOS 低電圧MOSFETは 高い価格で 防塵・防水・防静管型で カートンの箱に入れます配達時間は通常,総量に応じて 2-30 日です.支払条件は100%T/T アドバンス (EXW) で,供給能力は月5KKまでです.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

低電圧MOSFETソリューションが効率的で信頼性のあることを保証するために 技術的なサポートとサービスを提供します

  • 低電圧MOSFET製品に 総合的な技術サポートを提供しています
  • 顧客に製品トレーニングやトラブルシューティングサービスを提供します
  • 詳細な設置説明書と 製品ドキュメントを提供します
  • 私たちは製品カスタマイズとカスタマイズサービスを提供します.
  • 製品アップグレードや修理の技術支援をします.
  • 販売後のサービスとサポートを提供しています.
 

梱包と輸送:

低電圧MOSFET製品は,業界標準ガイドラインに従って梱包され,出荷されるべきです.製品が物理的な損傷から保護されるため,適切なダッシュマテリアルを備えたESD安全な袋や箱に入れます.低電圧 MOSFET 製品の部品番号とモデルを明確にラベルに記載し,適切な目的地アドレスを含む輸送ラベルをパッケージに貼り付け,受取者の連絡先パッケージはUPSやFedExなどの信頼できる運送業者によって送られて,安全かつ間に合って届けられるようにする必要があります.

 

FAQ:

Q:低電圧MOSFETとは何か?
A:低電圧MOSFETは,低電圧で動作するように設計された金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) の 1 種類です.
Q:低電圧MOSFETのブランド名は?
A:低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q:低電圧MOSFETはどこで生産されていますか?
A: 低電圧MOSFETは中国の広東で製造されています
Q:低電圧MOSFETの価格は?
A: 低電圧MOSFETの価格は製品によって確認されるべきです.
Q:低電圧MOSFETのパッケージは?
A: 低電圧MOSFETは 防塵,防水,防静的管状のパッケージで 梱包され, 紙箱に詰められています
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET