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MOSFET de potência de baixa tensão de trincheira durável, MOSFET de tensão de limiar ultra baixo SGT

  • Durable Trench Low Voltage Power MOSFET , SGT Ultra Low Threshold Voltage MOSFET
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
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Detalhes do produto
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. eficiência Alta eficiência e confiável
Consumo de energia Perda de baixa potência Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS processo de estrutura Trincheira/SGT
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Resistência Baixo RDS (SOBRE)
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MOSFET de potência de baixa tensão durável

,

MOSFET de potência de baixa tensão de trincheira

,

SGT MOSFET de tensão ultra-baixo limiar
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de potência de baixa tensão com processo de estrutura de trincheira / SGT e RSP menor

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um MOSFET de potência projetado para fornecer baixa resistência e alta eficiência em aplicações de baixa tensão.É uma combinação de processo Trench e SGT que dá avanço FOM otimização e abrange mais aplicaçãoEste produto foi concebido para oferecer um desempenho superior com a sua resistência Low Rds ((ON), alta eficiência e operação fiável.motoristaO MOSFET de baixa tensão é a solução ideal para aplicações de baixa tensão.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro MOSFET de baixa tensão
Resistência Baixa Rds ((ON)
Processo de estrutura Tranche/SGT
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Vantagens do processo SGT Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Consumo de energia Baixa perda de potência
 

Aplicações:

REASUNOS Os MOSFETs de baixa tensão são a escolha perfeita para aplicações onde a baixa perda de energia e a baixa resistência Rds ((ON) são críticas.Estes MOSFETs de baixa tensão são ideais para uso em carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.Com configurações em série e paralelas, estes FET de baixa tensão podem ser livremente combinados e utilizados.

Os MOSFETs de baixa tensão REASUNOS têm um grande preço, e sua embalagem é à prova de poeira, à prova de água, e embalagem tubular antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.O prazo de entrega é geralmente de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade totalOs termos de pagamento são 100% T/T em antecedência (EXW) e a capacidade de fornecimento é de até 5KK/mês.

 

Apoio e Serviços:

Apoio técnico e serviços de MOSFET de baixa tensão

Fornecemos suporte técnico e serviços para garantir que suas soluções MOSFET de baixa tensão sejam eficientes e confiáveis.

  • Fornecemos suporte técnico abrangente para todos os produtos MOSFET de baixa tensão.
  • Oferecemos treinamento de produtos e serviços de solução de problemas para os clientes.
  • Fornecemos instruções de instalação detalhadas e documentação do produto.
  • Oferecemos personalização de produtos e serviços de personalização.
  • Fornecemos suporte técnico para atualizações e reparos de produtos.
  • Oferecemos serviço e apoio pós-venda.
 

Embalagem e transporte:

Os produtos MOSFET de baixa tensão devem ser embalados e enviados em conformidade com as orientações padrão da indústria.O produto deve ser colocado num saco ou caixa ESD com material de amortecimento adequado para protegê-lo de danos físicosO pacote deve ser claramente rotulado com o número de peça e o modelo do produto MOSFET de Baixa Tensão.Informações de contacto do destinatárioO pacote deve ser enviado por um transportador confiável, como UPS ou FedEx, para garantir a sua entrega segura e a tempo.

 

Perguntas frequentes:

P: O que é um MOSFET de baixa tensão?
R: O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET) projetado para operar em baixa tensão.
P: Qual é a marca do MOSFET de Baixa Tensão?
R: A marca do MOSFET de Baixa Tensão é REASUNOS.
P: Onde é produzido o MOSFET de baixa tensão?
R: O MOSFET de baixa tensão é produzido em Guangdong, na China.
P: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?
R: O preço do MOSFET de baixa tensão deve ser confirmado com base no produto.
P: Como é que o MOSFET de Baixa Tensão é embalado?
R: O MOSFET de baixa tensão é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base