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MOSFET à basse tension pratique multifonctionnel à basse tension

  • Practical Low Voltage MOSFET Multifunctional N Channel Low Rds
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Processus de structuration Tranchée/SGT l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
Nom du produit MOSFET basse tension Consommation d'électricité Perte de puissance faible
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
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MOSFET à basse tension pratique

,

MOSFET à basse tension multifonctionnel

,

MOSFET à faible Rds du canal N
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Capacité EAS élevée basse tension MOSFET Trench/SGT Structure Processus bas Rds ((ON)

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ (FET) qui fonctionne sous basse tension.commutateur à haute fréquence et rectification synchroneCe MOSFET à basse tension présente une faible résistance Rds ((ON), une efficacité élevée et des performances fiables, ainsi qu'une grande capacité EAS.Le procédé de structure adopté pour ce MOSFET basse tension est le procédé tranché/SGTGrâce à sa technologie avancée, ce MOSFET à basse tension est capable de fournir d'excellentes performances dans différentes applications.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit Les avantages
MOSFET à basse tension (processus de tranchée) Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
MOSFET à basse tension (processus SGT) Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Consommation d'électricité Capacité du SEA
Faible perte de puissance Capacité EAS élevée
Application du projet Efficacité
Chargement sans fil, chargement rapide, pilote moteur, convertisseur CC/CC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone (processus de tranchée) Très efficace et fiable
Conducteur moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone (processus SGT) - Je ne sais pas.
Processus de la structure Résistance
Traînée/SGT Rds bas ((ON)
 

Applications:

Le MOSFET basse tension REASUNOS est un MOSFET de processus SGT et de tranchée à haute performance avec une faible Rds ((ON) et une grande capacité EAS. Il est largement utilisé dans des applications telles que la recharge sans fil, la recharge rapide,conducteur automobileIl est produit à Guangdong, en Chine, et est disponible aux clients à un prix EXW avec une quantité minimale de commande de 5KK/mois.Le produit est emballé dans un emballage antipoussièreLe délai de livraison est de 2 à 30 jours en fonction de la quantité totale. Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Nous nous engageons à fournir un soutien technique complet et un service pour tous nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe d'ingénieurs et de techniciens expérimentés peut vous aider à chaque étape du processus, de la conception et de la sélection à l'installation et à la maintenance.

Nous offrons une gamme de services comprenant:

  • Assistance à la conception et à la sélection
  • Appui à l'installation et à la maintenance
  • Résolution de problèmes et diagnostics
  • Mises à jour logicielles et du firmware
  • Formation et éducation aux produits

Notre équipe est disponible 24h/24 et 7j/7 pour répondre à toutes vos questions, vous conseiller et résoudre tous vos problèmes.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension

Pour des raisons de sécurité, les MOSFET à basse tension seront emballés et expédiés dans une boîte en carton robuste avec un enveloppe à bulles à l'intérieur pour protéger les composants des dommages externes.La boîte doit être correctement scellée et étiquetée avec une étiquette d'avertissement indiquant "Fragile - Handle with Care".

L'emballage comprendra également un manuel d'instructions détaillé pour l'installation et l'utilisation..

Les MOSFET basse tension seront expédiés par une compagnie de transport fiable et seront suivis avec un numéro de suivi unique.Le temps de livraison dépend de la destination et peut prendre de 3 à 7 jours.

 

FAQ:

FAQ: MOSFET à basse tension
Q1: Quelle est la marque du MOSFET basse tension?

R1: Le MOSFET basse tension est de la marque REASUNOS.

Q2: Où est fabriqué le MOSFET basse tension?

R2: Le MOSFET basse tension est fabriqué à Guangdong, en Chine.

Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension?

R3: Le prix du MOSFET basse tension est basé sur le produit. Veuillez nous contacter pour plus de détails.

Q4: Comment est l'emballage du MOSFET basse tension?

R4: Le MOSFET basse tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5: Combien de temps pour la livraison du MOSFET basse tension?

R5: La livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours en fonction de la quantité totale.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base